Класифікація та умовні позначення транзисторів
Згідно ДСТУ позначення транзисторів складаються з чотирьох букв буквоцифрового коду.
І група – це дві букви. Перша вказує на матеріал напівпровідника, К – кремній, Г – германій. Друга буква вказує тип транзистора, Т – біполярний, П – польовий.
Третя позначка – цифра, яка вказує на частотні властивості та потужність. 1,2,3 – малопотужні:
1 – низькочастотні з граничною частотою до 3 МГц.
2 – середньої частоти, 3-30 МГц.
3 – високочастотні, >30 МГц.
4,5,6 – середньої потужності, 0.3-0.5 Вт.
7,8,9 – потужні транзистори, >1.5 Вт.
Наступні дві цифри вказують на порядковий номер розробки. Остання буква вказує на групу приладів.
Режими роботи біполярних транзисторів
Розрізняють 4 режими роботи біполярного транзистора:
1. активний режим, емітерний перехід ввімкнено у прямому напрямку, колекторний – у зворотному. Використовується в аналоговій електроніці.
2. режим відсічки відповідає стану закритого транзистора, коли у вихідному колі не може протікати струм. Отримується, коли і емітерний, і колекторний переходи ввімкнені у зворотному напрямку.
3. режим насичення, коли транзистор відкритий, обидва переходи у прямому напрямку.
4. інверсний режим, коли емітер ний перехід вмикається у зворотному напрямку, колекторний – у прямому. Застосовується в електроніці інтегрально-інжекційної логіки.
MN – лінія статичного навантаження.
Перехід із режиму відсічки в режим насичення називається ключовим режимом.
|
|
|
Польові транзистори
Польові транзистори – це напівпровідникові прилади, підсилювальні властивості яких визначаються впливом потенціалу, прикладеного до керуючого електроду, а саме затвору, на протікання струму, зумовлене основними носіями заряду в каналі провідності між витоком і стоком.
За будовою розрізняють польові транзистори з керуючим переходом (р-n переходом або переходом метал-напівпровідник з бар'єром Шоткі) та транзистори з ізольованим затвором. Останні бувають з вбудованим та індукованим каналом провідності.
Принцип дії польового транзистора
На відміну від біполярних транзисторів регулювання струму у вихідному колі тут забезпечується не величиною струму вхідного кола, а потенціалом, прикладеним до керуючого електроду – затвору. Конструктивно польовий транзистор з керуючим переходом можна зобразити у вигляді кристалу, з протилежних кінців якого забезпечено створення омічних (невипрямлених) контактів до витокової і стокової областей, а в середній області кристалу вмонтовано керуючий р-n перехід або випрямлений контакт метал-напівпровідник.
Величина струму у вихідному колі, тобто струму стокового затвору визначається напругою Uсв та навантаженням і власним опором каналу провідності ввімкнених послідовно у вихідне коло.
|
|
|
Прикладання запірної напруги Uзв призводить до розширення області просторового заряду (ОПЗ) цього переходу (пунктир), а відповідно і до звуження каналу провідності. Зменшення поперечного перерізу каналу провідності призводить до збільшення його опору, а відповідно до зменшення стокового струму.
Кажуть, що такий транзистор може працювати тільки в режимі збіднення каналу провідності основними носіями заряду.
Для опису властивостей польових транзисторів використовують сімейства вихідних та перехідних характеристик і не використовують вхідні характеристики, що зумовлено великим вхідним опором транзистора. Вихідні характеристики – це залежності виду:
Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 285; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!