Алгоритмы идентификации параметров
Тепловых цепей полупроводниковых приборов
Фролов И. В.1, Сергеев В. А.1, Закгейм А. Л.2, Черняков А. Е.2
1 УФИРЭ им. В. А. Котельникова РАН
2 Научно-технологический центр микроэлектроники
и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
Известные способы идентификации параметров тепловой эквивалентной схемы полупроводниковых приборов (ППП) в зависимости от вида динамической тепловой характеристики, используемой для расчета, разделяются на две группы: способы, основанные на анализе переходных (импульсных) тепловых характеристик (ПТХ) ППП, то есть изменения температуры перехода во времени при нагреве прибора ступенькой (импульсом) греющей мощности [1], и способы, основанные на анализе............
Рис. 1. Одномерная эквивалентная n-звенная тепловая схема ППП по Фостеру
Разработанный алгоритм апробирован на примере идентификации и расчета параметров эквивалентных тепловых схем коммерческих гетеропереходных светодиодов.
1. Пат. RU 2392631 РФ, МПК G01R31/26. Устройство для измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводникового прибора / Мальцев И. А., Мальцев А. А.; заявитель и патентообладатель Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева. – № 2009122088/28; заявл. 09.06.2009; опубл. 20.06.2010. Бюл. №17.
2. Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия вузов. Электроника. – 2012. – №3. – С. 64–68.
Дата добавления: 2019-03-09; просмотров: 62; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!