Транзисторы КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТЗ61Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально - планарные p-n-p усилительные высокочастотные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится в этикетке.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_кб =10 В, I_э = 1 мА:

при Т =298 К:

КТ361А, КТ361Д.................................... 20 - 90

КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е ..................... 50 - 350

КТ361В................................................... 40 - 160

при Т =373 К:

КТ361А, КТ361Д.................................... 20 - 250

КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е...................... 50 - 500

КТ361В................................................... .... 20 - 300

при Т=213 К:

КТ361А, КТ361Д................................................ 10 - 90

КТ361Б, КТ361Г, KT361E................... 15-350

КТ361B................................................. 10-160

Модуль коэффициента передачи тока при f=100 МГц, U_кб = 10 В, I_э = 5 мА,

не менее 2,5

Постоянная времени цепи обратной связи при f= 5 МГц, U_кб = 10 В, I_э = 5 мА не более:

КТ361А, КТ361Б, КТ361Г ,................. 500 пс

КТ361В, KT361E.................................. 1000 пс

КТ361Д................................................. 250 пс

Емкость коллекторного перехода при U_КБ = 10 В, f = МГц не более:

КТ36IA, КТ361Б................................... 9 пФ

КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е.... 7 пФ

Обратный ток коллектора при U_кб =10 В не более

при Т=298 К и Т=213 К................................... 1 мкА

при Т = 373 К................................................... 25 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при R_бэ = 10 кОм, U_кэ = U_{кэ.макс}, не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при R_бэ = 10 кОм:

при Т= 213 … 308 К:

КТ361А......................................... 25 В

КТ361Б..................................................... 20 В

КТ361В, КТ361Д.......................... 40 В

КТ361Г, КТ361Е....................................... 35 В

при Т=373 К:

КТ361А......................................... 20 В

КТ361Б......................................... 15 В

КТ361В, КТ361Д.......................... 35 В

КТ361Г, КТ361Е........................... 30 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373 К 4В

Постоянный ток коллектора при Т= 213 … 373 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

при Т =213-=- 308 К............................................ 150 мВт

при Т=373 К......................................................... 30 мВт

Температура перехода.......................... 393 К

Температура окружающей среды........ От 213 до 373 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т =308 … 373 К определятся по формуле

Р_к.макс = (393 - Т) / 0,67.

Допускается производить пайку на расстоянии не менее 2 мм корпуса транзистора. Допускается трехкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе изгиба 1,5 — 2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси.

Входные характеристики

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры

Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры

ЛИТЕРАТУРА

1 Электронные приборы: Учебник для вузов/ В.Н. Дулин, Н.А.Аваев, В.П. Демин и др. - М.: Энергоатомиздат, 1989. - С.12-82, с.97-113.

2 Жеребцов И.П. Основы электроники. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. - С.19-50.

3 Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1986. - С.8-48.

4 Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. П/р Н. Н. Горюнова. М:, Энергоиздат 1982 г.

Лабораторная работа №4. Исследование свойств и определение основных электрических параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

1 Цель работы

Цель работы - достичь понимания работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, приобрести навыки экспериментального определения статических вольт - амперных характеристик (ВАХ) и практического определения их параметров и соответствия определенных параметров техническим условиям.

2 Задачи работы

2.1 Освоить теоретический материал по полевым транзисторам с управляющим переходом по конспекту лекций и литературе.

2.2 Выполнить экспериментальную часть работы в соответствии с программой и обработать результаты экспериментов.

2.3 По результатам проведенных работ сделать выводы, оформить отчет и защитить его.

3 Программа работ

3.1 Ознакомиться с методическими указаниями по выполнению данной работы.

3.2 Изучить теоретические вопросы, относящиеся к назначению, устройству, принципу работы полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом, его ВАХ и основных электрических параметров, а также его эквивалентным электрическим схемам замещения.

3.3 Подготовить формуляр отчета по лабораторной работе.

Проходные вольт – амперные характеристики n- и p- канальных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

3.4 Ознакомиться с устройством лабораторного стенда и подготовить его к работе.

3.5 Снять семейства сток - затворных ВАХ полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

3.6 Снять семейства стоковых ВАХ полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.

3.7 Численные данные экспериментальных исследований занести в таблицы.

3.8 Построить графики полученных семейств ВАХ.

3.9 Определить величины начального тока стока, напряжения отсечки и крутизны характеристики.

3.10 Построить график изменения крутизны от тока стока.

3.11 Рассчитать по семействам ВАХ зависимости статического и динамического сопротивлений полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом от тока стока и напряжения сток-исток.

3.12 Определить по справочнику параметры номинального режима и для номинального режима построить схему замещения.

3.13 Рассчитать для номинального режима мощность электрических потерь в транзисторе.

3.14 Построить графики семейства зависимостей мощности рассеяния на транзисторе от напряжения сток-исток.

3.15 На графиках семейства сток - затворных ВАХ отметить границы предельно допустимых режимов работы исследованного транзистора.

3.16 Изобразить эскиз исследуемого транзистора с указанием наименования его электродов.

3.19 Сделать выводы по работе, оформить отчет и защитить его.

4 Методические рекомендации

4.1 При изучении теоретического материала обратить внимание на способы определения малосигнальных параметров по графикам семейств статических ВАХ. Учесть, что способ определения малосигнальных параметров не зависит от физической природы четырехполюсника и поэтому является одинаковым и для полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом и для других, например, биполярных транзисторов.

4.2 При определении малосигнальных параметров следует помнить, что они находятся для рабочей точки, определяемой входными и выходными напряжениями и токами. Причем значения этих токов и напряжений, должны совпадать на различных семействах ВАХ.

4.3 При построении схемы замещения величины индуктивностей выводов электродов и межэлектродных емкостей не учитывать.

4.4 Работа выполняется на модернизированном лабораторном стенде 87Л-01 «ЛУЧ». При выполнении экспериментальной части лабораторной работы рекомендуется использовать сменный планшет №7. Источниками напряжений являются устройства, находящиеся на нижней панели стенда: источник ГН1 – для задания напряжения на затворе (G1), ГН2 – для задания напряжения между стоком и истоком (G2).

4.5 Для получения точных результатов при малых значениях измеряемых параметров необходимо устанавливать переключатели приборов на возможно меньшие пределы измерений.

4.6 Первой рекомендуется снимать сток - затворную характеристику. Для этого сначала необходимо собрать схему, изображенную на сменном планшете №7 и после проверки правильности ее лаборантом включить стенд включателем «Сеть». При этом должна загореться лампочка подсветки включателя. Затем необходимо задать постоянное напряжение между затвором и истоком и, изменяя напряжение между затвором и истоком с интервалом в 0,5 В, зарегистрировать изменения тока стока.

Следует помнить, что во всех экспериментах недопустимо превышать напряжение между стоком и истоком более 10В, а между затвором и истоком 5 В (смотри справочные данные, приведенные в приложении).

4.7 При снятии стоковой ВАХ надо задавать напряжение между затвором и истоком с интервалом в 0,5 В, а изменять напряжение сток-исток через 1 В.

4.8 Во всех экспериментах следует обращать внимание на поддержание постоянства задаваемого напряжения.

4.9 При оформлении отчета руководствоваться требованиями к оформлению отчетов по лабораторным работам кафедры «Промышленная электроника».

5 Содержание отчета.

Отчет должен содержать следующие разделы:

· цель работы и программу работ,

· описание схемы и методики снятия семейств ВАХ полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом с приведением таблиц со значениями экспериментальных данных и графиков, построенных на их основе,

· обработанные результаты исследований с определенными напряжениями отсечки и насыщения, начального тока стока и другими параметрами, предусмотренными программой работ,

· выводы по работе,

· список литературы, использованной при проведении работ.

6 Вопросы для самоконтроля

6.1 Вопросы для допуска к выполнению лабораторной работы.

· В чем заключается цель лабораторной работы?

· Какие приборы используются при выполнении работы?

· Как определяется стоковая ВАХ?

· Как определяется сток - затворная ВАХ?

· Какие пределы измерения выставляются на приборах при определении стоковой и сток - затворной ВАХ?

· Какие пределы выставляются на приборах при снятии ВАХ?

· Каковы схемы замещения полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом?

· Как обозначаются полевые транзисторы?

6.2 Вопросы для защиты отчета по лабораторной работе

· В чем заключается принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом и особенности физических процессов в нем при различных режимах?

· Каковы особенности полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом по сравнению с другими транзисторами?

· Какими причинами объясняется нелинейный характер ВАХ?

· Какие параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом вы знаете?

· Каковы значения предельно допустимых параметров исследованного транзистора?

· Каковы области применения полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом?

· В чем заключаются методики проведения экспериментальной и расчетной частей лабораторной работы?

· Как полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом маркируются и обозначаются в электрических схемах?

7 Приложение

Дата добавления: 2018-04-15; просмотров: 169; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 5 678 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!