К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Петербургский государственный университет путей сообщения
Императора Александра I »
(ФГБОУ ВО ПГУПС)
Санкт-Петербургский техникум железнодорожного транспорта –
Структурное подразделение ФГБОУ ВО ПГУПС
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
и контрольные задания
для обучающихся
по заочной форме обучения
по учебной дисциплине Электронная техника
1 курс
Санкт-Петербург
2019
ЗАДАНИЕ НА КОНТРОЛЬНУЮ РАБОТУ
Таблица 1 - Номера вопросов и задач для контрольной работы
Задачи № 1-10
Пользуясь вольтамперными характеристиками полупроводниковых диодов, приведенными на рисунках 1 и 2, определите сопротивление постоянному току при приложении прямого напряжения Uпр и обратного напряжения Uобр. для двух заданных значений температуры t1 и t2.
Рис. 1 Вольтамперные характеристики полупроводникового диода № 1
Рис. 1 Вольтамперные характеристики полупроводникового диода № 1
Поясните влияние температуры на параметры диода. Приведите систему обозначений слаботочных и силовых полупроводниковых диодов. Перечислите основные параметры выпрямительных диодов, приведя их буквенные обозначения.
Исходные данные к задаче приведены в таблице 2.
Задачи № 11-20
Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если обратное повторяющееся напряжение диода составляет Uповт., максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами Uобр.мах.
|
|
|
Определите величину обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов равны rобр1, rобр2, rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах.
Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если предельный прямой ток одного диода составляет Iпред, а ток нагрузки – Iн.
Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.
Исходные данные к задаче приведены в таблице 3.
Таблица 3 – Исходные данные к задачам 11 - 20
Вопрос 21. Поясните физические процессы в электронно-дырочном
(p-n) переходе при отсутствии внешнего напряжения и при подключении источника внешнего напряжения в прямом и обратном направлениях. Ответ сопроводите вольтамперной характеристикой p-n перехода.
Вопрос 22. Поясните принцип устройства штыревых и таблеточных полупроводниковых диодов. Приведите классификацию полупроводниковых диодов, примеры маркировки различных типов диодов (с пояснениями).
|
|
|
Вопрос 23. Поясните устройство и принцип действия биполярного транзистора. Поясните классификацию транзисторов. Начертите схему включения транзистора типа p-n-p с общим эмиттером, покажите на схеме направление токов в цепях транзистора. Поясните достоинства и недостатки заданной схемы.
Вопрос 24. Поясните систему h-параметров транзистора. Опишите графический способ определения h-параметров. Поясните особенности работы биполярного транзистора в режиме переключения.
Вопрос 25. Поясните принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Опишите физические процессы, происходящие в полевом транзисторе. Начертите схему включения, условные графические обозначения, выходные характеристики. Приведите пример конструкции биполярного транзистора с изолированным затвором.
Вопрос 26. Поясните принцип устройства МДП-транзисторов с собственным каналом n-типа и с индуцированным каналом p-типа. Начертите их условные графические обозначения и выходные характеристики. Поясните режимы работы транзисторов.
|
|
|
Вопрос 27. Поясните устройство силового триодного тиристора. Поясните физические процессы в тиристоре. Начертите его структуру, вольтамперные характеристики, схемы включения. Укажите область применения. Приведите пример структуры и схем включения запираемых тиристоров.
Вопрос 28. Поясните принцип устройства и действия фотодиода, фоторезистора, фототранзистора. Начертите схемы включения заданных приборов. Укажите область применения.
Вопрос 29. Поясните классификацию и принцип действия полупроводниковых излучателей. Укажите основные параметры и области применения.
Вопрос 30. Приведите классификацию оптронов. Поясните устройство диодной оптопары, принцип действия, разновидности конструкции. Укажите область применения.
Задачи № 31-40
1. Начертите схему резисторного каскада усилителя на транзисторе типа
p-n-p с делителем напряжения R1, R2 во входной цепи и с эмиттерной стабилизацией режима работы. Поясните назначение элементов схемы. Укажите на схеме направления токов.
2. При заданном напряжении источника питания коллекторной цепи Eк и тока коллектора каскада Iк рассчитайте сопротивления резисторов Rк, Rэ и делителя напряжения R1, R2. Определите емкость конденсатора Сэ. Положение рабочей точки задается напряжением смещения U0бэ и током покоя базы I0б. Входное сопротивление транзистора принимается равным Rвх.э; полоса усиливаемых частот fн …fв.
|
|
|
3. По результатам расчетов подобрать резисторы по справочному материалу. Исходные данные для расчета указаны в таблице 4.
Таблица 4 – Исходные данные для расчета усилителя
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
Дата добавления: 2020-11-15; просмотров: 35; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!