Мостова схема розмовного вузла з придушенням місцевого



Ефекту для ТА з дисковим номеронабирачем

         

     На рис. 5 наведена схема розмовного вузла, яка найчастіше застосовується в телефонних апаратах з дисковим номеронабирачем, але іноді використовується і в ТА з кнопковим набором.

     У схемі використовується вугільний мікрофон, живлення якого здійснюється безпосередньо з лінії через обмотку I трансформатора (лінійна обмотка). Мікрофон включається у діагональ моста, який складається з: опору АТС та лінії, опору лінійної обмотки трансформатора (I), балансної обмотки трансформатора (II) й балансного контуру (резистори R1, R2 і конденсатор С1), опір якого дорівнює еквівалентному опору лінії та АТС.

     Елементи балансного контуру підбираються таким чином, щоб урівноважити плечі моста, вирівнюючи струми в лінійній і балансній обмотках.

При рівних величинах струмів в обмотках I і II врівноваженого моста вони мають різний нарямок, в результаті чого струми, що наводяться в телефонній обмотці (III) трансформатора, взаємно компенсуються і свій голос в телефоні трубки не прослуховується. Таким чином досягається придушення місцевого ефекту. При цьому струм мікрофона іншого абоненту не послаблюється, тому що він протікає в обмотках I і II в одному напрямку.

 

Рис. 5 - Мостова схема розмовного вузла з придушенням місцевого

ефекту для ТА з дисковим номеронабирачем

 

     Амплітудний обмежувач рівня сигналу (фріттер) виконаний на зустрічно включених діодах (FA1). Він призначений для запобігання неприємної дії на органи слуху людини акустичних ударів, що виникають внаслідок різкого збільшення звукового тиску, що виникає у телефоні від імпульсів підвищеної напруги в лінії. В якості обмежувачів можуть використовуватися варистори і транзистори. У загальному випадку, фріттер є активним нелінійним опором, шунтуюча дія якого зростає при збільшенні напруги на затискачах апарату.

 

Мостова схема розмовного вузла з придушенням місцевого

Ефекту з електретним мікрофоном

         

         У схемі, зображеній на рис. 6, застосовується електретний мікрофон з підсилювачем на транзисторах VT1 і VT2. Напруга живлення мікрофона знімається з елементів балансного контуру R10, R11 і С5 і стабілізується інтегруючим ланцюжком на резисторі R9 і конденсаторі С4. Резистор R8 задає робочий струм мікрофона ВМ1. Резистор R5 і конденсатор СЗ призначені для запобігання самозбудження мікрофона. Стабілітрон VD1 служить для захисту схеми від кидків напруги при комутації розмовного ключа.

     Амплітудний обмежувач рівня сигналу (фріттер) у цій схемі виконаний на зустрічно включених діодах (VD3, VD4). Його функція і принцип роботи аналогічні попередній схемі.

Рис. 6 – Мостова схема розмовного вузла

з придушенням місцевого ефекту з електретним мікрофоном

Схема розмовного вузла для спільного використання з

Електронними номеронабирачами

         

     На рис. 7 наведена одна з найпоширеніших схем розмовного вузла, що застосовується в телефонах - трубках і телефонних апаратах настольного типу, у поєднанні з різними мікросхемами електронних номеронабирачів.

     У ній імпульсний ключ одночасно виконує функцію підсилювача сигналу мікрофона, що можливо тільки при використанні тих інтегральних схем (ІС) електронних номеронабирачів, імпульсний ключ (ІК) яких має вихід з відкритим стоком.

     База транзистора VT1 підключена як до виходу мікрофона через розділовий конденсатор С1 ємністю 20 нанофарад так і до виходу імпульсного ключа інтегральної схеми електронного номеронабирача. Коли на виході ІК ІС "високий" рівень, транзистори VT1 ​​і VT2 виконують функцію підсилювача сигналу мікрофона, оскільки при цьому високий опір закритого вихідного транзистора ІК ІС як би відключає вихід ІК ІС від бази транзистора VT1. Початкове зміщення на базу VT1 задається резистором R1. Резистор R5 є елементом балансного кола для узгодження з імпедансом лінії. Резистор R6 являє собою навантаження лінії.

     Мовні коливання перетворюються в електричний НЧ сигнал електретним мікрофоном, робочий струм якого (0,25 - 0,6) мА встановлюється резистором R2. Від значення робочого струму залежить рівень сигналу мікрофона.

 

Рис. 7 – Схема розмовного вузла, сумісного з ІС електронного номеронабирача

 

     НЧ сигнал з мікрофону через розділовий конденсатор С1 надходить на базу складеного транзистора VT1-VT2, колекторним навантаженням якого є RАТС. На емітері VT2 НЧ сигнал повторює вхідний за формою і значенням напруги. З колектора VT2 підсилений за напругою, але протифазний вхідному, сигнал передається в лінію до іншого абонента.

     Синфазний сигнал з емітера і протифазний сигнал з колектора транзистора VT2, проходячи через резистори R3 і R4 відповідно, якими встановлюється співвідношення амплітуд для найкращого придушення місцевого ефекту, додаючись у точці "В", взаємно подавляються (самоліквідовуються). Цим досягається значне зниження чутності свого голосу при розмові. Таке включення резисторів і транзистора в телефонному апараті, виконує функцію придушення місцевого ефекту.

     НЧ сигнал іншого абонента з лінії через відкритий транзистор VT2 і резистор R4 надходить в точку "В". У цій точці він додається до синфазного сигналу, що надходить за іншого кола через R3. Отриманий сумарний сигнал через розділовий конденсатор С2 подається на базу транзистора VT3.

     Транзистор VT3, включений за схемою зі спільним емітером, підсилює сигнал за напругою, а транзистор VT4, який представляє собою емітерний повторювач, – за струмом. З емітера цього транзистора через розділовий конденсатор СЗ підсилений сигнал подається на динамічну головку (телефон) BF1. Резистор R7, включений у коло негативного зворотного зв'язку, задає струм зміщення на базу транзистора VT3. Резистори R8 і R9 є відповідно колекторним і емітерним навантаженнями транзисторів VT3 і VT4.

     Напруга живлення (близько 3 В) телефонного підсилювача і електретного мікрофона знімається з резистора R6 (150 Ом).

     При використанні електродинамічного мікрофона для забезпечення нормальної чутності і розбірливості в схему вводиться додатковий підсилювач, включений за схемою зі спільним емітером (рис. 8).

     При цьому резистор R2 (рис. 7) виконує функцію колекторного навантаження транзистора VT1 (рис. 8), а резистор R2 (рис. 8) задає початковий зсув на базу. Конденсатор С1 – розділовий, а резистор R1 служить для
усунення збудження підсилювача.


Рис. 8 – Підсилювач електродинамічного мікрофону


Дата добавления: 2018-04-05; просмотров: 206; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!