Тема: Проверка исправности биполярных транзисторов.
Цель: Приобрести навыки по определению исправности полупроводниковых приборов при проведении наладочных работ.
ЛИТЕРАТУРА
7. С.Е. Васильев. Справочник по наладке электроустановок и электроавтоматики. Киев. «Наукова думка». 1972.
8. Р.М.Терещук. Справочник радиолюбителя. Киев. «Наукова думка».1989.
9. В.Н. Камнев. Пусконаладочные работы при монтаже электроустановок. М. Энергия. 1979.
Оборудование:
4. Лабораторный стенд "Проверка исправности полупроводниковых приборов и пассивных элементов электрических схем".
5. Ампервольтомметр Ц4360.
6. Мультиметр цифровой М830 BUZ.
КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимся типом проводимости p - и n - слоеви содержит два p - n -перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы следующих структур: p - n - p и n - p - n (рис. 1, а, б). Их условное обозначение на схемах электрических принципиальных показано на рис. 1, в, г. В качестве исходного материала для получения трехслойной структуры используют германий или кремний (германиевые и кремниевые транзисторы).
Трехслойная транзисторная структура типа p-n-p, выполненная по сплавной технологии, показана на рис. 1, д. Пластина полупроводника n-типа является основанием, базой (отсюда и название слоя) конструкции. Два наружных p-слоя создаются в результате диффузии в них акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев называется эмиттером, а другой - коллектором. Также называются внешние выводы от этих слоев. Р-n-переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором – коллекторным.
|
|
|
Проверка исправности p-n переходов биполярных транзисторов на пробой и обрыв производится поочередным подключением щупов омметра к эмиттерному и коллекторному переходам в прямом и обратном направлениях и основывается на свойстве p - n перехода обладать малым сопротивлением при прямом включении и большим сопротивлением при обратном включении.
Для проверки необходимо по справочнику выяснить цоколевку транзистора (расположение выводов базы, коллектора и эмиттера), материал кристалла – германий или кремний, а также знать структуру транзисторов (p-n-p или n-p-n).
При подключении p-n переходов исправного транзистора в прямом направлении их сопротивление должно быть в пределах 5 ÷ 500 Ом зависимости от мощности и материала кристалла.
При обратном включении p-n переходов их сопротивление должно быть не менее:
для германиевых транзисторов - де сятки ÷ сотни кОм;
|
|
|
для кремниевых транзисторов - сотни МОм ÷ ∞.
Если в результате измерений обнаружится, что хотя бы один из переходов имеет приблизительно одинаковое сопротивление при прямом и обратном включении или сопротивление переходов равно 0, то переход пробит.
Если переход в обоих направлениях обладает бесконечно большим сопротивлением, то он в обрыве (или полностью выгорел или отгорел контактный проводник внутри корпуса).
ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
8. Записать типы проверяемых транзисторов в таблицу 1 (см. табл.1 Приложений) в зависимости от порядкового номера студента по журналу.
- По справочнику найти эскизы конструкции транзисторов, схематично зарисовать их и на рисунке указать расположение выводов базы, эмиттера и коллектора.
- По справочнику определить материал кристалла транзистора и его структуру и занести в таблицу 1.
- Определить исправность транзисторов, измерив сопротивление их p-n переходов в прямом и обратном направлениях. Данные измерений занести в таблицу 1.
Таблица 1
Данные проверяемых транзисторов
|
|
|
| Тип, структура и материал кристалла проверяемых транзисторов | (ТИП) | (ТИП) | ||||||
| ( p - n - p или n - p - n ) | ( p - n - p или n - p - n ) | |||||||
| (кремниевый или германиевый) | (кремниевый или германиевый) | |||||||
|
Сопротивление p-n перехода (0, ом, кОм , ∞) | Эмиттерный переход | Коллекторный переход | Эмиттерный переход | Коллекторный переход | ||||
| Rпр | Rобр | Rпр | Rобр | Rпр | Rобр | Rпр | Rобр | |
| Состояние p-n перехода (в норме, обрыв, пробой, частичный пробой) |
|
|
|
| ||||
| Исправность транзистора (исправен, неисправен) |
|
| ||||||
- Сделать вывод по результатам работы.
- Письменно ответить на контрольные вопросы.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
5. Приведите условные графические обозначения транзисторов p-n-p и n-p-n структур.
- Какие виды неисправностей p-n переходов биполярных транзисторов Вы знаете?
7. В кремниевом транзисторе сопротивление эмиттерного перехода Rпр = 80 Ом; Rобр = ∞, сопротивление коллекторного перехода Rпр = 180 Ом; Rобр = 200 Ом . Исправен или неисправен транзистор и почему?
|
|
|
Разработал преподаватель В.И. Воронцов
ПРИЛОЖЕНИЯ
Таблица 1
| № вар. | Проверяемые транзисторы | |
| 61. | КТ315Б, КТ805А | |
| 62. | МП26Б, КТ838А | |
| 63. | КТ361В, П214Г | |
| 64. | КТ605А, П216А | |
| 65. | МП40А, КТ808А | |
| 66. | КТ601А, П701 | |
| 67. | МП16А, КТ805БМ | |
| 68. | 2Т201А, КТ604Б | |
| 69. | 2Т312Б, КТ819Г | |
| 70. | МП25, КТ801Б | |
| 71. | КТ315БГ, ГТ402Б | |
| 72. | КТ315Б, КТ805А | |
| 73. | МП26Б, КТ838А | |
| 74. | КТ361В, П214Г | |
| 75. | КТ605А, П216А | |
| 76. | МП40А, КТ808А | |
| 77. | КТ601А, П701 | |
| 78. | МП16А, КТ805БМ | |
| 79. | 2Т201А, КТ604Б | |
| 80. | 2Т312Б, КТ819Г | |
| 81. | МП25, КТ801Б | |
| 82. | КТ315БГ, ГТ402Б | |
| 83. | КТ315Б, КТ805А | |
| 84. | МП26Б, КТ838А | |
| 85. | КТ361В, П214Г | |
| 86. | КТ605А, П216А | |
| 87. | МП40А, КТ808А | |
| 88. | КТ601А, П701 | |
| 89. | МП16А, КТ805БМ | |
| 90. | 2Т201А, КТ604Б |
Дата добавления: 2022-06-11; просмотров: 27; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!