Задание 6. Электрический ток в вакууме. Диод



1. Что называется термоэлектронной эмиссией?

2. Что называют вакуумом?

3. Основное свойство вакуумного диода.

4. Какой вид имеет вольтамперная характеристика?

5. Почему при достаточно высоком напряжении ток достигает насыщения, т.е. не увеличивается?

6. Какова причина нелинейности вольтамперной характеристики?

7. Каким способом можно избавится от тока насыщения?

8. Цель применения вакуумного диода.

9. Устройство вакуумного диода.

КОД ОТВЕТ КОД ОТВЕТ
А баллон из стекла, два электрода, спираль, сетка. И для выпрямления переменного тока
Б для управления электронным пучком. К односторонняя проводимость
В применить электронную лампу с оксидным катодом Л возникает поле пространственного заряда электронного облака у катода, т.е. около катода возникает тормозящее действие электронного облака.
Г баллон из стекла или металлокерамики, два электрода. М вылет свободных электронов из металла при его нагревании.
Д все электроны, покинувшие катод, попадают на анод и при дальнейшем увеличении напряжения сила тока не меняется. Н концентрация воздуха, при которой молекулы успевают пролететь от одной стенки сосуда до другой, не испытав соударений друг с другом.
Е применять электронную лампу с катодом из чистого металла. О некоторые вещества, бомбардируемые электронами, светятся.
Ж создает излучение П создает магнитное поле
З Р

Задание 7. Полупроводниковые приборы

1. Как называется контакт полупроводников разного типа?

2. Что такое запирающий слой?

3. Почему в переходном слое возникает контактная разность потенциалов?

4. Устройство полупроводникового диода?

5. Устройство полупроводникового триода (транзистора)?

6. Будет ли проходить через диод ток, если к нему приложено напряжение, как показано на рисунке 1?

7. Будет ли проходить через диод ток, если к нему приложено напряжение, как показано на рисунке 2?

8. Что такое термистор?

9. Что такое болометр?

КОД ОТВЕТ КОД ОТВЕТ
А р-типа Ж n-типа
Б p-n-переход З полупроводник n- и p-типа соединяются последовательно.
В полупроводниковый прибор для измерения энергии излучения. Его действие основано на изменении электрического сопротивления полупроводника при нагревании его за счет поглощаемого излучения. И Свободные электроны полупроводника р-типа разделены полупрооводником n-типа. В пограничном слое полупроводников появляются разноименные заряды...
Г два полупроводника р-типа разделены полупроводником n-типа(или наоборот); предназначен для усиления слабых электрических колебаний или для генерации электрических колебаний. К два полупроводника р-типа разделены полупроводником n-типа (или наоборот); предназначен для выпрямления переменного тока.
Д внешнее поле направлено в ту же сторону, что и задерживающее поле переходного слоя, т.е. задерживающее поле усиливается, а значит ток через диод практически не пойдет. Л внешнее поле направлено навстречу задерживающему полю переходного слоя, т.е. ослабляет его, а значит ток через диод пойдет.
Ж полупроводниковый прибор, действие которого основано на зависимости сопротивления от его температуры; предназначен для измерения температуры. М в пограничном слое между полупроводниками разного типа происходит взаимная диффузия электронов и дырок, благодаря чему в этом слое создаются избыточные разноименные заряды...
    Н тончайший слой на границе между полупроводниками n-типа и p-типа, обедненный подвижными носителями заряда.

 


Дата добавления: 2020-04-25; просмотров: 291; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!