Основа метода -вкл послед элемента в резонансн контур. Добиваясь услов резон, получ знач для расч L C R. Измер действующ знач эл-та.
Cx-паразитная емкость м/ду витками
iwCk+1/(iwLk+rk)=1/(iwLg+rg)
(iwLk+rk)/(iwCkrk+1-w^2CkLk)=iwLg+rg
При rg<<1
Lg=Lk/(1-w^2CkLk)
rg=rk/(1-w^2CkLk)
f0=1/2π√LkCk
Вывд-измер Lк надо делать многочастотн методом-измерять на 2, 3 частотах Lg и расчетным путем опред Lк(и Ск)
Аналогично у конденсаторов.
Резон метод-измер косвенные путем помеш измеряемого элемента в резонансн контур и путем установки резонанса добиваемся простых условий.
Измерение индуктивн-косвен метод.
V2-высокочаст вольтметр с Rвх↑ Свх↓(амплит вольтм с закрытым вход)
Метод: 1.устанавлив частоту(на котор Lg=Lk)
2.меняя емкость образц конденсатора, настраиваем в резонанс показан вольтметра(макс). Фиксируем С0
3.расчет 
4.добротность катушки – по V2/V1 или V1-const– V2-градуир в Q-это добротность контура! ≈Q2
Погрешности:
1.погрешность градуировки образц конденс
2.погр установки частоты генер
3.погр фиксации момента резонанса(завис от чувствит вольтметра, от добротн всего контура)
Метод пригоден для цепей с малыми потерями.
Измерение емкость-метод замещения
Подключ образц нагрузку с Q↑(ее индуктивность должна быть резонанс с Со)
Находим Со1. Затем подключ парал-но Сх(для малых Сх) и находим второй резонанс Со2
Сх=Со1-Со2
Для больших Сх
Сх=Со1Со2/Со2Со1
Tgδ опред расчетным путем изменения добротности Q1-Q2-меньше за счет потерь в Сх
Погрешн те же, ктоме установки частоты-она влияет только на расчет tgδ
Дата добавления: 2016-01-04; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!