Расчет эквивалентных схем транзистора КТ934В.



 


а) Модель Джиаколетто.

Модель Джиаколетто представлена на рис.1.7.

 

 

Рисунок 1.7 - Эквивалентная схема Джиаколетто.

 

Необходимые для расчета справочные данные:

, постоянная цепи обратной связи.

, статический коэффициент передачи тока базы.

, емкость коллекторного перехода.

Найдем при помощи постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода нашего транзистора:[5]

                                                                             (1.9)

Из справочных данных мы знаем, что при , а  на 18В. Для того, чтобы свести параметры к одной системе воспользуемся формулой перехода:[1]

                                                       (1.10)

в нашем случае:

Теперь, зная все параметры, можно найти сопротивление:

, тогда

Найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке по той же формуле перехода:

Найдем значения оставшихся элементов схемы:

, где                         (1.11)

 – паспортное значение статического коэффициента передачи,

 – сопротивление эмиттеного перехода транзистора

Тогда

Емкость эмиттерного перехода: , где  – типовое значение граничной частоты коэффициента передачи тока, взятое из паспортных данных транзистора.[7]

Найдем оставшиеся параметры схемы:

                                                                                (1.12)

                                                                                    (1.13)

                                                                              (1.14)

б) Однонаправленная модель.[4]

Однонаправленная модель представлена на рис.1.8.

Рисунок 1.8 - Однонаправленная модель.

 

При определении значений элементов высокочастотной модели воспользуемся паспортными данными транзистора:[7]

                                                                      (1.15)

где  – входное сопротивление,  – выходная емкость,  – выходное сопротивление.В паспортных данных значение индуктивности.[7]

где  – индуктивности выводов базы и эмиттера.

В результате получим:


1.3.4. Расчет схем термостабилизации транзистора КТ 934В.

 

Эмиттерная термостабилизация приведена на рис.1.9.[8]

Рисунок 1.9 Схема эмитерной термостабилизации.

 

Расчет номиналов элементов осуществляется исходя из заданной рабочей точки. Напряжение на эмиттере должно быть не менее 3-5 В (в расчетах возьмем 3В), чтобы стабилизация была эффективной.

Рабочая точка:

Uкэ0= 18В,

Iк0=0.7А.

Учтя это, получим:

, где , а коллекторный ток – , что было получено ранее, тогда:  и                                                                   1.16)

Видно, что рассеиваемая мощность довольно велика.

Базовый ток будет в  раз меньше коллекторного тока:

,                                                                   (1.17)

а ток базового делителя на порядок больше базового:

                                                                        (1.18)

Учтя то, что напряжение питания будет следующим:

,                                                          (1.19)

найдем значения сопротивлений, составляющих базовый делитель:

                        (1.20)

                                                             (1.21)

Схема активной коллекторной термостабилизации усилительного каскада приведена на рис.1.10.

Рисунок 1.10 – Схема активной коллекторной термостабилизации.

 

В качестве управляемого активного сопротивления выбран транзистор КТ361А со средним коэффициентом передачи тока базы 50.[9] Напряжение на

 сопротивлении цепи коллектора по постоянному току должно быть больше 1 В или равным ему, что и применяется в данной схеме [4].

Энергетический расчет схемы:

.                                (1.22)

Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:

.                                            (1.23)

Видно, что мощность рассеивания на отдельном резисторе уменьшилась в три раза по сравнению с предыдущей схемой. Рассчитаем номиналы схемы:

                             (1.24)

Номиналы реактивных элементов выбираются исходя из неравенств:

                                                                               (1.25)

Этим требованиям удовлетворяют следующие номиналы:

L=30 мкГн (Rн=25 Ом) и Сбл=0.1 мкФ (fн=10 МГц).

Схема пассивной коллекторной термостабилизации приведена на рис. 1.11[8]

 

 

 


Рисунок 1.11 – Схема пассивной коллекторной термостабилизации.

 

В данной схеме напряжение на коллекторе должно изменяться в пределах от 5 до 10 В. Возьмем среднее значение– 7В.

Произведем энергетический расчет схемы:

.                                              (1.26)

Мощность, рассеиваемая на сопротивлении коллектора:

.                                                          (1.27)

Видно, что при использовании данной схемы мощность будет максимальна.

Рассчитаем номиналы схемы:

.                                           (1.28)

Сравнив эти схемы видно, что и с энергетической, и с практической точки зрения более эффективно использовать активную коллекторную термостабилизацию, которая и будет использоваться далее.


Дата добавления: 2019-07-15; просмотров: 163; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!