Поверхностные дефекты

Дефекты кристаллов

Строение реальных кристаллов отличается от идеальных. В реаль­ных кристаллах всегда содержатся дефекты, которые подразделяют на точечные, линейные, поверхностные и объемные. Размеры точечного де­фекта близки к межатомному расстоянию. У линейных дефектов длина на несколько порядков больше ширины; у поверхностных дефектов мала толщина, а ширина и длина больше ее на несколько порядков. Объем­ные дефекты (поры, трещины) имеют значительные размеры во всех трех направлениях.

Дефекты сохраняют подвижность, способны перемещаться в кристал­лической решетке и при сближении взаимодействуют между собой. В большинстве случаев подвижность дефектов контролируется диффузией. Передвижение дислокаций под действием напряжений не связано с массопереносом, дислокации подвижны и при низких температурах, когда диффузия уже не играет никакой роли.

Точечные дефекты

К самым простым точечным дефектам относятся вакансии, межузельные атомы основного вещества, чужеродные атомы внедрения (рис. 1.17).

Вакансией называется пустой узел кристаллической решетки, а межузельным атомом — атом, перемещенный из узла в позицию между узлами.

Рис. 1.17. Точечные дефекты в кристаллической ре­шетке:

а - вакансия; б - межузельный атом; а - примесный атом вне­дрения

Вакансии и межузельные атомы появляются в кристаллах при любой температуре выше абсолютного нуля из-за тепловых колебаний атомов. Каждой температуре соответствует равновесная концентрация вакансий, а также межузельных атомов. Например, в меди при 20-25 °С содержится 10-13 % (ат.) вакансий, а вблизи точки плавления — уже 0,01 % (ат.) (одна вакансия приходится на 104 атомов).

Пересыщение точечными дефектами достигается при резком охла­ждении после высокотемпературного нагрева, при пластическом деформи­ровании и при облучении нейтронами. В последнем случае концентрация вакансий и межузельных атомов одинакова: выбитые из узлов решетки атомы становятся межузельными атомами, а освободившиеся узлы стано­вятся вакансиями.

С течением времени избыток вакансий сверх равновесной концентра­ции уничтожается на свободных поверхностях кристалла, порах, грани­цах зерен и других дефектах решетки. Места, где исчезают вакансии, называются стоками вакансий. Вакансии являются самой важной разно­видностью точечных дефектов; они ускоряют все процессы, связанные с перемещениями атомов (диффузия, спекание порошков и т.д.).

В ионных и ковалентных кристаллах вакансии и другие точечные де­фекты электрически активны и могут быть как донорами, так и акцепто­рами. Это создает в кристаллах преобладание определенного типа прово­димости. В ионных кристаллах электрическая нейтральность кристалла сохраняется благодаря образованию пары точечных дефектов: вакансия-ион, у которых электрические заряды имеют противоположные знаки.

Все виды точечных дефектов искажают кристаллическую решетку и, в определенной мере, влияют на физические свойства. В технически чи­стых металлах точечные дефекты повышают электросопротивление, а на механические свойства почти не влияют. Лишь при больших концентрациях дефектов облученных металлах понижается пластичность и заметно изменяются другие свойства.

 

Линейные дефекты

Важнейшие виды линейных несовершенств — краевые и винтовые дислокации (рис. 1.18). Краевая дислокация в сечении представляет со­бой край «лишней» полуплоскости в решетке (см. рис. 1.18, а). Вокруг дислокаций решетка упруго искажена.

Рис. 1.18. Схемы краевой (а) и винтовой (б) дислокаций

Мерой искажения служит так называемый вектор Бюргерса. Он получается, если обойти замкнутый контур в идеальном кристалле (рис. 1.19, а), переходя от узла к узлу, а затем этот же путь повто­рить в реальном кристалле, заключив дислокацию внутрь контура. Как видно на рис. 1.18,6 в реальном кристалле контур окажется незамкну­тым. Вектор 6, который нужен для замыкания контура, называется вектором Бюргерса. У краевой дислокации вектор Бюргерса равен межатомному расстоянию и перпен­дикулярен дислокационной линии, у винтовой дислокации — параллелен ей.

Полные дислокации легко пере­мещаются под действием напряжений в отличие от частичных дисло­каций, у которых вектор Бюргерса меньше межатомного расстояния.

Рис. 1.19. Определение вектора Бюргерса b


Внутри кристалла дислокации связаны в единую объемную сетку; в каждом узле сетки соединены три дислокации и сумма их векторов Бюргерса равна нулю.

В кристаллах содержатся дислокации разных знаков, различающиеся ориентацией векторов Бюргерса. Дислокации одного знака, расположен­ные в одной плоскости, отталкиваются друг от друга, а противоположных знаков — притягиваются.

Плотность дислокаций — это суммарная длина всех линий дисло­каций в единице объема. В полупроводниковых кристаллах она равна 104 - 105 см-2, у отожженных металлов — 106 — 108 см-2. При холод­ном пластическом деформировании плотность дислокаций возрастает до 1011 - 1012 см-2. Попытка увеличить плотность свыше 1012 см~2 быстро приводит к появлению трещин и разрушению металла.

Дислокации возникают при кристаллизации, плотность их большая, поэтому они значительно влияют на свойства материалов. Дислокации наряду с другими дефектами участвуют в фазовых превращениях.

Вдоль дислокаций скорость диффузии на несколько порядков выше, чем сквозь кристаллическую решетку без дефектов. Дислокации служат местом концентрации примесных атомов, в особенности примесей внедре­ния, так как это уменьшает искажения решетки. Примесные атомы обра­зуют вокруг дислокации зону повышенной концентрации — так называ­емую атмосферу Коттрелла, которая мешает движению дислокаций и упрочняет металл.

Особенно велико влияние дислокаций на прочность кристаллов. Бла­годаря подвижным дислокациям экспериментально определенный предел текучести металлов в 1000 раз меньше теоретического значения. При зна­чительном увеличении плотности дислокаций и уменьшении их подвижно­сти прочность увеличивается в несколько раз по сравнению с отожженным состоянием. Прочность бездефектных участков (в том числе длинных и тонких «усов», полученных кристаллизацией из газовой фазы) прибли­жается к теоретической (рис. 1.20).


Поверхностные дефекты

Наиболее важными поверхностными дефектами являются большеугловые и малоугловые границы, дефекты упаковки, границы двойников.

Поликристаллический сплав содержит огромное число мелких зерен. В соседних зернах решетки ориентированы различно (рис. 1.21), и грани­ца между зернами представляет собой переходный слой шириной 1 - 5 нм. В нем нарушена правильность расположения атомов, имеются скопления дислокаций, повышена концентрация примесей. Границы между зернами называются болыш,еугловыми, так как соответственные кристаллографи­ческие направления в соседних зернах образуют углы в десятки градусов (см. рис. 1.21, а).

Каждое зерно, в свою очередь, состоит из субзерен (блоков). Субзер­но представляет собой часть кристалла относительно правильного стро­ения, а его границы — стенки дислокаций, которые разделяют зерно на отдельные субзерна (см. рис. 1.21, б). Угол взаимной разориентации меж­ду соседними субзернами невелик (не более 5°), поэтому такие границы называются малоугловыми. На малоугловых границах также скаплива­ются примеси.

Дефект упаковки представляет собой часть атомной плоскости, огра­ниченную дислокациями, в пределах которой нарушен нормальный по­рядок чередования атомных слоев. Например, в сплавах с ГЦК решет­кой чередуются плотноупакованные слои АВСАВСАВ..., а при про­хождении через дефект упаковки слои чередуются в последовательности ABC ВС ABC... Чередование слоев ВСВС... типично для кристаллов с ГП решеткой, и, таким образом, дефект упаковки представляет собой как бы тонкую пластинку с ГП решеткой в ГЦК решетке.

Поверхностные дефекты влияют на механические и физические свой­ства материалов. Особенно большое значение имеют границы зерен. Пре­дел текучести связан с размером зерен зависимостью

Где и — постоянные для данного материала. Чем мельче зерно, тем выше предел текучести, вязкость и меньше опасность хрупкого разруше­ния. Аналогично, но более слабо влияет на механические свойства размер субзерен.

Вдоль границ зерен и субзерен быстро протекает диффузия (во много раз быстрее, чем сквозь кристалл), особенно при нагреве. Взаимодействие между дефектами, перемещение их в кристаллах, изменение концентрации дефектов — все это отражается на свойствах и имеет большое практиче­ское значение.

 

 

Булат (от перс. فولاد — фул́ад и тюркского «болот», «сталь») — сталь, благодаря особой технологии изготовления отличается своеобразной внутренней структурой и видом («узором») поверхности, высокой твёрдостью и упругостью. С древнейших времён, первые упоминания встречаются ещё у Аристотеля, используется для холодного оружия — клинков мечей, сабель, кинжалов, ножей и др.

Внешне булат отличается наличием беспорядочного узора, который получается при кристаллизации.

Дамасская сталь -первоначально то же, что и булат; позднее - сталь, полученная кузнечной сваркой сплетенных в жгут стальных полос или проволоки с различным содержанием углерода. Название получила от города Дамасск (Сирия), где производство этой стали было развито в средние века и, отчасти, в новое время.

Булатная сталь (булат) -литая углеродистая сталь со своеобразной структурой и узорчатой проверхностью, обладающая высокой твердостью и упругостью. Из булатной стали изготовляли холодное оружие исключительной стойкости и остроты. Булатная сталь упоминается еще Аристотелем. Секрет изготовления булатной стали, утерянный в средние века, раскрыл в XIX веке П.П.Аносов. Опираясь на науку, он определил роль углерода как элемента, влияющего на качество стали, а также изучил значение ряда других элементов. Выяснив важнейшие условия образования лучшего сорта углеродистой стали - булата, Аносов разработал технологию его выплавки и обработки (Аносов П.П. О булатах. Горный журнал, 1841, № 2, с.157-318).

 

 


Дата добавления: 2015-12-17; просмотров: 70; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:




Мы поможем в написании ваших работ!