Порядок получения патента на селекционное достижение.



Первая стадия: подача заявителем заявки на выдачу патента.

Вторая стадия: предварительная экспертиза заявки. Со дня подачи заявки и до даты выдачи заявителю патента на селекционное достижение предоставляется временная правовая охрана. Экспертиза достижения на предмет соответствия критерию новизны проводится только по ходатайству любого заинтересованного лица.

Третья стадия: испытания селекционного достижения. Испытания проводятся на предмет соответствия критериям отличимости, однородности и стабильности достижения.

Четвертая стадия: решение о выдаче патента. Данное решение принимается в случае положительного результата как проведенных испытаний, так и проведенных экспертиз.

Пятая стадия: государственная регистрация селекционного достижения и выдача патента.

Шестая стадия: публикация сведений о решении, принятом по заявке.

Патентообладатель обязан поддерживать признаки селекционного достижения. При утрате селекционным достижением признаков, которые ведут к несоответствию критериям однородности и стабильности, действие патента прекращается досрочно.

 

Глава 31. Право на топологию интегральных микросхем. Право на секрет производства (ноу-хау)

 

Право на топологию интегральных микросхем

 

1. Определение. Интегральная микросхема (ИМС) - микроэлектронное изделие, которое предназначено для выполнения функций электронной схемы, элементы и связи которого нераздельно сформированы в объеме и (или) на поверхности материала.

2. Объект интеллектуальных прав: топология ИМС, т.е. зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

3. Условия правовой охраны:

1) оригинальность топологии (творческий характер деятельности автора);

2) новизна (неизвестность специалистам в области разработки топологий ИМС на дату создания).

Знак охраны и возможность государственной регистрации.

Для оповещения о принадлежности исключительного права используется прописная буква "Т", выделенная каким-либо образом, дата начала срока действия исключительных прав и информация о правообладателе.

Для возникновения, осуществления и защиты прав регистрации топологии ИМС не требуется. Однако правообладатель может по своему желанию зарегистрировать топологию ИМС в Роспатенте (в срок не позднее двух лет со дня первого использования топологии).

По результатам формальной экспертизы при условии уплаты пошлины: а) топология вносится в Реестр топологий интегральных микросхем, б) заявителю выдается свидетельство о государственной регистрации топологии, в) сведения о зарегистрированной топологии публикуются.

5. Интеллектуальные права на топологию ИМС:

Право авторства.

Иные права (право на регистрацию топологии, право на получение вознаграждения за служебную топологию и за топологию, созданную по договору и др.).

Исключительное право - использование топологии ИМС действиями, направленными на извлечение прибыли, в частности:

а) воспроизведение топологии в целом или ее оригинальной части путем включения в ИМС либо иным образом.

б) введение в гражданский оборот:

- самой топологии;

- ИМС, в которую включена эта топология;

- изделия, включающего в себя такую ИМС.

6. Не является нарушением исключительного права:

1) Использование топологии ИМС в личных целях, не преследующих получение прибыли, а также в целях оценки, анализа, исследования или обучения.

2) Распространение ИМС с топологией, ранее правомерно введенной в гражданский оборот.

3) Использование незаконно воспроизведенной топологии ИМС, если лицо, совершающее такие действия, не знало и не должно было знать о незаконности воспроизведения.

После получения уведомления о незаконном воспроизведении топологии указанное лицо может использовать наличный запас изделий, т.е. изделия, заказанные до момента уведомления. При этом указанное лицо обязано выплатить правообладателю компенсацию за использование топологии.


Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 1387; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!