Как по ВАХ диода определить прямой ток и обратное напряжение?
Каковы основные параметры биполярного транзистора и их ВАХ
Параметры биполярного транзистора
К основным параметрам транзистора относятся:
Статический коэффициент усиления по току:
B = Iк / Iб
Его величина находится а пределах 50…250
Дифференциальный коэффициент усиления по току: 
при Uкэ = const
Статический коэффициент передачи тока эмиттеру: 
Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттеру: 
Коэффициенты α0 и α практически одинаковы. Их значения находятся в пределах 0,9…0,998 и являются функциями температуры и напряжения Uкэ
Дифференциальное выходное сопротивление: 
при Uбэ = const
Дифференциальное входное сопротивление: 
при Uкэ = const
Входная характеристика биполярного транзистора – это зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер Uкэ: Iб = f (Uбэ) Uкэ = const.
Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ при фиксированном токе базы: Iк =f (Uкэ) I б = const
Биполярные транзисторы и физические процессы в активном режиме их работы.
Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки. Этим он отличается отуниполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда.
|
|
|
В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы: инжекция, диффузия, рекомбинация и экстракция.
Рассмотрим р-n переход эмиттер - база при условии, что длина базы велика. В этом случае при прямом смещении р-n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Закон распределения инжектированных дырок рn(х) по базе описывается следующим уравнением:
Процесс переноса инжектированных носителей через базу - диффузионный. Характерное рас-стояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения -диффузионная длина Lp. Поэтому, если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Это условие - W <Lp, является необходимым для реализации транзисторного эффекта - управление током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинированных основных носителей в базе через внешний контакт должны подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы - это рекомбинационный ток.
|
|
|
Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое по-ле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экстрагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса:
· инжекция из эмиттера в базу;
· диффузия через базу;
· рекомбинация в базе;
· экстракция из базы в коллектор.
Дата добавления: 2018-02-18; просмотров: 600; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!