Порядок выполнения работы

2.1 Собрать схему рис. 2. На схеме I – источник тока для задания тока базы, V1 – источник напряжения коллекторной цепи.

Измерительные приборы находятся за красной цифрой 8.

В цепь базы транзистора включен микроамперметр М1 для измерения тока базы и вольтметр М2 для измерения напряжения на базе транзистора. В цепи коллектора установлены приборы для измерения тока коллектора транзистора и напряжения между коллектором и эмиттером.

Установить сопротивление амперметров равным 1Ом, вольтметров –
1 МОм.

Выбрать транзистор из библиотеки «Motorol 1» заданного варианта.

Приложение П1.

2.2 Подготовка к работе

Установить значение тока источника I равным 1мкА, напряжение V1 равным 5В. Включить режим моделирования и убедиться, что схема работает, т.е. появилось напряжение на коллекторе (М3) и ток коллектора (М4).

R_Э = 1 Ом

Рис. 2. Схема проведения измерений

2.3 Проведение измерений

Снять две входных характеристики транзистора I_б = ƒ(U_бЭ) при U_КЭ= Const т.е. зависимость тока базы от напряжения база–эмиттер. При снятии входных характеристик удобнее задавать значения тока базы с помощью генератора тока I1 и измерять напряжение между базой и эмиттером вольтметром М2. Ток базы изменять от 1 мкА до 120 мкА. Рекомендуемый ряд значений тока приведен в таблице 1, строка I_б. По результатам измерений заполнить таблицу 1. Для получения значения напряжения U_КЭ= 0 отключить прибор М4 от источника V1 и присоединить его к общей шине. Повторить измерение и заполнить строку три таблицы.

Таблица 1

ТºС

I_б(мкА)

U_К=5В

U_бЭ(мВ)

U_К=0В

U_бЭ(мВ)

U_К=5В

U_бЭ(мВ)

2.4 Установить напряжение V1 = 5B. Температуру окружающей среды
Т = 60ºС.

Для установки температуры выбрать опцию Analysis options меню Analysis. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной Simulation temperature (TEMP) равное 60 degrees C (60ºС).

Снять одну входную характеристику I_б = ƒ(U_бЭ)|_t_{= 60}. Результаты измерений поместить в таблицу 1 строка 4.

Установить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС или 300ºК).

2.5 Снять семейство выходных (коллекторных) характеристик
I_К= ƒ (U_КЭ) (ток миллиамперметра М4 и вольтметра М3) при I_б = Const. Характеристика снимается следующим образом. Устанавливается ток базы, например, I_б=10мкА. Напряжение Uкэ (V1) изменяется от нуля до 20В как рекомендовано в таблице 2. Заполняется строчка, соответствующая току I_б = 10мкА. Ток базы устанавливается равным 20мкА и опыт повторяется. Результаты измерений занести в таблицу 2.

2.6 Снять одну выходную характеристику I_К= ƒ(U_КЭ) при температуре окружающей среды Т=60ºС и токе Iб=60мкА.

3. Обработка результатов измерений

3.1 Построить графики статических входных (базовых) и выходных (коллекторных) характеристик.

Примерный вид входной и выходной характеристик представлен на рис.3. Показано построение характеристических треугольников и получение приращений токов и напряжений DI и DU.

3.2 Определить параметр h₁₁ транзистора при нормальной (27ºС) и повышенной (60ºС) температурах.

Для определения параметра на средине линейного участка входной характеристики, соответствующей напряжению U_КЭ= 5В, построить характеристический треугольник. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 2 (100 и 60 мкА).

h₁₁= DU_бЭ/DI_б[кОм]_.

3.3 Определить входное сопротивление транзистора постоянному току
R_вх = U_бЭ/I_б для точки I_б = 60 мкА, U_КЭ= 5В, Т = 27ºС.

3.4 Определить параметр h₂₂при I_б= 60 мкА.

На линейном участке выходной характеристики, соответствующей току базы I_б= 60 мкА, построить прямоугольный треугольник, одна вершина совпадает с напряжением 15 В, другая с напряжением 5В. DU_КЭ = (15 – 5)В = 10В. Второй катет треугольника спроецировать на ось тока коллектора и аналогично определить DI_К.

h₂₂ = DI_К/DU_КЭ [Сим].

Таблица 2

ТºС

Uкэ(В)

0.1

0.2

0,5

I_К

I_б=10

I_б=20

Iб=40

Iб=60

Iб=80

I_К

Iб=40

3.5 Определить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току Ri = U_КЭ/I_Кдля точки U_КЭ= 5 В и I_б = 40мкА (*).

3.6 Определить параметр h₂₁при U_КЭ= 5 В.

Для этого при напряжении на коллекторе, равным 5 В, провести вертикальную прямую линию. Отметить точки пересечения линии с характеристиками, соответствующими I_б = 100 и I_б = 60 мкА. DI_б = 100 – 60 = 40мкА. Спроектировать точки на ось тока коллектора, получим токи Iк₁ и Iк₂. DI_К = Iк₂– Iк₁

h₂₁= DI_К/DI_б.

I_б мкА I_К мА

Uк=0 t=60 Uк=5B Iк₂ DI_б = (100 – 60) = 40мкА

100 DI_К I_б =80 мкА

DI_б I_б =60 мкА

60 Iк₁ DUкэ = (15 – 5)

I_б =40 мкА

Uбэ Uкэ

DU_бЭ мВ 5 15 20 В

Рис. 3 Примерный вид входной и выходной характеристик

4. Содержание отчета

Отчет по работе должен содержать следующие разделы:

· цель работы, справочные параметры исследуемого транзистора;

· схема исследования;

· таблицы с результатами измерений;

· графики входных и выходных характеристик с построенными на них характеристическими треугольниками;

· расчет h-параметров транзистора;

· выводы по результатам работы.

Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 13; Мы поможем в написании вашей работы!
Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 123 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!