Лучшими усилительными свойствами по току обладает схема
Задания по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов (свободное посещение) С 30 марта по 4 апреля.
Гр.2то 01
1. Оформление отчета по лабораторной работе №12. (Данные к лабораторной работе см. на странице В Контакте)
2. Самостоятельное изучение и конспектирование темы «Тиристоры. Работа, ВАХ, маркировка, применение»
Технический диктант по теме: «Тиристор»
1. Чем отличается по конструкции тиристор от выпрямительного диода?
2. Как классифицируются тиристоры по способу управления?
3. Укажите номинальный ток (макс.) тиристоров в открытом и номинальное напряжение (макс.) в закрытом состояниях.
4. Укажите основное сходство и различие между ВАХ тиристора и выпрямительного диода.
5. Опишите область применения тиристоров.
Гр.2то 02к
1. Самостоятельное изучение и конспектирование темы «Биполярные и полевые транзисторы. Характеристики транзисторов, параметры, маркировка»
2. Оформление отчета по лабораторной работе №12. (Данные к лабораторной работе см. на странице В Контакте)
Технический диктант по теме: «Транзистор»
1) Чем отличается по конструкции транзистор от выпрямительного диода?
2) Как классифицируются транзисторы?
3) Как называются электроды у разных типов транзисторов?
4) Чем отличаются биполярные транзисторы от полевых транзисторов?
5) Опишите область применения различных видов транзисторов.
Гр.2т-85
1. Самостоятельное изучение и конспектирование темы "Нереверсивный и реверсивный магнитный пускатель. Схемы автоматики"
|
|
|
2. Оформление отчета по лабораторной работе №10
Гр. 2т 87к
1. Самостоятельное изучение и конспектирование темы «Приборы с внешним и внутренним фотоэффектом. Фотодиоды. Фототранзисторы. ФЭУ»
2. Самостоятельное изучение и конспектирование темы "Интегральные микросхемы Применение и перспективы развития ИС"
Контрольные вопросы:
1.Простейший диод ─ это
а) один p-n переход
б) два p-n перехода
в) три p-n перехода
У плоскостных диодов сопротивление в прямо смещенном состоянии
а) такое же, как у точечного диода
б) больше, чем у точечных диодов
в) меньше, чем у точечных диодов
Кремниевый стабилитрон предназначен для
а) преобразования переменного напряжения в постоянное
б) преобразования постоянного напряжения в переменное
в) преобразования высокочастотного сигнала в низкочастотный
г) стабилизации постоянного напряжения
д) стабилизации переменного напряжения
В основу работы опорного диода положено явление
а) фотоэлектронной эмиссии и управляемый электрический
пробой в p-n переходе
б) холодной эмиссии и управляемый тепловой пробой в p-n переходе
|
|
|
в) холодной эмиссии и управляемый электрический пробой в p-n переходе
г) холодной эмиссии и управляемый туннельный пробой в p-n переходе
При проектировании электронных устройств на полупроводниковых
Кремниевых диодах можно не учитывать
а) тепловой ток
б) ток термогенерации
в) ток рекомбинации
г) диффузионный ток
Принципиальное отличие транзистора структуры n-p-n от структуры p-n-p определяется типом
а) носителей
б) количеством p-n-переходов
в) источников питания
г) проводимости
В транзисторах n-p-n-структуры основными носителями являются
а) дырки
б) электроны
в) позитроны
г) нейтроны
В транзисторах p-n-p структуры основными носителями являются
а) нейтроны
б) электроны
в) позитроны
г) дырки
9.Чтобы ток базы был наименьшим, её делают
а) тонкой и сильно легируют примесью
б) массивной и сильно легируют примесью
в) тонкой и слабо легируют примесью
г) массивной и слабо легируют примесью
Коллекторный переход (КП) обычно делают более массивным, чем
Эмиттерный, потому что
а) коллекторный ток самый большой в транзисторе
б) через КП течёт ток примерно равный току эмиттера, но он течёт через
|
|
|
большое сопротивление обратно смещенного КП и под действием напряжения большего, чем на ЭП
в) через КП текут токи неосновных носителей, за счёт которых сильно
возрастает мощность, рассеиваемая на р- n -переходе
В основу классификации схем включения транзистора положен тот
Электрод, который будет
а) расположен на входе усилителя
б) расположен на выходе усилителя
в) общим для входной и выходной цепей
г) под положительным потенциалом относительно земли
д) под отрицательным потенциалом относительно земли
12.Схема на транзисторе с ОЭ ─ это схема
а) с базовым управлением
б) с коллекторным управлением
в) с эмиттерным управлением
Лучшими усилительными свойствами по току обладает схема
а) ОЭ б) ОБ в) ОК
Дата добавления: 2021-04-15; просмотров: 59; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!