Схема включения транзистора с общим коллектором
Схема включения транзистора с общим коллектором и распределение токов в его структуре приведены на рис. 6.14.
Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК) имеет следующие семейства характеристик:
– выходные IЭ = f (UЭК) при постоянном значении тока базы IБ = const;
– входные IБ = f (UБК) при постоянном напряжении UЭК = const.
Характеристики схемы с общим коллектором схожи с характеристиками схемы с общим эмиттером, так как они снимаются при условии RК = RЭ = 0.
Рис. 6.14. Распределение токов в схеме включения транзистора
с общим коллектором
Схемы включения транзистора как усилителя
Электрических сигналов
Одна из основных областей применения биполярного транзистора - усиление электрических сигналов. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, подают на два каких-либо электрода, и с двух электродов схемы снимают усиленный сигнал. В усилительных схемах биполярные транзисторы работают в активном режиме, напряжения на их выводах содержат постоянную и переменную составляющие.
6.6.1. Схема включения транзистора с общей базой
Схема включения транзистора с общей базой как усилителя сигналов приведена на рис. 6.15. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь эмиттера, сопротивление нагрузки Rн – в цепь коллектора.
Рис. 6.15. Схема включения транзистора с общей базой
|
|
|
как усилителя сигналов
6.6.2. Схема включения транзистора с общим эмиттером
Схема включения транзистора с общим эмиттером как усилителя сигналов приведена на рис. 6.16. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки Rн – в цепь коллектора.
Рис. 6.16. Схема включения транзистора с общим эмиттером
6.6.3. Схема включения транзистора с общим коллектором
Схема включения транзистора с общим коллектором как усилителя сигналов приведена на рис. 6.17. Источник сигнала (ИС) в этой схеме включается в цепь базы, сопротивление нагрузки Rн – в цепь эмиттера.
Рис. 6.17. Схема включения транзистора с общим коллектором
Используя статические характеристики транзистора, можно определить важные параметры основных схем включения транзистора.
Свойства схем усиления на транзисторах определяются коэффициентами усиления по току kI, напряжению kU, мощности kP и значением сопротивлений входной Rвх и выходной Rвых цепей.
Эти параметры могут быть определены экспериментально и рассчитаны по характеристикам с помощью следующих выражений:
(6.10) 
(6.13)
|
|
|
(6.11) 
(6.14)
; (6.12)
Значения параметров можно представить в виде таблицы (табл. 6.1).
Таблица 6.1
Параметры основных схем включения транзисторов
| Параметры | Схема с общей базой | Схема с общим эмиттером | Схема с общим коллектором |
| Rвх | Единицы – десятки Ом | Сотни Ом – единицы кОм | Десятки – сотни кОм |
| Rвых | Сотни кОм –единицы МОм | Единицы – десятки кОм | Сотни Ом – единицы кОм |
| kI | Немного меньше 1 (a = 0,92-0,999) | Десятки – сотни (b = 10-1000) | Десятки – сотни |
| kU | Десятки – сотни | Десятки – сотни | Немного меньше 1 |
| kP | Десятки – сотни | Десятки – сотни тысяч | Десятки – сотни |
Дата добавления: 2020-04-25; просмотров: 92; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!