Дополнительные темы рефератов.

СПИСОК ТЕМ РЕФЕРАТОВ

Дисциплина: «Проблемы современной электроники»

Основные темы рефератов.

Тема 1. Технология аморфных полупроводников и их применение.

1. Способы получения аморфных полупроводников

2. Зонная схема аморфного полупроводника и природа дефектов.

3. Механизмы проводимости в аморфных полупроводниках.

4. Аморфный гидрогенизированный кремний и сплавы на его основе

5. Приборы на основе аморфных полупроводников

Литература:

1. Аморфные полупроводники. Под редакцией М.Бродского.М. , Мир,1982.

2 .Тонкие поликристаллические и аморфные пленки.Под редакциейЛ.Казмерски,М.,Мир,1983.

3 .Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией Й.Хамакавы.М.,Металлургия,1986.

4. Физика гидрогенизированного кремния Вып. 1, 2, Под ред. Дж.Джоунопулоса и Дж.Люковски.М. ,Мир,1987.

5 .Неупорядоченные полупроводники. Под ред. А.А.Айвазова. М., Изд-во МЭИи «Высшая школа»,1995.

Тема 3. Твердофазное сращивание, Smart Cut технология.

Применение ТПС для сращивания различных п/п материалов.

Литература:

1.G.Kostner, O.Brietenshtein, R.Scholz, M.Reiche “Compound semiconductor interfaces obtained by direct wafer bonding in hydrogen or forming gas” Journal of Material Science: Materials in Electronics 13 (2002) 593-595

2. Katsuaki Tanabe, Anna Fontcuberta i Morral, Harry A. Atwaterb, Daniel J. Aiken, Mark W. Wanlass. “Direct-bonded GaAs/InGaAs tandem solar cell”. Appl. Phys. Lett. 89, 102106 (2006).

Методы исследования границы раздела, сформированной в результате ТПС.

Литература :

1.“Characterization of Bonded Interface by HF Etching Method” In: Semiconductor Wafer Bonding: Science,Technology and Applications VII. Edited by C. 3.Hunt, H. Baumgart, S. Bengtsson, and T. Abe. Electrochemical Society, 2003. Pp. 70–75.

2. D. Buttard, J. Eymery, F. Rieutord, F. Fournel, D. Lubbert, T. Baumbach, H. Moriceau “Grazing incidence X-ray studies of twist-bonded Si/Si and Si/SiO₂ interface” Physica B: Condensed Matter, v.283, p. 103-107, 2000.

Изготовление SOI.

Литература :

1. “Silicon-on-Insulator Wafers with Buried Cavities” Journal of The Electrochemical Society, Vol. 153, No. 4, (2006), pp. G299–G303.

2. C. Hunt, H. Baumgart, S. Bengtsson, and T. Abe. “Mechanical Delamination for the

Materials Integration” Electrochemical Society, 2003. Pp. 359–367.

Изготовление 3D MEMS.

Литература :

1. Tommi Suni “Direct wafer bonding for MEMS and microelectronics” Technical editing Leena Ukskoski Otamedia Oy, Espoo, Finland 2006.

2. A .A. Ayon, X. Zhang, K.T. Turner, D. Choi, B. Miller, S.F. Nagle, S.M. Spearing “Characterization of silicon wafer bonding for Power MEMS applications” Sensors and Actuators A: Physical, v.103, p.1-8, 2003.

3. N. Mikia, X. Zhangb, R. Khannaa, A.A. Ayoґnc, D. Warda, S.M. Spearing “Multi-stack silicon-direct wafer bonding for 3D MEMS manufacturing” Sensors and Actuators A v.103, p.194–201, 2003.

Влияние микронеоднородности поверхности пластин на ТПС.

Литература :

1. C . Gui, M. Elwenspoek, N. Tas, and J. G. E. Gardeniers “The effect of surface roughness on direct wafer bonding, J. Appl. Phys., Vol. 85, No. 10, 15 May 1999, p.7448-7454.

2. K. Henttinen, T. Suni, A. Nurmela, M. Kulawski and I. Suni. “Mechanical Delamination for the Materials Integration”, Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications VII. 2003. Pp. 359–367.

3. Tommi Suni “Direct wafer bonding for MEMS and microelectronics” Technical editing Leena Ukskoski Otamedia Oy, Espoo, Finland 2006.

Тема 4. Детекторы ионизирующих излучений в науке и технике.

1. Сравнительные характеристики материалов, на основе которых изготавливаются

детекторы ядерных излучений.

2. Типы полупроводниковых детекторов ядерных излучений/

3. Проблема чистоты полупроводникового материала в полупроводниковых

детекторах ядерных излучений.

4. В чем причина популярности кремния как материала для детекторов излучений/

5. В чем преимущества и недостатки кремниевых детекторов ядерных излучений по

сравнению с их газовыми аналогами.

Тема 5. Термоэлектрические преобразователи энергии сегодня и завтра.

Термодинамические основы термоэлектричества.
Низкотемпературные термоэлектрики: составы, свойства и области применения.
Среднетемпературные термоэлектрики: составы, свойства и области их применения.
Термоэлектрические преобразователи: виды, конструкции и области применения.
Термоэлектрические охлаждающие устройства.
Термоэлектрические генераторы.

Тема 6. Физические основы криоэлектроники.

1. Получение жидкого гелия и открытие сверхпроводимости Камерлинг – Оннесом.

2. Основные свойства сверхпроводников (нулевое сопротивление, идеальный диамагнетизм).

3. Сверхпроводники 1 и 2 рода.

4. Открытие высокотемпературных сверхпроводников.

5. Туннелирование в сверхпроводниках.

6. Эффекты Джозефсона.

Литература.

В. С. Эдельман Вблизи абсолютного нуля

А. Роуз-Инс, Е. Родерик. Введение в физику сверхпроводимости.

В.В.Шмидт, Введение в физику сверхпроводников. Москва, МЦНМО, 2001.

Тема 8. Сверхширокополосная радиоэлектроника.

1. Применение СШП в радиолокации. Проблемы и перспективы.

2. Применение СШП в телекоммуникациях. Проблемы и перспективы..

3. Дрейфовые диоды и транзисторы с резким восстановлением..

4. Диодные лавинные обострители.

5. Применение новых материалов для создания формирователей сверхкоротких

импульсов.

Тема 12. Портативные источники тока в современной электронике.

1. Принципы построения DC-DC преобразователей напряжения и их применение в

современной портативной электронике.

Литература: http://en.wikipedia.org/wiki/DC-to-DC_converter

George C. Chryssis (1989). High Frequency Switching Power Supplies:

Theory and Design. McGraw-Hill. ISBN 0070109516.

2. Источники электропитания для портативной электроники. Исторический обзор и современные применения.

Дополнительные темы рефератов.

Тема 2 . Сканирующая зондовая микроскопия в нанотехнологии.

1. Сканирующая туннельная микроскопии (СТМ) – метод прямого контроля физических свойств чистых поверхностей материалов и приборных структур с атомным разрешением.

2. Атомно-силовая микроскопия (АСМ) – универсальный метод изучения физических свойств твердотельных наноструктур с нанометровым пространственным разрешением.

3. Изучение распределений электрических полей в полупроводниковых приборных структурах АСМ методом Кельвин микроскопии.

4. Процесс локального анодного окисления поверхностей полупроводников под зондом атомно-силового микроскопа: сущность, закономерности и применение в нанотехнологиях.

5. Диагностика поведения зарядов в нанотонких диэлектрических слоях методом локальной инжекции зарядов из зонда атомно-силового микроскопа.

Тема 7. Пористый кремний и его применение в кремниевой микрофотонике.

1. Пористый кремний. Механизм образования в процессе электрохимического травления. Типы и свойства пористого кремния.

2. Люминесценция пористого кремния. Расширение запрещенной зоны. Квантово-размерный эффект.

3. Области применения пористого кремния.

4. Макропористый кремний. Получение и применение.

5. Фотонные кристаллы. Основные понятия.

6. Кремниевая микро- и нано-фотоника. Ее задачи и основные функциональные элементы.

Тема 9. Магнитная и сегнетоэлектрическая память.

1. Состояние и перспективы развития репрограммируемой памяти, сохраняющей информацию при отключении питания.

2. Репрограммируемая память на принципах физической интеграции: направления развития.

3. Сегнетоэлектрическая память: физические основы, состояние разработок и перспективы развития.

4. Репрограммируемая память на магнитных носителях: физические основы, состояние разработок и перспективы развития.

5. Гигантский магниторезистивный эффект и перспективы его использования в устройствах быстродействующей репрограммируемой памяти.

Тема 10 . Современный дифракционный анализ структуры перспективных материалов электронной техники.

1. Структурные дефекты в полупроводниках и их влияние на свойства.

2. Дефекты в монокристаллическом кремнии, возникающие при росте и различных

технологических операциях (диффузия, ионное легирование, термический отжиг).

3. Неразрушающие дифракционные методы (рентгеновская топография и рентгеновская

дифрактометрия) исследования реальной структуры полупроводников.

4. Электронная мироскопия высокого разрешения в исследованиях полупроводниковых

структур.

5 Синтетические опалы и их применение для создания 3-х мерных кластерных структур.

Тема 11. Углеродные кластеры в новейшей наноэлектронике.

Автоэлектронная (полевая) эмиссия из углеродных наноструктур.

Механизм автоэлектронной эмиссии. Параметры материала, влияющие на автоэлектронную эмиссию. Характерные особенности автоэлектронной эмиссии из углеродных нганоматериалов.

Суперконденсаторы (ионисторы) на основе углеродных наноструктур.

Принцип работы суперконденсатора. Основные параметры материалы, влияющие на параметры суперконденсатора. Недостатки и преимущества углеродных наноструктур, используемых в суперконденсаторах.

Детонационные наноалмазы –углеродная структура для нанотехнологии.

Метод детонационного синтеза. Структура частицы детонационного наноалмаза. Области применения детонационных наноалмазов.

Особенности методов диагностики углеродных наноструктур.

Основные параметры углеродных наноструктур, которые должны быть определены при их диагностике.

Особенности спектроскопии комбинационного рассеяния света в углеродных наноструктурах. Основные методы диагностики углеродных наноструктур.

Тема 13 Диагностика приборных структур для электроники.

1. Принципы и аппаратура.

Литература:

1. Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников. Пучковые и плазменные процессы в планарной технологии. Санкт-Петербург, 2004, 110 с

2. Криштал М.М., Ясников И.С., Полунин В.И. и др. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического применения. М. Техносфера. 2009. 208 с

3. П.М. Кардона Основы физики полупроводников. — ФИЗМАТЛИТ, 2002. 560 с

2. Особенности диагностики наноразмерных структур и обьектов.

1. И.П. Суздалев. Нанотехнология. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. Издательство: Либроком. Серия: Синергетика: от прошлого к будущему. 2009 г.

2. Пул Ч. Оуэнс Ф. Нанотехнологии. Издательство. Техносфера. 2004 г.

3. Практическая диагностика солнечных элементов на основе a-Si:H.

1. А.В. Бобыль, М.Е. Бойко, В.П. Афанасьев, Е.И. Теруков. Диагностика материалов и структур микро и оптоэлетроники. Рентгеновская дифрактометрия и рефлектометрия структур на основе аморфного кремния. Пособие СПбГЭТУ. 2013 г.

2. Воробьев Л.Е., Ивченко Е.Л., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. Оптические свойства наноструктур. "Наука", С.-Петербург, 2001. 187 с.

Тема 14 . Широкозонные полупроводниковые соединения: прорыв в будущее.

Дата добавления: 2019-09-13; просмотров: 191; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

Мы поможем в написании ваших работ!