Логические элементы серии К6500



 

Эта серия является аналогом серии 10G.

 

Микросхемы К6500представляют собой цифровые логические схемы сверхвысокого быстродействия, выполненные на основе арсенид-галлиевых (GaAs) полевых транзисторов с затвором Шотки. Логика построения – истоково–связанная.

 

Микросхемы К6500 по сравнению с ИС К500, К1500 имеют в 4-6 раз меньшую мощность потребления на один ЛЭ и в 3-8 раз большую частоту переключения и меньшую задержку на ЛЭ.

В серии используются следующие основные параметры логических сигналов:

 

- Максимальная частота fmaxне менее 1000 МГц;

 

- Длительность фронта (среза) выходного сигнала: 0,16...0,3 нс;

 

- Выходное напряжение при Rн = 50 Oм:

                                    = -0,2…-0,1 В

                                    = +0,9…+1,5 В

- Напряжения питания:

                                     U пит1 = 4В + 0,2%

                                     U пит2 = -2,45 В

 

Логические элементы на МОП-транзисторах

 

МОП-транзисторы (от слов – «металл-оксид-полупроводник») являются разновидностью полевых транзисторов и часто называются – полевые транзисторы с изолированным затвором. Они подробно были изучены в курсе электроники.

Обозначения МОП транзисторов показано на рисунке 1.32.

     
 


          

             n- типа                       p-типа

                                                                          

 

 

Рисунок 1.32 - Условные обозначения МОП-транзисторов 

 

Верхняя пара транзисторов называется – МОП-транзисторы со встроенным каналом, а нижняя - МОП-транзисторы с индуцированным каналом. Применительно к рассматриваемым вопросам, принцип работы их отличается мало, поэтому в дальнейшем особых различий между ними делаться не будет.

Ключи на МОП-транзисторах работают примерно так же, как и на биполярных: управляющий логический сигнал подаётся на затвор и изменяет сопротивление сток-исток. Разница заключается в том, что в биполярных транзисторах сопротивление пропорционально входному току, а в полевых – входному напряжению.

МОП-транзисторы с n-каналом (на рисунке – левая пара транзисторов) открываются подачей лог «1» на затвор и закрываются – подачей лог. «0» - как и рассмотренные ранее биполярные транзисторы типа n-p-n. Полевые транзисторы с p-каналом – наоборот: открываются при подаче лог. «0», а закрываются – подачей «1».

Большим достоинством МОП-транзисторов является очень высокое входное сопротивление (между затвором и общим проводом). Практически его можно считать бесконечным, следовательно, входной ток равен нулю – входные цепи совсем не потребляют тока. Это означает практически неограниченную нагрузочную способность и малое потребление энергии.

Логические элементы на n МОП транзисторах

 

Пример схемы ЛЭ элемента на nМОП–транзисторах показан на рисунке 1.33.

 

   +Uпит     

                                             

            VT1 

 

                      Y

 

 

Х                  VT2

 

 Рисунок 1.33 - Схема инвертора на nМОП – транзисторах.

 

Рассмотрим работу схемы.

Верхний транзистор VT1 в данном случае используется в качестве резистора.

 

Пусть входное напряжение Uвх равно уровню лог. «0» и примерно равно 0 (то есть x = U0 0). Тогда транзистор VT2 закрыт, ток I  0, следовательно, выходное напряжение Uвых равно уровню лог. «1» и примерно равно напряжению питания (Y = U1  Uпит).

Если входное напряжение Uвх равно уровню лог. «1» (х = U1), то транзистор VT2 открыт, следовательно, выходное напряжение Uвых равно уровню лог. «0» и примерно равно 0 (т.е. Y = U0  0).

Таким образом, данная схема реализует функцию НЕ и является инвертором.

Интересно заметить, что схема будет потреблять ток только при Y = «0», при этом ток будет протекать через оба открытых транзистора. Если же Y = «1», то ток практически не потребляется, так как транзистор VT2 закрыт, а входное сопротивление аналогичных схем в нагрузке очень велико. Входной ток составляет лишь единицы наноампер, и практически им пренебрегают. Можно сказать, что схемы на МОП-транзисторах работают всегда в режиме холостого хода.

Аналогично, существуют схемы на pМОП-транзисторах, однако они технологически при производстве менее удобны и имеют отрицательное напряжение питания, поэтому применяются реже.

Рассмотрим теперь схему на рисунке 1.34. Как и в предыдущей схеме, транзистор VT1 выполняет роль нагрузочного резистора. (В полупроводниковых микросхемах в качестве резисторов всегда используются полевые транзисторы).

Если хотя бы один из транзисторов VT2, VT3 закрыт (т.е., если на входах х1, х2 хотя бы один «0»), то нижняя ветвь цепи разорвана и выходное напряжение примерно равно напряжению питания, т. е. Y = «1».

Если же х1 = х2= «1», то оба транзистора VT2, VT3 открыты и выход соединён с общим проводом через малое сопротивление открытых транзисторов, Y = «0».

       Таким образом, данная схема реализует ЛЭ И-НЕ.

 

На рисунке 1.35 показан ЛЭ ИЛИ-НЕ. Понять его работу его можно, рассуждая аналогичным образом.

Если х1 или х2 равны «1», один из транзисторов VT1 или VT3 открыт и замыкает выход с общим проводом, Y = «0». Если же х1= х2= «0», оба транзистора закрыты и при этом Y = «1».

Как и схема на рисунке 1.33, схемы И-НЕ и ИЛИ-НЕ на рисунках 1.34 и 1.35 потребляют ток от источника только при открытых транзисторах, т. е. при Y = «0».

         

 

 

                   

                        


Дата добавления: 2019-03-09; просмотров: 931; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!