Общие сведения о полупроводниковых диодах

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2

К свойствам p-n перехода относятся: односторонняя проводимость, нелинейность вольтамперной характеристики, наличие участка вольтамперной характеристики, обладающего отрицательным сопротивлением, резкое возрастание обратного тока при электрическом пробое, существование емкости p-n перехода. В зависимости от того, какое из свойств p-n перехода используется, полупроводниковые диоды могут быть применены для целей выпрямления, детектирования, преобразования, усиления и генерирования электрических колебаний, а также для стабилизации напряжения в цепях постоянного тока и в качестве переменных реактивных элементов.

Применение полупроводниковых диодов для тех или иных целей определяет требования, предъявляемые к его характеристикам, к величинам преобразуемых мощностей, токов и напряжений. Эти требования могут быть удовлетворены с помощью соответствующего выбора материала, из которого изготовляется диод, технологией изготовления p-n перехода и конструкцией диода.

В соответствии с этим полупроводниковые диоды разделяются на ряд основных типовых групп. Существующая классификация подразделяет полупроводниковые диоды следующим образом:

- по назначению (выпрямительные, детекторные, преобразовательные, стабилитроны, варикапы и др.);

- по частотным свойствам (низкочастотные, высокочастотные, СВЧ);

- по типу перехода (плоскостные, точечные);

- по исходному материалу (германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые и т.д.).

Кроме того существует разделение полупроводниковых диодов внутри одной группы в соответствии с электрическими параметрами. Кроме специфических параметров, характеризующих данную типовую группу, существуют параметры общие для всех полупроводниковых диодов независимо от их специального назначения. К ним относятся: рабочий интервал температур, допустимое обратное напряжение, допустимый выпрямленный ток, допустимая мощность рассеивания.

Некоторые параметры диодов представлены в следующей таблице:

Параметры	Диод
Параметры	Д220	Д226	Д311
Максимальный средний прямой ток	50 mA	300 mA	40 mA
Максимальный обратный ток	1 µA	50 µA	100 µA
Постоянное прямое напряжение при прямом максимально допустимом токе	1,5 В	1В	0,4 В
Максимально допустимое обратное напряжение	50 В	200-400 В	30 В

Лабораторные задания:

1. С помощью омметра проверить исправность исследуемого полупроводникового диода. Определить выводы диода.

2. Снять по точкам и построить в тетрадях в одних координатных осях вольтамперные характеристики кремниевого и германиевого диодов для случаев, когда максимальный ток через диод не превышает максимально допустимого. Уметь объяснять полученные результаты и различия между графиками, полученными экспериментально и графиками, полученными с помощью расчётов (см. задание на стр.2).

Литература:

1. Иноземцев В.А., Иноземцева С.В. Введение в электронику. - Брянск: Изд-во БГПУ, 2001. - 150 с.

2. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт, 1998. – 400 с.

3. Гершензон Е.М. и др. Радиотехника: Учеб. пособие для ст-в физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Е.М. Гершензон, Г.Д. Полянина, Н.В. Соина. - М.: Просвещение, 1986. - 319 с.

4. Жеребцов И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. – 352 с.

5. Основы промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. спец. вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский, В.В. Сухоруков; Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высш. шк., 1986. - 336 с.

6. Ляшко М.Н. Радиотехника: Лаб. практикум. - Мн.: Выш. школа, 1981. - 269 с.

7. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие для вузов. - М.: Радио и связь, 1985. - 488 с.

8. Д.В. Погодин Исследование полупроводниковых диодов (EWB) Методические указания к лабораторной работе №416 (EWB) по курсу “Электротехника и электроника” Казань – 2004; (Казанский Государственный Технический Университет им. А.Н. Туполева).

9. Коваленко А.П., Симукова С.В. Лабораторный эксперимент по исследованию ВАХ полупроводниковых диодов // Проблемы учебного физического эксперимента. вып. 30. - тезисы 25 всероссийской научно-практической конференции «Учебный физический эксперимент. Актуальные проблемы. Современные решения»

10. Мякишев Г.Я. Физика. 10 класс: учеб. для общеобразоват. организаций: базовый и углубл.уровни / Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский; под ред. Н.А.Парфентьевой. – М.: Просвещение, 2019. – 432 с.

11. https://urok.1sept.ru/articles/595005

12. http://ftemk.mpei.ac.ru/ctl/pubs/etm_re/metalsf/10.05.htm

13. Инструкции к измерительным приборам.

Дата добавления: 2021-11-30; просмотров: 23; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 12

Мы поможем в написании ваших работ!