Комбинированные транзисторы
По основному полупроводниковому материалу
Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлические выводы, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы на основе кремния, германия, арсенида галлия.
Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок[3], о графеновых полевых транзисторах.
По структуре
Транзисторы | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Биполярные | Полевые | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
p-n-p | n-p-n | С p-n-переходом | С изолированным затвором | ||||||||||||||||||||||||||||||||
С каналом n-типа | С каналом p-типа | Со встроенным каналом | С индуцированным каналом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.
|
|
- Биполярные
- n-p-n структуры, «обратной проводимости».
- p-n-p структуры, «прямой проводимости»
В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами. Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через pn переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко проникают через другой pn переход между базой и коллектором, ускоряясь при этом. В самой базе носители заряда движутся за счет диффузионного механизма, поэтому база должна быть достаточно тонкой. Управления током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которой зависят условия инжекции носителей заряда в базу.
|
|
- Полевые
- с p-n переходом
- с изолированным затвором
В полевом транзисторе ток протекает от истока до стока через канал под затвором. Канал существует в легированном полупроводнике в промежутке между затвором и нелегированной подложкой, в которой нет носителей заряда, и она не может проводить ток. Преимущественно под затвором существует область обеднения, в которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Таким образом ширина канала ограничена пространством между подложкой и областью обеднения. Приложенное к затвору напряжение увеличивает или уменьшает ширину области обеднения и, тем самым, ширину канала, контролируя ток.
- Однопереходные
- Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)[ источник не указан 1245 дней ]
- Многоэммитерные транзисторы
- Баллистические транзисторы
- Одномолекулярный транзистор[4]
Комбинированные транзисторы
|
|
- Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RET s)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.
- Транзистор Дарлингтона — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.
- на транзисторах одной полярности
- на транзисторах разной полярности
- Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.
- Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами
По мощности
По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:
- маломощные транзисторы до 100 мВт
- транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт
- мощные транзисторы (больше 1 Вт).
По исполнению
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 26; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!