Сигналы однотактного триггера
Л. – Для облегчения твоей задачи я вычертил на рис. 85 кривые, характеризующие изменения во времени потенциалов в различных элементах схемы. Как мы видим, в точку А в момент t0 подают отрицательный импульс. В этот момент потенциал коллектора транзистора Т1 стремится повыситься до +Е . Это повышение через цепочку R3 – R4 передается на базу транзистора T2 , которая сначала была заперта напряжением –U , а теперь ее потенциал поднимается до нуля. Как ты видишь, это вызывает отпирание транзистора Т2 и доводит потенциал его коллектора почти до нуля. Снижение потенциала коллектора Т2 через конденсатор С передается на базу Т1 (первоначально ее потенциал был почти равен нулю) и доводит потенциал базы до величины, близкой к –Е .
Рис. 85. Эпюры напряжений в схеме с одним устойчивым состоянием, изображенной на рис. 84.
Н. – Я хотел бы знать, откуда берется эта величина –Е ?
Л. – Но, Незнайкин, разве ты забыл известный принцип, что напряжение на выводах конденсатора не может измениться на конечную величину за равное нулю время. Если ты об этом вспомнишь, то увидишь, что перед самым приходом отрицательного импульса в точку А потенциал коллектора Т2 был равен Е (транзистор Т2 был заперт). Потенциал базы транзистора Т1 был почти равен нулю, следовательно, конденсатор С был заряжен до напряжения, очень близкого к Е . Сразу же после опрокидывания схемы он еще был заряжен до напряжения Е . При этом потенциал на нижней (базовой) обкладке равен –Е относительно верхней. Затем потенциал его верхней обкладки стал близким нулю (транзистор Т2 в состоянии насыщения замкнул верхнюю обкладку на корпус) и, следовательно, потенциал базы Т1 , равный потенциалу нижней обкладки относительно верхней, стал близким –Е .
|
|
|
Н. – Признаюсь, что я не подумал о твоем знаменитом принципе, так как забыл вырезать его золотыми буквами на своем камине, но поверь мне, теперь за этим дело не станет. По твоим кривым я вижу, что сразу же после опрокидывания схемы потенциал базы транзистора Т1 начинает повышаться. Я полагаю, что причиной послужил ток, протекающий по резистору R5 .
Л. – И ты не ошибся. Когда транзистор Т1 находится в состоянии насыщения, проходящий по резистору R5 ток течет по направлению к базе этого транзистора. А теперь при запертом транзисторе Т1 добавляется ток разряда конденсатора С . Через время, определяемое величиной CR5 , потенциал базы транзистора Т1 доходит почти до нуля – это происходит в момент t1 . Как ты видишь, в этот момент транзистор Т1 вновь начинает пропускать ток; потенциал его коллектора падает до нуля, что приводит к запиранию транзистора Т2 , потенциал коллектора которого повышается до + Е .
|
|
|
Н. – А почему ты, Любознайкин, на своем рисунке на кривой потенциала коллектора транзистора Т2 изобразил участок возрастания относительно пологим?
Л. – Не забывай, что для повышения потенциала коллектора транзистора Т2 протекающий по резистору R2 ток должен сначала зарядить конденсатор С . На нижней обкладке последнего переход база – эмиттер проводящего транзистора поддерживает потенциал, почти равный нулю. Следовательно, этот конденсатор заряжается постепенно и вслед за ним медленно повышается потенциал коллектора Т2 .
Н. – Я начинаю понимать работу твоей занятной схемы. И все же она производит очень странное впечатление. Стоит только транзистору Т2 начать пропускать ток, как его опять очень быстро запирают. Он должно быть чувствует себя обманутым.
Л. – Отложи, пожалуйста, на более подходящее время анализ чувств транзисторов, а пока займись вопросом практического использования схемы, которая во многих случаях может оказаться очень полезной.
Дата добавления: 2019-02-12; просмотров: 204; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!