Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом
Структура в обоих типах полевых транзисторов с изолированным затвором одинакова: металл – окисел (диэлектрик) – полупроводник, то такие транзисторы еще называют МОП-транзисторами (метал – окисел – полупроводник) или МДП-транзисторами (металл – диэлектрик – полупроводник).
Устройство и принцип действия диодных тиристоров Тиристором называется полупроводниковый прибор с четырёхслойной структурой p-n-p-n.
Тиристоры изготавливаются на основе кремниевых пластинок с p-n-p-n структурой. Внешняя область p называется анодом, к ней подсоединяется «+» источника напряжения. Внешняя n-область называется катодом, к ней подсоединяется «-» источника напряжения. К p-области анода прилегает область с электронной проводимостью (её называют n-базой), за ней идёт область с дырочной проводимостью (p-база), а замыкает эту цепочку n-область катода.
Вольт-амперная характеристика тиристора Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению VG, подаваемому на первый p1-эмиттер тиристора.
Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения VG падает на коллекторном переходе П2, который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П1 и П2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.
|
|
|
При достижении напряжения VG, называемого напряжением включения Uвкл, или тока J, называемого током включения Jвкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 13; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!