ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК IGBTТРАНЗИСТОРА
Цель работы: изучение параметров IGBT транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «IGBT транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
|
|
Рисунок 16 – Схема исследования характеристик IGBT транзистора
Таблица 10 – Входная характеристика IGBT транзистора
| Uзэ, В | 0,55 | 0,69 | 0,83 | 0,99 | 1,1 | 1,2 | 1,4 | 1,6 | 1,8 |
| Iк, мА | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 11 | 13 | 14 |
Таблица 11 – Выходная характеристика IGBT транзистора
| Uзэ = 3В | Uзэ = 6В
| Uзэ = 9В
| |||
| Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА | Uкэ, В | Iк, мА |
| 3 | 0,1 | 0,5 | 0,85 | 0,5 | 1,0 |
| 6 | 0,69 | 1 | 11,0 | 1 | 13 |
| 9 | 1,0 | 1,5 | 28,0 | 1,5 | 27 |
Рисунок 17– Входная ВАХ IGBT транзистора
Рисунок 18 – Выходные ВАХ IGBT транзистора
Вывод: В данной работе изучила параметры IGBT транзистора. Построила входную и выходные ВАХ IGBT транзистора. Входная характеристика практически не зависит от напряжения Uкэ. Выходные характеристики почти прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения.
Лабораторная работа № 7
ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ IGBT ТРАНЗИСТОРА
Цель работы: изучение режимов работы и схем включения IGBT транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «IGBT транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 19 - Схемы включения IGBT транзистора: с общим эмиттером; с общим коллектором; с общим затвором
Таблица 12 – Исследование схем включения IGBT транзистора
|
|
|
| Схема включения | С общим эмиттером | С общим коллектором | С общим затвором |
| Uвх, В | 2 | 1 | 1 |
| Uвых ,В | 12 | 0 | 12 |
| Iвх, мА | 0 | 1 | 0 |
| Iвых , мА | 2 | 1 | 2 |
Рисунок 20 –Передаточная характеристика ( при R=100 Ом)IGBT транзистора
Вывод:В данной работе изучила схемы включения и режимы работы IGBT транзистора. IGBT-приборы являются компромиссным техническим решением, позволившим объединить положительные качества как биполярных (малое падение напряжения в открытом состоянии, высокие коммутируемые напряжения), так и MOSFET-транзисторов (малая мощность управления, высокие скорости коммутации). В то же время потери у них растут пропорционально току, а не квадрату тока, как у полевых транзисторов. Максимальное напряжение IGBT-транзисторов ограничено только технологическим пробоем и уже сегодня выпускаются приборы с рабочим напряжением до 4000 В. При этом остаточное напряжение на транзисторе во включенном состоянии не превышает 2…3 В.
Усилительные свойства IGBT-прибора характеризуются крутизной S, которая определяется усилительными свойствами МДП и биполярного транзисторов в структуре IGBT. Соответственно, значение крутизны для IGBT является более высоким в сравнении с биполярными и МДП транзисторами.
|
|
|
Лабораторная работа №8
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ДИНИСТОРА
Цель работы: ознакомление с принципом действия динистора, исследование его ВАХ.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Тиристор и динистор»;
- источник постоянного тока двухканальный;
- генератор функциональный типа GFG–8216 F;
- осциллограф двулучевой типа С1–96, С1–53, С1–131, С1–117.
Рисунок 21 - Схема исследования ВАХ динистора
а) Снимаю прямую ветвь ВАХ IGBT динистора Iпр= f(Uпр). Изменяя величину входного напряжения, записываю показания приборов PV1 и PA1, результаты заношу в таблицу 13.
Таблица 13 – Прямая ветвь ВАХ динистора
| Uпр, В | 1 | 3 | 5 | 6 | 0,76 | 0,8 | 0,87 | 0,83 | 0,7 |
| Iпр, мА | 0,01 | 0,04 | 0,09 | 4 | 14 | 26 | 63 | 45 | 9 |
| горение | не горит | не горит | горит слабо | горит ярко | горит ярко | не горит | не горит | не горит | не горит |
б) Снимаю обратную ветвь ВАХ IGBT динистора Iобр= f(Uобр), изменив полярность подключения.Изменяя величину входного напряжения, записываю показания приборов PV1 и PA1, результаты заношу в таблицу 14.
Таблица 14 – Обратная ветвь ВАХ динистора
| Uобр, В | 0,77 | 0,88 | 1 | 1,5 | 1,7 | 2 | 2,5 | 3 | 5,1 |
| Iобр, мА | 0,6 | 1 | 2 | 7 | 9 | 12 | 16 | 21 | 41 |
| горение | не горит | не горит | не горит | не горит | не горит | не горит | не горит | не горит | не горит |
|
|
|
По результатам измерений строю ВАХ динистора.
Рисунок 22 - ВАХ динистора
Вывод: В данной работе я ознакомилась с принципом действия динистора, исследовала и построила его ВАХ.
Время включения тиристоров обычно не более единиц микросекунд, время выключения, связанное с рекомбинацией носителей, доходит до десятков микросекунд. Поэтому тиристоры могут работать только на сравнительно низких частотах.
Лабораторная работа № 9
ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ТИРИСТОРА
Цель работы: изучение видов и принципов работы основных видов линейных стабилизаторов напряжения, исследование и сравнение характеристик различных типов стабилизаторов.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Тиристор и динистор»;
- источник постоянного тока двухканальный;
- генератор функциональный типа GFG–8216 F;
- осциллограф двулучевой типа С1–96, С1–53, С1–131, С1–117.
Рисунок 23 - Схема исследования ВАХ тиристора
Изменяя значение Uвх по показаниям амперметров PA1 и PA2 и вольтметра PV2 снимаю ВАХ тиристора, для одного фиксированного значения тока управления Iу=10 мА, результаты заношу в таблицу 15.
|
|
|
Таблица 15 – Прямая ветвь ВАХ тиристора
| Iу=10 мА | ||||||
| Uпр, В | 0,15 | 0,77 | 0,79 | 0,81 | 0,86 | 0,87 |
| Iпр, мА | 0 | 2 | 4 | 6 | 10 | 17 |
Загорание светодиода наблюдается с 4 мА и дальше горит ярко.
По результатам этих измерений построила ВАХ тиристора.
Рисунок 24 - ВАХ тиристора
Рисунок 25 – Схема исследования режимов работы тиристора
В качестве напряжения Uвхиспользую переменное синусоидальное напряжение, поданное с модуля питания частотой f=50 Гц и амплитудой 16 В. Изменяя величину постоянного управляющего напряжения Uу= 0,76 В, добиваюсь открывание тиристорапри Uвх=9,5 В,
Строю временные диаграммы Uвых=f(t).
Рисунок 26 - Временные диаграммы Uвых=f(t)
Вывод: В данной работе я ознакомилась с принципом действия тиристора, исследовала и построила его ВАХ.
Тиристоры находят широкое применение в радиосвязи, радиолокации, устройствах автоматики как управляющие ключи. Основным достоинством тиристоров, по сравнению с биполярными транзисторами, является возможность переключения короткими импульсами тока управляющего электрода ( меньшее потребление энергии в цепи управления). К недостаткам тиристоров следует отнести значительно большие времена переключения (единицы миллисекунд - сотни микросекунд).
Лабораторная работа №10
Дата добавления: 2020-01-07; просмотров: 421; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!