Методы формирования рисунка в слоях
Вопросы к экзамену – 2016
Основные понятия. История и современность
1.1. Понятие «электронная компонентная база» и «технология электронной компонентной базы». Основные этапы развития электронной промышленности в РФ. Система электронной компонентной базы к моменту распада СССР. Современное состояние электронной компонентной базы в РФ. Федеральные, межгосударственные и межведомственные целевые программы, направленные на развитие электронной промышленности в РФ. Препятствия для развития отечественной микроэлектроники. (по информационно-аналитическому обзору ИКТ Герасименко Н.Н. (НИУ МИЭТ)).
1.2. Радиоэлектроника (понятие). Классическая электроника, «комбинированные» виды электроники: оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнитоэлектроника, МЭМС, наноэлектроника, молекулярная электроника, биоэлектроника (понятия). Закон Мура. Техпроцесс, способ производства, основные стадии химико-технологических процессов изготовления материалов электронной техники, технологический режим, параметры технологических процессов. Классификация процессов производства ЭКБ.
Физико-химические процессы в производстве ЭКБ.
2.1. Основные процессы в гетерогенных химико–технологических системах.Понятие гетерогенной физико-химической системы. Основные стадии гетерогенного физико-химического процесса. Процессы массопередачи: уравнение Фика, молекулярная и конвективная диффузия, движущая сила процессов массопередачи. Число Рейнольдса. Ламинарное и турбулентное течения. Процессы теплопередачи: уравнение Фурье.
|
|
|
2.2. Термодинамика физико-химических гетерогенных процессов: Первое, второе, третье начала термодинамики. Энтальпия. Закон Гесса и следствия из него. Энтропия.Правило фаз Гиббса.Термодинамический анализ, стадии процесса, лимитирующая стадия. Диффузионная, кинетическая, переходная области, скорость гетерогенных химических процессов. Активное состояние твердофазных реагентов и продуктов.
2.3. Поверхностные явления. Физическая и химическая адсорбция. Закон Генри для мономолекулярной адсорбции. Обменная абсорбция.
2.4. Фазовые диаграммы. Соединения и растворы. Типы твердых растворов. Понятие о фазовой диаграмме. Гомогенные и гетерогенные термодинамические системы. Однокомпонентные и многокомпонентные системы. Конгруэнтно и инконгруэнтно плавящиеся соединения. Виды фазовых диаграмм для двухкомпонентных систем. Фигуративная точка, линия ликвидуса и солидуса, конода. ФД бинарных систем с неограниченной растворимостью и максимумом или минимумом температуры плавления. ФД бинарных систем с ограниченной растворимостью. ФД с эвтектикой и перитектикой. ФД с химическими соединениями. Задача на определение фазового состава двухкомпонентной смеси.
|
|
|
Получение диэлектрических материалов и монокристаллов полупроводников для ЭКБ
3.1. Элементы теории образования новых фаз. Стадии процесса роста кристаллов. Устойчивость зародыша новой фазы. Гомогенное и гетерогенное образование зародыша новой фазы. Рост центров новой фазы. Виды поверхностей для роста (сингулярные и др.). Схемы роста кристаллов.
Условия получения из расплавов кристаллических и аморфных тел.
3.2. Методы получения монокристаллов: Классификация методов выращивания кристаллов. Выращивание кристаллов из жидкой фазы: из расплавов, растворов, методами зонной плавки. ННК – принцип метода, оборудование. Вытягивание из расплава - принцип метода, оборудование. Методы Багдасарова, Бриджмена, Стокаберга-Бриджмена, Вернейля, Киропулоса, Степанова, Чохральского - принцип метода, оборудование. Выращивание кристаллов из твердой и газовой фаз. Метод химической и химической транспортной реакции - принцип метода, оборудование.
Процессы технологии производства изделий электронной компонентной базы (ЭКБ)
4.1. Процессы нанесения вещества.
|
|
|
4.1.1. Эпитаксия, ее разновидности. Механизмы роста эпитаксиальных слоев. Эпитаксия из газовой фазы – принцип, методы, оборудование. Примесный фон установки и эффект автолегирования. Задача по подготовке оборудования к процессу эпитаксии.
4.1.2. Жидкофазная эпитаксия – принцип, методы, оборудование. Требования к металлу-растворителю. Способы создания пересыщения.
4.1.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия – принцип, методы, оборудование.
Формирование тонких пленок.
4.1.4.1 Классификация тонких пленок.Назначение диэлектрических слоёв. Материалы для диэлектрических слоёв. Способы формирования диэлектрических слоёв и оборудование (в том числе пленок стекла).
4.1.4.2. Назначение проводящих слоев. Материалы для проводящих слоев. Методы формирования проводящих слоёв и оборудование. Электрохимические методы формирования проводящих пленок. Задача на закон Фарадея для электролиза.
Процессы удаления вещества
4.3.1. Механизм разрушения хрупких тел. Резка полупроводникового слитка, шлифовка, полировка пластин - принцип, методы, оборудование. Контроль качества пластин. Задача на профиль поверхности.
4.3.2. Виды травления. Основные закономерности и параметры процесса травления. Жидкостное химическое травление. Основные виды жидких травителей для кремния. Задача на жидкостное травление.
|
|
|
4.3.3. Травление кремния в ПГС: механизм травления, составы ПГС, режимы травления. Локальное травление в ПГС. Лазерно-стимулированное травление в ПГС.
4.3.4. Сухое травление - принцип, методы, оборудование. Травление в индуктивно связанной плазме. БОШ-процесс. Задача на анизотропию травления.
Методы формирования рисунка в слоях
4.4.1.Классификация литографических процессов. Фотолитография, ее разновидности. Фоторезисты: виды фоторезистов; процессы, протекающие в фоторезистах на разных этапах технологического процесса фотолитографии; характеристики фоторезистов, требования к фоторезистам.
4.4.2.Оптические эффекты в процессе фотолитографии. Влияние длины волны экспонирующего излучения на разрешающую способность процесса. Технологический процесс фотолитографии, способы нанесения фоторезиста.
4.4.3.Электронная, ионно-лучевая, рентгеновская, импринт, АСМ – литография, альтернативные методы литографии.
Дата добавления: 2023-01-08; просмотров: 40; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!