Пример 7. Расчет силового трансформатора, работающего на частоте 50 Гц
Изображение трансформатора на электрических принципиальных схемах приведено на рис. 10. Точками на схеме показаны начала обмоток трансформатора T 1.
Рис. 10. Условное графическое изображение трансформатора
Исходные данные для расчета:
- частота сети, =50 Гц;
- действующие значения напряжений первичной и вторичных обмоток трансформатора T 1, В;
- токи вторичных обмоток, А.
Для усилителя с однополярным питанием трансформатор может иметь одну вторичную обмотку.
Расчет
1. Определяем габаритную мощность трансформатора
,
где 
- габаритная мощность трансформатора, Вт,
- ток первичной обмотки трансформатора, А,
- КПД трансформатора,
N - количество вторичных обмоток.
Если вторичных обмоток несколько, то расчет числа витков и диаметра проводов проводится для каждой обмотки отдельно.
2. Находим произведение сечений стали 
и окна 
где
площадь стали магнитопровода, см2,
- максимальная индукция в сердечнике, Тл,
- допустимая плотность тока, А/мм2,
S –число стержней сердечника с обмотками (у трансформатора броневого типа S =1; стержневого типа с двумя катушками S =2),
- коэффициент заполнения сердечника сталью,
– коэффициент заполнения окна медью ( 
),
площадь окна, заполненного медным проводом, см2,
– площадь окна магнитопровода, см2.
Параметры 
выбираются по рассчитанному значению габаритной мощности из таблиц справочника [6] или приложения 3 таблицы 18.
|
|
|
Выбираем по произведению 
броневой трансформатор с «Ш» - образным магнитопроводом из приложения 3 таблицы 19 и выписываем его параметры.
Например, Ш16×25; A=1,6 см; B= 1,6 см; C= 2,5 см;H=4 см; =25,6 см4.
3. Вычисляем эдс, наводимую в одном витке провода
4. Находим число витков вторичной обмотки
5. Определяем первое приближение для числа витков первичной обмотки
6. Находим диаметр проводов первичной и вторичной обмоток
7. Вычисляем длину провода первичной обмотки
8. Находим падение напряжения на омическом сопротивлении первичной обмотки
9. Определяем число витков первичной обмотки
10. Выбираем по произведению броневой трансформатор с «Ш» - образным магнитопроводом из приложения 3 таблицы 19 и выписываем его параметры.
Например, Ш16×25; A=1,6 см; B= 1,6 см; C= 2,5 см;H=4 см; =25,6 см4.
Оформление расчетно-пояснительной записки
Работа выполняется на стандартных листах бумаги формата А4. Образец титульного листа приведен в приложении 4.
Текст записки необходимо писать четко, разборчиво. Полная принципиальная электрическая схема выполняется на листе формате A3 с условными графическими обозначениями электро-радиоэлементов согласно требованиям ЕСКД[12]. Перечень электро-радиоэлементов можно разместить на принципиальной электрической схеме или на отдельном листе (листах) расчетно-пояснительной записки (приложение 5). Графики рекомендуется выполнять на миллиметровой бумаге или в любом компьютерном редакторе.
|
|
|
Наряду с этим необходимо строго придерживаться установленных ГОСТами буквенных обозначений каждой физической величины.
В процессе расчета каждого параметра необходимо сначала провести его расчетную формулу, затем подставить цифровые значения каждого его элемента, а полученный результат в принятых единицах измерения СИ округлить до практически необходимой величины, например,- до номинальных значений ряда Е24 величин резисторов. Очень важно научиться выбирать по справочникам или каталогу тип резистора (по рассчитанному значению сопротивления и мощности рассеивания) и конденсатора (по рассчитанному значению емкости и рабочего напряжения) с учетом допусков ± 5, ± 10, ± 15, ± 20%.
При выборе электро-радиоэлементов можно выбирать отечественные и/или импортные типы комплектующих элементов.
Следует иметь в виду, что в справочниках приводятся предельные значения параметров приборов, которые при правильном выборе должны превышать расчетные значения не менее чем на 20…30%, но запас по допустимой мощности и току коллектора транзистора может быть в несколько раз. Слишком большой запас по электрическим параметрам приводит к удорожанию схем и в некоторых случаях к увеличению габаритных размеров и массы оборудования.
|
|
|
При выполнении вычислений параметров схем на компьютере в тексте расчетно-пояснительной записки необходимо привести расчетные формулы, поясняющие физический смысл вычислений, название и программу расчета.
Расчетно-пояснительная записка должна содержать введение, в котором излагается цель проводимых расчетов, примеры использования этих схем в системах автоматики. Каждая часть расчетов должна иметь исходные данные, схему, расчет и краткие выводы.
В заключении следует сформулировать выводы по работе: отметить, насколько рассчитанные устройства удовлетворяют требованиям технического задания, раскрыть достоинства и недостатки разработанной схемы, указать на трудности в работе.
Список литературы оформляется с учетом библиографических требований. Оглавление должно быть согласовано с указанием номеров разделов, подразделов и страниц.
|
|
|
Общий объем расчетно-пояснительной записки не должен превышать 20-30 страниц.
Список литературы
Основная
1. Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций. Санкт-Петербург: «Корона Принт», 2004. - 416 с. (4-е изд.).
2. Марченко А. Л. Основы электроники. Учебное пособие для вузов. Москва: «ДМК Пресс», 2008.-296 с.
3. Белов Н.В. Электротехника и основы электроники : учебное пособие / Белов Н.В., Ю. С. Волков. – СПб. : Лань, 2012 . – 432 с.
4. Кучумов, А. И. Электроника и схемотехника: учеб.пособие / А. И. Кучумов. - 4-е изд., стер. - Москва: Гелиос АРВ, 2011. - 336 с.
5. Опадчий, Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): учеб. / Ю. Ф. Опадчий; авт.: Глудкин О.П., Гуров А.И. - Москва: Горячая линия - Телеком, 2007. - 768 с.
6. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Г.С. Найвельт, К.Б. Мазель, Ч.И. Хусаинов и др.; Под ред. Г.С. Найвельта. – М.: Радио и связь, 1985. – 576 с., ил.
7. Транзисторы: Справочник/ О.П. Григорьев,В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев – М.: Радио и связь, 1989. – 272 с.:ил.
8. Резисторы: Справочник / В.В. Дубровский, Д.М. Иванов, Н.Я. Пратусевич и др. Под ред. И.И. Четвертакова и В.М. Терехова. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.: ил.
9. Конденсаторы: Справочник/И.И. Четвертаков, М.Н. Дьяконов, В.И. Присняков и др.: Под ред. И.И. Четвертакова, М.Н. Дьяконова. – М.: Радио и связь, 1993. -392 с.
10. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Полежаев. – М.: Радио и связь, 1990. – 336 с.: ил.
11. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / С.В. Якубовский, Л.И. Ниссельсон, В.И. Кулешова и др.; Под ред. С.В. Якубовского. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.: ил.
12. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов и др.; Под ред. Э.Т. Романычевой. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1989. -448 с.: ил.
Дополнительная
13. Б.Ю. Семенов. Силовая электроника: от простого к сложному. – М: ил.. СОЛОН-Пресс, 2005. – 416 с.
14. Пиз А. Роберт. Практическая электроника аналоговых устройств. Поиск неисправностей и отработка проектируемых схем: Пер. с англ. – М.: ДМК Пресс, 2001. – 320 с.:, ил.
15. Браун М. Источники питания. Расчет и конструирование.: Пер. с англ. – К.: «МК-Пресс», 2007. – 288 с., ил.
16. Бриндли К., Карр Дж. Карманный справочник инженера электронной техники / Пер. с англ. – М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2002. – 480 с.: ил.
Интернет-ресурсы
16. http://window.edu.ru/resource/102/45102 Промышленная электроника.
17. http://bourabai.ru/library/lavrov.pdf Электротехника и электроника: Конспекты лекций.
18. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=4009530 Электроника. Полный курс лекций.
19. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=2190609 Аналоговая и цифровая электроника (полный курс).
20. http://www.twirpx.com/file/216942/ Основы электроники.
21. http://padabum.com/d.php?id=283Электроника и схемотехника.
22. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=2191664 Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: справочник.
23. http://rutracker.org/forum/viewtopic.php?t=3388551 Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: справочник.
Приложение 1
Паспортные данные транзисторов КТ3102n-p-n проводимости Таблица 2
| Тип | Uкбо и,В | Uкэо и, В | Iкmax(и), мА | Pкmax, Вт | h21э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Кш, дБ |
| КТ3102АМ | 50 | 50 | 100(200) | 0,25 | 100-200 | ≤0,05 | ≥150 | ≤10 |
| КТ3102БМ | 50 | 50 | 100(200) | 0,25 | 200-500 | ≤0,05 | ≥150 | ≤10 |
| КТ3102ВМ | 30 | 30 | 100(200) | 0,25 | 200-500 | ≤0,015 | ≥150 | ≤10 |
| КТ3102ГМ | 20 | 20 | 100(200) | 0,25 | 400-1000 | ≤0,015 | ≥150 | ≤10 |
| КТ3102ДМ | 30 | 30 | 100(200) | 0,25 | 200-500 | ≤0,015 | ≥150 | ≤4 |
| КТ3102ЕМ | 20 | 20 | 100(200) | 0,25 | 400-1000 | ≤0,015 | ≥150 | ≤4 |
| КТ3102ЖМ | 20 | 20 | 100(200) | 0,25 | 100-250 | ≤0,015 | ≥150 | - |
| КТ3102ИМ | 20 | 20 | 100(200) | 0,25 | 200-500 | ≤0,05 | ≥150 | - |
| КТ3102КМ | 20 | 20 | 100(200) | 0,25 | 200-500 | ≤0,015 | ≥150 | - |
где:
| Uкбо | - максимально допустимое напряжение коллектор-база; |
| Uкбо и | - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база; |
| Uкэо | - максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер; |
| Uкэо и | - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер; |
| Iк max ( и ) | - максимально допустимый постоянный и (импульсный) ток коллектора; |
| Pк max | - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода; |
| h21э | - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; |
| Iкбо | - обратный ток коллектора; |
| fгр | - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; |
| Кш | - коэффициент шума биполярного транзистора. |
Паспортные данные транзисторов КТ502 p-n-p проводимости Таблица 3
| Тип | Предельные параметры | RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
| Iкmax, мА | Iк и max, мА | Uкэ0гр, В | Uкб0max, В | Uэб0 max, В | Pкmax, мВт | Tос, °C | Tпmax, °C | Tmax, °C | h21э | Uкэ, В | Iэ, мА | Uкэ нас, В | Iкб0, мкА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | ||
| КТ502А | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
| КТ502Б | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80...240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
| КТ502В | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
| КТ502Г | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80...240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
| КТ502Д | 150 | 350 | 60 | 80 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
| КТ502Е | 150 | 350 | 80 | 90 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 15 | 214 |
Паспортные данные транзисторов КТ503 n-p-n проводимости Таблица 4
| Тип | Предельные параметры | RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
| Iкmax, мА | Iк и max, мА | Uкэ0гр, В | Uкб0max, В | Uэб0 max, В | Pкmax, мВт | Tос, °C | Tпmax, °C | Tmax, °C | h21э | Uкэ, В | Iэ, мА | Uкэ нас, В | Iкб0, мкА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | ||
| КТ503А | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
| КТ503Б | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80...240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
| КТ503В | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
| КТ503Г | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80...240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
| КТ503Д | 150 | 350 | 60 | 80 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
| КТ503Е | 150 | 350 | 80 | 100 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40...120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
Паспортные данные транзисторов КТ814 p-n-p проводимости Таблица 5
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||
| Iк, max, А | Iк и, max, А | Uкэ0гр, В | Uэб0max, В | Pкmax, Вт | Tк, °C | Tпmax, °C | Tкmax, °C | h21эmin | Uкб, В | Iэ, А | Uкэ нас, В | Iкб0, мА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | ||
| КТ814А | 1,5 | 3 | 25 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ814Б | 1,5 | 3 | 40 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ814В | 1,5 | 3 | 60 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ814Г | 1,5 | 3 | 80 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 30 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
Паспортные данные транзисторов КТ815 n-p-n проводимости Таблица 6
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tпmax, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | CК, пФ | CЭ, пФ | ||
| КТ815А | 1,5 | 3 | 25 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ815Б | 1,5 | 3 | 40 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ815В | 1,5 | 3 | 60 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
| КТ815Г | 1,5 | 3 | 80 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 30 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
Паспортные данные транзисторов КТ816 p-n-р проводимости Таблица 7
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||
| Iк, max, А | Iк и, max, А | Uкэ0 гр, В | Uэб0 max, В | Pкmax, Вт | Tк, °C | Tпmax, °C | Tкmax, °C | h21Э min | Uкб, В | Iк, А | Uкэ нас, В | Iкбо, мА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | ||
| КТ816А | 3 | 6 | 25 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ816Б | 3 | 6 | 45 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ816В | 3 | 6 | 60 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ816Г | 3 | 6 | 80 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
Паспортные данные транзисторов КТ817n-p-n проводимости Таблица 8
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||
| Iк, max, А | Iк и, max, А | Uкэ0 гр, В | Uэб0 max, В | Pкmax, Вт | Tк, °C | Tпmax, °C | Tкmax, °C | h21Э min | Uкб, В | Iк, А | Uкэ нас, В | Iкбо, мА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | ||
| КТ817А | 3 | 6 | 25 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ817Б | 3 | 6 | 45 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ817В | 3 | 6 | 60 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
| КТ817Г | 3 | 6 | 80 | 5 | 25 | 25 | 125 | 100 | 25 | 2 | 2 | 0,6 | 0,1 | 3 | 60 | 115 | 5 |
Паспортные данные транзисторов КТ818, 2Т818 p-n-p проводимости Таблица 9
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| Iк, max, А | Iк и, max, А | Uкэ0гр, В | Uкб0max, В | Uэб0max, В | Pкmax, Вт | Tк, °C | Tпmax, °C | Tкmax, °C | h21э min | Uкэ(Uкб),В | Iк (Iэ), А | Uкэ нас, В | Iкб0, мА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | tвыкл, мкс | ||
| КТ818А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ818Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ818В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ818Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ818АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||
| КТ818БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||
| КТ818ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||
| КТ818ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||
| 2Т818А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т818Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т818В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т818А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т818Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т818В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
Паспортные данные транзисторов КТ819, 2Т819 n-p-n проводимости Таблица 10
| Тип | Предельные параметры | RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||||
| Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| Iк, max, А | Iк и, max, А | Uкэ0гр, В | Uкб0max, В | Uэб0max, В | Pкmax, Вт | Tк, °C | Tпmax, °C | Tкmax, °C | h21э min | Uкэ(Uкб),В | Iк (Iэ), А | Uкэ нас, В | Iкб0, мА | fгр, МГц | Cк, пФ | Cэ, пФ | tвыкл, мкс | ||
| КТ819А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||
| КТ819АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| КТ819ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 12 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||
| 2Т819А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||
| 2Т819А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т819Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
| 2Т819В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |
Рис. 11. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ814, КТ815
Рис. 12. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ816
Рис. 13. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ817
Рис. 14. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ818
Рис. 15. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ819
Паспортные данные других типов транзисторов Таблица 11
| Тип | Iкmax, A | Iк и max, A | Uкэо, В | Uкбоmax, В | Uэбоmax, В | Ркmax, Вт | Тпmax, 0С | Тпmax, С | h21 | Проводимость | Uкэ нас, В | Iкбо, мА | fгр,МГц | Ск, пф | tвыкл, мкс | Rп-к,0 С\Вт |
| КТ3117А | 0,4 | 0,8 | 50 | 60 | 4 | 0,3 | 150 | 150 | 40-200 | n-p-n | 0,6 | 0,01 | 200 | 15 | - | 0,35 |
| 2Т3117А | 0,4 | 0,8 | 60 | 60 | 4 | 0,3 | 150 | 150 | 40-200 | n-p-n | 0,6 | 0,01 | 200 | 15 | 0,06 | 0,35 |
| 2Т3117Б | 0,4 | 0,8 | 75 | 75 | 4 | 0,3 | 150 | 150 | 100-300 | n-p-n | 0,6 | 0,01 | 200 | 15 | - | 0,35 |
| КТ917А | 7 | 150 | 20-60 | n-p-n | 60 | |||||||||||
| КТ935А | 15 | 20 | 80 | 60 | 20-100 | n-p-n | 1 | 60 | 800 | |||||||
| КТ943А | 20 | 80 | 60 | 40-200 | n-p-n | 30 | ||||||||||
| КТ961В | 1,5 | 60 | 100-250 | n-p-n | 0,5 | 0,01 | 10 | |||||||||
| КТ972А | 60 | 8 | 750 | n-p-n | 1,5 | 1 | 100 | 0,2 | 15,6 | |||||||
| КТ973А | 4 | 60 | 60 | 8 | 150 | 750 | p-n-p | 1,5 | 15,6 | |||||||
| 2Т974А | 1 | 80 | 5 | 10-120 | p-n-p | 1 | 160 |
ПаспортныеданныетранзисторовКТ827n-p-nиКТ825p-n-pпроводимостей Таблица 12
| Тип | Iк max, мА | Uкэо,В | Uкбоmax,В | Pmax, Вт | Тп max, °С | h21 | Uкбо,В | Iэ,А | Uкбэнас,В | Iкбо, мкА | fгр,МГц | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | RTп-с, 0С/Вт |
| КТ827А | 20 | 100 | 100 | 125 | 200 | 750...18000 | 3 | 10 | 2 | 3000 | 4 | 1 | 6 | 1,4..10,9 |
| КТ827Б | 20 | 80 | 80 | 125 | 200 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3000 | 4 | 1 | 6 | 1,4..10,9 |
| КТ827В | 20 | 60 | 60 | 125 | 200 | 750...18000 | 3 | 10 | 2 | 3000 | 4 | 1 | 6 | 1,4..10,9 |
| КТ825Г | 20 | 70 | 125 | 150 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 1 | 15 | 1 | ||
| КТ825Д | 20 | 15 | 125 | 150 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 1 | 15 | 1 | ||
| КТ825Е | 20 | 25 | 125 | 150 | 750 | 10 | 10 | 2 | 4 | 1 | 15 | 1 |
Рис. 16. Схемы составных транзисторов КТ827, КТ825
Рис.17.Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ827, КТ825
Паспортные данные диодов Таблица 13
| Тип | Uобр, В | Iпр, А | Uпр, В/при Iпр, А | Iобр, мкА | Fmax, кГц | Cд, пФ | tвосст, мкс |
| КД522А | 30 | 0,1 | 1/ | 5 | 4 | 0,004 | |
| КД522Б | 50 | 0,1 | 0,95/ | 5 | 4 | 0,004 | |
| КД205А | 500 | 0,5 | 1,0/ | 100 | 0,15 | ||
| КД202Г | 70 | 3,5 | 0,9/3,5 | 1000 | 1,2 | ||
| КД202Р | 420 | 5 | 0,9/5 | 1000 | |||
| КД213А | 200 | 10 | 1/ | 200 | 100 | 9 | |
| 2Д216А | 100 | 10 | 1,2/1 | 50 | 100 | 11 | |
| 2Д2990А | 600 | 20 | 1,4/20 | 200 | |||
| 2Д2997А | 200 | 30 | 1/30 | 200 |
Паспортные данные стабилитронов Таблица 14
|
Тип |
Uст ном, В при Iст |
Pmax, мВт | Значения параметров при Т=25°С, Iпрном | Предельные значения параметров при Т=25°С |
Тk max, °С | |||||
|
Uстmin,В |
Uстmax,В |
rст,Ом |
αст,·10 -2, %/°С | |||||||
| Iст min, мА | Iст max, мА | |||||||||
| КС107А | 0,7(10) | 125 | 0,63 | 0,77 | 7 | -34 | 1 | 100 | 125 | |
| КС106А | 3,2(0,25) | 2 | 2,9 | 3,5 | 500 | -13 | 0,01 | 0,5 | 70 | |
| КС133А | 3,3(10) | 300 | 2,97 | 3,68 | 65 | -11 | 3 | 81 | 125 | |
| КС147А | 4,7(10) | 300 | 4,23 | 5,17 | 56 | -9 | 3 | 58 | 125 | |
| КС156А | 5,6(10) | 300 | 5,04 | 6,16 | 46 | ±5 | 3 | 55 | 125 | |
| КС168А | 6,8(10) | 300 | 6,12 | 7,48 | 7 | ±6 | 3 | 45 | 125 | |
| КС175Ж | 7,5(4) | 125 | 7,1 | 7,9 | 40 | 7 | 0,5 | 17 | 125 | |
| 2С112А | 7,5(5) | 150 | 6,82 | 8,21 | 16 | ±4 | 3 | 18 | 125 | |
| КС182А | 8,2(5) | 150 | 7,6 | 8,8 | 14 | 4 | 3 | 17 | 100 | |
| КС191Ж | 9,1(4) | 125 | 8,6 | 9,6 | 40 | 9 | 0,5 | 14 | 125 | |
| 2С210А | 10,0(0,5) | 125 | 9,0 | 10,5 | 15 | 9 | 3 | 11 | 125 | |
| 2С212В | 12,0(5) | 150 | 10,94 | 13,1 | 24 | 7,5 | 3 | 12 | 125 | |
| КС515А | 15,0(5) | 1000 | 13,5 | 16,5 | 25 | 10 | 1 | 53 | 125 | |
| КС216Ж | 15,0(2) | 125 | 15,2 | 16,8 | 70 | 10 | 0,5 | 7,8 | 125 | |
| КС518А | 18,0(5) | 1000 | 16,2 | 19,8 | 25 | 10 | 1 | 45 | 125 | |
| Д815Ж | 18,0(500) | 8000 | 16,2 | 19,8 | 3 | 11 | 25 | 550 | 130 | |
| Д816А | 22,0(150) | 5000 | 19,6 | 24,2 | 7 | 12 | 10 | 230 | 130 | |
| КС224Ж | 24,0(2) | 150 | 22,8 | 25,2 | 70 | 10 | 0,5 | 5,2 | 125 | |
| КС527А | 27,0(5) | 1000 | 24,3 | 29,7 | 40 | 10 | 1 | 30 | 125 | |
| Д816Б | 27,0(150) | 5000 | 24,2 | 29,5 | 8 | 12 | 10 | 180 | 130 | |
| КС533А | 33,0(10) | 640 | 30 | 36 | 40 | 10 | 3 | 17 | 125 | |
| Д816В | 33,0(150) | 5000 | 29,5 | 36,0 | 10 | 12 | 10 | 150 | 130 | |
| КС551А | 51,0(1,5) | 1000 | 48,0 | 54,0 | 200 | 12 | 1 | 14,6 | 125 | |
| Д817Б | 68,0(50) | 5000 | 61,0 | 75,0 | 40 | 14 | 5 | 75 | 130 | |
Приложение 2
Числовые значения рядоввыпускаемых резисторов и конденсаторов Таблица 15
| ЕЗ | Е6 | Е12 | Е24 | ЕЗ | Е6 | E12 | Е24 | ЕЗ | Е6 | Е12 | Е24 | ЕЗ | Е6 | Е12 | Е24 |
| 1 | 1 | 1 | 1 |
|
| 1,8 | 1,8 | 3,3 | 3,3 | 3,3 | 5,6 | 5,6 | |||
|
|
|
| 1,1 |
|
|
| 2 | 3,6 | 6,2 | ||||||
|
|
| 1,2 | 1,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 2,2 | 3,9 | 3,9 | 6,8 | 6,8 | 6,8 | |||
|
|
|
| 1,3 |
|
|
| 2,4 | 4,3 | 7,5 | ||||||
|
| 1,5 | 1,5 | 1,5 |
| 2,7 | 2,7 | 4,7 | 4,7 | 4,7 | 4,7 | 8,2 | 8,2 | |||
|
|
|
| 1,6 |
|
|
| 3 | 5,1 | 9,1 |
Типы и характеристики постоянных резисторов Таблица 16
| Тип | Мощность, Вт | Сопротивление, Ом – МОм(М) | Тип | Мощность, Вт | Сопротивление, Ом- кОм (к)-МОм (М) |
| МЛТ, ОМЛТ | 0,125 | 8,2 - 3М | СП2-5 переменные | 0,5 | 10 - 100к |
| 0,25 | 8,2 - 5,1М | 1 | 10 - 100к | ||
| 0,5 | 1 - 5,1М | 2 | 10 - 100к | ||
| 1 | 1 - 10М | СП2-6 переменные | 0,25 | 100 - 1М | |
| 2 | 1 - 10М | 0,5 | 100 - 2,2М | ||
| С2-23 | 0,062 | 10 - 100к | С2-33 | 0,125 | 1 - 3М |
| 0,125 | 24 - 2М | 0,25 | 1 - 5,1М | ||
| 0,25 | 2 - 3М | 0,5 | 1 - 5,1М | ||
| 0,5 | 24 - 5,1М | 1 | 1 - 10М | ||
| 1 | 1 - 10М | 2 | 1 - 10М | ||
| 2 | 1 - 10М |
Типы и характеристикипостоянных конденсаторов Таблица 17
| Тип | Напряжение, В | Емкость, пФ, нФ(н), мкФ (мк) | Тип | Напряжение, В | Емкость, мкФ (мк) |
| К10-9 | 15 | 2 - 2н 11 - 3н 27 - 3н | К50-36 | 6 | 20мк - 5000мк |
| 12 | 10мк - 2000мк | ||||
| 25 | 5мк - 2000мк | ||||
| 25 | 0,82н - 15н 0,15н - 0,15мк 1н - 0,47мк | 50 | 2мк - 2000мк | ||
| 100 | 1мк - 200мк | ||||
| К50-6 | 6 | 50мк - 5000мк | |||
| КМ-6 | 50 | 0,12н - 5н 0,12н - 6н 0,18н - 6н 0,47н - 10н | 10 | 10мк - 4000мк | |
| 15 | 1мк - 4000мк | ||||
| 25 | 1мк - 4000мк | ||||
| 50 | 1мк - 2000мк | ||||
| 25 | 0,82н - 15н 15н - 0,15мк 22н - 2,2мк | 100 | 1мк - 200мк | ||
| К50-20 | 6,3 | 10мк - 5000мк | |||
| 16 | 2мк - 2000мк | ||||
| К10-52 | 25; 50 | 10 - 1н | 25 | 2мк - 1000мк | |
| 25; 50; 100 | 10 - 7,5н | 50 | 1мк - 2000мк | ||
| К50-22
| 6,3 | 2200мк - 22000мк | 100 | 1мк - 200мк | |
| 10 | 1500мк - 15000мк | К50-3А | 12 | 2мк - 5000мк | |
| 16 | 1000мк - 10000мк | 25 | 2мк - 1000мк | ||
| 25 | 680мк - 6800мк | 50 | 1мк - 200мк | ||
| 50 | 220мк - 2200мк | 100 | 1мк - 100мк | ||
| 100 | 100мк - 680мк |
Приложение 3
Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 203; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!