Строение полупроводников. Энергетические зоны.
Полупроводниками принято называть вещества, электропроводность которых обусловлена перемещением электронов, возбужденных внешними энергетическими воздействиями (нагрев, облучение светом, наложение сильного электрического поля и т.д.).
Проводимость их небольшая, ро 10^-5 – 10^-7 Ом*м.
При поглощении валентным электроном кванта энергии большего и равного ширине запрещенной энергетической зоны, электрон переходит в свободную энергетическую зону и получает возможность перемещаться – менять свою энергию. После ухода электрона из валентной зоны в ней остается незанятое место - дырка. Таким образом, при возбуждении атома в нем появляются два носителя заряда противоположных знаков: электрон и дырка. Очевидно, что для того, чтобы электрон покинул валентную зону и перешел в свободную зону нужно повышение его энергии. Чем выше температура полупроводника, тем более вероятна флуктуация энергии и перескок электрона из валентной зоны в свободную.
Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники, то есть полупроводники содержащие небольшие количества примесей. Роль примесей могут играть также дефекты кристаллической решетки – вакансии, дислокации, границы зерен, поры, трещины.
26. Легированные полупроводники. Донорные и акцепторные примеси. Влияние примесей на электропроводность полупроводниковых материалов.
|
|
|
Для большинства полупроводниковых приборов используются примесные полупроводники, то есть полупроводники содержащие небольшие количества примесей. Роль примесей могут играть также дефекты кристаллической решетки – вакансии, дислокации, границы зерен, поры, трещины.
Если валентность атома примеси и атомов основного материала отличаются, то атомы примесей будут являться источниками свободных электронов или дырок. Избыток электронов на валентной оболочке атома примеси приведет к появлению дополнительных электронов, а недостаток электронов на валентных электронных оболочках атомов приведет к появлению дырок. Атомы примесей, поставляющих в свободную зону свободные электроны, принято называть донорами, а атомы – поставляющие дырки – акцепторами.
Те носители заряда, концентрация которых в данном полупроводниковом материале выше, называют основными, а те, концентрация которых ниже, - неосновными. При наличии в полупроводнике атомов примесей – доноров, основ0ными носителями заряда будут являться электроны, и такие материалы называют полупроводниками n-типа. Полупроводниковый материал, легированный атомами акцепторов, называют полупроводником p-типа. При контакте полупроводников p-типа и n-типа появляются p-n переходы – основа всех полупроводниковых приборов.
|
|
|
|
Влияние легирования на энергетические зоны полупроводников: а) собственный полупроводник, б) полупроводник, содержащий донорные примеси, в) полупроводник, содержащий акцепторные примеси. |
Свойства полупроводников проявляют многие материалы. Среди этих материалов встречаются как элементарные полупроводники: кремний, германий, селен и др., так и химические соединения: карбид кремния, сульфиды и селениды различных металлов, арсениды, фосфиды и антимониды, а также окислы металлов.
Дата добавления: 2018-05-09; просмотров: 343; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!