Справочник по полупроводниковым диодам

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2

Диод Uоб/Uимп В/В Iпр/Iимп А/А Uпр/Iпр В/А Cд/Uд пф/В Io(25)Ioм мкА/мкА Fmax кГц P Вт Корпус

`2Д101А`	`30/`	`0.02/0.3`	`1.0/0.1`		`5/25`			`57`
`КД102А` `КД102Б`	`250/250` `300/300`	`0.1/2` `0.1/2`	`1.0/0.05` `1.0/0.05`		`0.1/50` `3/50`	`4` `4`		`3` `3`
`КД103А` `КД103Б`	`50/` `50/`	`0.1/2` `0.1/2`	`1.5/0.5` `2.0/0.5`	`20/5` `20/5`	`0.4/10` `0.4/10`			`3` `3`
`КД104А`	`500/`	`0.01/1`	`1.0/0.01`		`3/100`	`20`		`3`
`КД105А` `КД105Б` `КД105В` `КД105Г`	`400/` `/400` `/600` `/800`	`0.3/15` `0.3/15` `0.3/15` `0.3/15`	`1.0/0.3` `1.0/0.3` `1.0/0.3` `1.0/0.3`		`100/300` `100/300` `100/300` `100/300`	`1` `1` `1` `1`		`25` `25` `25` `25`
`КД106А`	`100/100`	`0.3/3`	`1.0/0.3`		`10/100`	`30`	`0.75`	`4`
`ГД107А` `ГД107Б`	`15/` `20/`	`-` `0.0025`			`20/200` `100/`			`1` `1`
`2Д108А` `2Д108Б`	`800/800` `1000/1000`	`0.1/4.3` `0.1/4.3`	`1.5/0.1` `1.5/0.1`		`150/500` `150/500`	`1` `1`	`0.15` `0.15`	`5` `5`
`КД109А` `КД109Б` `КД109В`	`/100` `/300` `/600`	`0.3/` `0.3/` `0.3/`	`1.0/0.3` `1.0/0.3` `1.0/0.3`		`100/300` `100/300` `100/300`	`10` `10` `10`		`26` `26` `26`
`АД110А`	`30/50`	`0.01/0.05`	`1.5/0.01`	`3/`	`5/100`	`1000`		`20,21`
`КДС111А` `КДС111Б` `КДС111В`	`300/400` `300/400` `300/400`	`0.2/0.5` `0.2/0.5` `0.2/0.5`	`1.2/0.1` `1.2/0.1` `1.2/0.1`		`3/50` `3/50` `3/50`	`20` `20` `20`		`27` `27` `27`
`АД112А`	`50/`	`0.3/`	`3/0.3`		`100/300`			`22`
`ГД113А`	`115/`	`.015/.048`	`1/0.03`		`/250`			`1`
`2Д114А5` `2Д114Б5` `2Д114В5`	`75/100` `50/100` `30/75`	`0.2/2` `0.2/2` `0.2/2`	`1/0.05` `1/0.05` `1/0.05`		`2/` `2/` `2/`	`500` `500` `500`
`2Д115А1`	`100/`	`0.03/0.1`	`1.5/0.05`	`45/0`	`.001/0.03`			`41`
`КД116А1` `КД116Б1`	`100/` `50/`	`.025/0.11` `0.1/0.11`	`.95/.025` `1.0/.05`		`.001/0.05` `/0.01`		`.024` `.024`	`41` `41`
`2Д118А1`	`200/`	`0.3/10`	`1.2/0.3`		`0.05/2`			`78`
`2Д120А1`	`100/100`	`0.3/3`	`1.0/0.3`		`2/20`	`100`		`42`
`2Д121А`	`80/100`	`0.1/2`	`1.0/0.05`		`1/10`	`20`		`53`

Словари http://mirslovarei.com/content_bes/SHottki-Diod-71709.html

Варикап

Варикапы— это полупроводниковые диоды, в которых используется барьерная емкость p-n-перехода. Эта емкость зависит от приложенного к диоду обратного напряжения и с увеличением его уменьшается. Добротность барьерной емкости варикапа может быть достаточно высокой, так как она шунтируется достаточно высоким сопротивлением диода при обратном смещении.

Схематическое изображение варикапа приведено на рис.7,а, а его вольт-фарадная характеристика — на рис.7,б. Условное обозначение варикапа содержит из пять элементов. Первый элемент обозначает материал, из которого изготовлен варикап (К — кремний). Второй элемент обозначает принадлежность диода к подклассу варикапов (В — варикап). Третий элемент — цифра, определяющая назначение варикапа (1 — для подстроечных варикапов, 2 — для умножительных варикапов). Четвертый элемент — это порядковый номер разработки. И наконец, пятый элемент — соответствует разбраковке по параметрам. Так, например, на рис.7,б приведена характеристика варикапа КВ117А.

Теоретическое значение емкости варикапа можно определить по формуле:

где С0 — начальная емкость варикапа при Uв=0, Uв — напряжение на варикапе, yК — контакная разность потенциалов.
Основными параметрами варикапа являются: его начальная емкость С0 , добротность QC , коэффициент перекрытия по емкости КC . Добротность варикапа определяется отношением реактивной мощности варикапа Q к мощности Р:

Рис.7. Схематическое изображение варикапа ( а ) и зависимость емкости варикапа от обратного напряжения ( б )
Коэффициент перекрытия по емкости определяется как отношение максимальной емкости Сmaх варикапа к его минимальной емкости Сmin

Кроме этого, часто указывают температурный коэффициент емкости варикапа aC = DС/DT и предельную частоту fпред , при которой добротность варикапа снижается до Q=1. График зависимости добротности варикапа КВ117А от частоты приведен на рис.8.

Рис.8. График зависимости добротности варикапа КВ117А от частоты

Тангенс угла потерь

Тангенс угла потерь - отношение мнимой и вещественной части комплексной диэлектрической проницаемости.

Потери энергии в конденсаторе определяются потерями в диэлектрике и обкладках. При протекании переменного тока через конденсатор векторы напряжения и тока сдвинуты на угол , где — угол диэлектрических потерь. При отсутствии потерь . Тангенс угла потерь определяется отношением активной мощности P_а к реактивной P_р при синусоидальном напряжении определённой частоты. Величина, обратная , называется добротностью конденсатора. Термины добротности и тангенса угла потерь применяются также для катушек индуктивности и трансформаторов.

http://tre.kai.ru/rates/method/lab_416_2.htm

Высокочастотные (универсальные) и импульсные диоды применяют для выпрямления токов, модуляции и детектирования сигналов с частотами до нескольких сотен мегагерц. Импульсные диоды используют в качестве ключевых элементов в устройствах с микросекундной и наносекундной длительностью импульсов. Их основные параметры:

Максимально допустимые обратные напряжения U_{обр. mа}_х(U_{обр. и mа}_х) – постоянные (импульсные) обратные напряжения, превышение которых приводит к его немедленному повреждению.

Постоянное прямое напряжение U_пр – падение напряжения на диоде при протекании через него постоянного прямого тока I_пр – заданного ТУ.

Постоянный обратный ток I_обр — ток через диод при постоянном обратном напряжении (U_{обр мах}). Чем меньше I_обр , тем качественнее диод.

Емкость диода С_д — емкость между выводами при заданном напряжении. При увеличении обратного напряжения (по модулю) емкость С_д уменьшается.

При коротких импульсах необходимо учитывать инерционность процессов включения и выключения диода. Оно характеризуется:

1) Время установления прямого напряжения на диоде (t_уст ) – время, за которое напряжение на диоде при включении прямого тока достигает своего стационарного значения с заданной точностью (рис.1.8).

Это время связанно со скоростью диффузии и состоит в уменьшением сопротивления области базы за счёт накопления в ней неосновных носителей заряда инжектируемых эмиттером. Первоначально оно высоко, т.к. мала концентрация носителей заряда. После подачи прямого напряжения концентрация неосновных носителей заряда в базе увеличивается, это снижает прямое сопротивление диода.

2) Время восстановления обратного сопротивления диода (t_восст.), определяется, как время, в течение которого обратный ток диода после переключения полярности приложенного напряжения с прямого на обратное достигает своего стационарного значения с заданной точностью (рис.1.9) , обычно 10% от максимального обратного тока. Это время связано с рассасыванием из базы неосновных носителей заряда накопленных при протекании прямого тока. Оно состоит из двух составляющих t_восст.= t₁_.+ t₂_., где t₁_. – время рассасывания, за которое концентрация неосновных носителей заряда на границе р-п-перехода обращается в ноль; t₂_. – время разряда диффузионной емкости, связанное рассасыванием неосновных зарядов в объме базы диода.

В целом время восстановление это время выключения диода.

http://jstonline.narod.ru/eltehonline/elteh_c0/elteh_c0a0/elteh_c0a0a.htm

Курс лекций по электронике – МИЭМ http://jstonline.narod.ru/eltehonline/elteh.htm#elteh_c0a0

Дата добавления: 2019-09-13; просмотров: 588; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 12

Мы поможем в написании ваших работ!