Коэффициент усиления усилителя с последовательной
Отрицательной обратной связью по напряжению
Усилитель включает цепь прямой передачи с комплексным коэффициентом усиления по напряжению
(3.13)
и цепь обратной передачи с комплексным коэффициентом обратной связи (рис. 3.4)
, (3.14)
при этом входной сигнал uвх1 и сигнал обратной связи uос находятся в противофазе друг к другу.
Коэффициент усиления усилителя, охваченного обратной связью, равен
(3.15)
Величину называют глубиной обратной связи. При достаточной глубине ОС ( ) коэффициент усиления усилителя, охваченного обратной связью, не зависит от свойств цепи прямой передачи и определяется только свойствами цепи ОС
. (3.16)
Коэффициент усиления прямой передачи нестабилен из-за входящих в структуру усилителя активных элементов (транзисторы, операционные усилители и др.). Отрицательная ОС использует пассивные элементы (резисторы, конденсаторы) и стабильна. Рост глубины обратной связи повышает стабильность общего коэффициента усиления .
Входное и выходное сопротивление усилителя
С обратной связью
Сопротивление параллельно соединенных элементов меньше сопротивления каждого из них, тогда как сопротивление последовательно соединенных элементов – больше. Следовательно, параллельная ОС уменьшает входное сопротивление усилителя, а последовательная увеличивает, так же как связь по напряжению уменьшает выходное сопротивление усилителя, а связь по току – увеличивает.
|
|
Выразим входное комплексное сопротивление усилителя, охваченного последовательной обратной связью (см. рис. 3.4), через входное сопротивление цепи прямой передачи и коэффициенты усиления и обратной связи . При последовательной обратной связи напряжения и на входе усилителя складываются при одном токе , увеличивая входное сопротивление:
. (3.17)
В случае параллельной обратной связи (см. рис. 3.3, а) складываются токи на входе усилителя при одном напряжении , что уменьшает входное сопротивление . Характер изменения сопротивления не зависит от величины, по которой осуществляется связь (ток, напряжение).
При изменении сопротивления нагрузки обратная связь по напряжению препятствует изменению выходного напряжения, уменьшая выходное сопротивление усилителя:
. (3.18)
Обратная связь по току препятствует изменению выходного тока, означая увеличение выходного сопротивления усилителя. Характер изменения не зависит от вида связи (параллельная, последовательная).
|
|
3.4. Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Одним из наиболее распространенных усилительных каскадов на биполярном транзисторе является каскад с общим эмиттером. Для каскада с ОЭ эмиттер является общим электродом входной и выходной цепей. Перед подачей сигнала на вход каскада необходимо обеспечить начальный режим его работы. Начальный режим называют так же статическим, покоя или режимом постоянного тока. В начальном режиме электроды транзистора подсоединяют к источнику питания, при этом через его p-n-переходы протекают постоянные токи. Начальным значениям токов и напряжений соответствует рабочая точка (РТ) на характеристиках транзистора. Неизменность положения рабочей точки на характеристиках – основа стабильности работы усилительного каскада.
Начальный режим задают, применяя одну из трех возможных схем:
· с фиксированным током базы;
· с эмиттерной стабилизацией;
· с коллекторной стабилизацией.
3.4.1. Схема с фиксированным током базы
Схема с фиксированным током базы приведена на рис. 3.5.
Под действием источника в цепях базы и коллектора транзистора протекают постоянные токи и . Уравнение состояния коллекторной цепи, составленное по второму закону Кирхгофа, из-за наличия транзистора является нелинейным
|
|
. (3.19)
Решение нелинейного уравнения выполняют с помощью графических построений, для чего на коллекторные характеристики транзистора (см.
рис. 1.21) наносят линию нагрузки.
Выразив из (3.19) ток коллектора
, (3.20)
можно видеть, что ток изменяется линейно с изменением напряжения на нелинейном элементе. Уравнение (3.20) называют уравнением линии нагрузки или нагрузочной прямой.
Для построения линии нагрузки следует найти значения тока и напряжения в двух крайних режимах работы транзистора: насыщения и отсечки. При насыщении напряжение и ток коллекторной цепи ограничен сопротивлением коллекторной нагрузки . В режиме отсечки ток и все напряжение источника приложено к коллекторному переходу . Этим режимам на выходных характеристиках транзистора соответствуют точки с координатами: , и , , – через которые и проводят нагрузочную прямую (рис. 3.6).
Точки пересечения линии нагрузки с каждой коллекторной характеристикой дают решения уравнения (3.20). Решения определяют ток и напряжение покоя коллектора при соответствующем токе базы. Ток указан в виде параметра на характеристиках . Значения начальных тока и напряжения коллектора вместе с начальным током базы , соответствующие рабочей точке РТ, указаны на рис. 3.6.
|
|
Уравнение состояния цепи базы, составленное по второму закону Кирхгофа, также нелинейное
. (3.21)
Однако в силу малости напряжения на смещенном в прямом направлении переходе база – эмиттер , ток в цепи базы фиксирован, т. е. определен параметрами схемы ( , )
. (3.22)
Положение РТ на коллекторных характеристиках (рис. 3.6) соответствует току . С изменением тока базы рабочая точка перемещается по линии нагрузки от нижнего положения при (режим отсечки) до верхнего при (режим насыщения).
Схема с эмиттерной
стабилизацией
Параметры транзистора являются функцией температуры. С температурой изменяется концентрация неосновных носителей в полупроводнике, а вместе с ней и коллекторный ток . При изменении температуры коллекторные характеристики изменяются, вызывая смещение рабочей точки и нелинейные искажения входного сигнала. Температурная стабилизация усилительного каскада обеспечивается введением отрицательной обратной связи. Наиболее распространена эмиттерная стабилизация (рис. 3.7).
Схема предусматривает стабилизацию тока за счет включения в цепь эмиттера резистора .
Применение делителя напряжения R1-R2 обеспечивает фиксированное напряжение на его нижнем плече
. (3.23)
Согласно второму закону Кирхгофа к переходу база – эмиттер приложена часть этого напряжения
. (3.24)
При увеличении температуры растет ток коллектора , а через него – и ток эмиттера . Рост тока увеличивает падение напряжения на резисторе . Однако суммарное напряжение на резисторе остается неизменным, поэтому с ростом напряжения снижается напряжение на эмиттерном переходе. Снижение прямого напряжения база – эмиттер означает уменьшение токов эмиттера и коллектора .
Эмиттерная стабилизация обеспечивает независимость напряжения от изменений температуры и стабилизирует работу транзистора и усилительного каскада.
3.4.3. Схема с коллекторной стабилизацией
Коллекторная стабилизация достигается введением напряжения обратной связи из коллекторной цепи в цепь базы (рис. 3.8).
Обратную связь осуществляют подключением резистора в цепи базы к коллектору. С повышением температуры растет ток коллектора и увеличивается падение напряжения на резисторе . Согласно второму закону Кирхгофа с увеличением падения на резисторе уменьшается напряжение на транзисторе , а с ним – и ток базы . Уменьшение тока базы снижает ток коллектора , обеспечивая стабилизацию работы транзистора.
3.4.4. Режимы работы усилительного каскада
В зависимости от положения рабочей точки на характеристиках транзистора, различают четыре основных режима работы усилительного каскада или основных класса усиления: А, В, СиД.
Режим А соответствует положению рабочей точки на линейных участках выходных характеристик . В зависимости от входного сигнала ток коллектора , содержащий постоянную и переменную составляющие, может как возрастать, так и уменьшаться относительно тока покоя , всегда оставаясь положительным .
Режим В соответствует нижнему положению рабочей точки на выходных характеристиках , когда ток покоя . Ток коллектора всегда положителен и может быть только больше тока покоя. При гармоническом входном сигнале выходной ток состоит из положительных полуволн.
Режим С достигается подачей на вход транзистора начального запирающего напряжения . В этом случае при гармоническом входном сигнале выходной ток содержит части положительных полуволн, длительность которых меньше длительности половины периода.
Режим Д соответствует ключевой работе, когда основную часть времени транзистор находится в насыщении или отсечке.
Дата добавления: 2018-05-01; просмотров: 465; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!