Укажите исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор.

⇐ ПредыдущаяСтр 6 из 6

Г или 1 - ;

К или 2 - ;

А или 3 - ;

И или 4 - .

Определите подкласс (или группу) транзистора.

Т - ;

П - .

4. Какую максимально рассеиваемую мощность и диапазон частот имеют транзисторы:

малой мощности ,

средней мощности ,

большой мощности .

5. Перечислите модификации конструктивного исполнения бескорпусных приборов;

Таблица 1.2

Цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения бескорпусных приборов;	Пояснение
1
2
3
4
5
6

Таблица 1.3

Условные графические обозначения биполярных транзисторов

Обозначение	Наименование

Таблица 1.4

Условные графические обозначения полевых транзисторов

Обозначение	Наименование

Система условных обозначений современных диодов.

Таблица 1.5

Система условных обозначений современных типов диодов	Расшифровка обозначения элементов
Первый элемент - Второй элемент - Третий элемент - Четвертый элемент - Пятый элемент -

Укажите исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод.

Г или 1 - ;

К или 2 - ;

А или 3 - ;

И или 4 - .

Определите подкласс (или группу) диода.

Д -;

И -;

А -;

Ц -;

В -;

С -;

Г -.

9. Перечислите модификации конструктивного исполнения бескорпусных приборов;

Таблица 1.6

Цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения бескорпусных приборов;	Пояснение
1
2
3
4
5
6
буква Р
буква Г -
буква К -

Таблица 1.7

Условные графические обозначения диодов

Обозначение	Наименование

Система условных обозначений оптоэлектронных приборов

Таблица 1.8

Система условных обозначений современных типов транзисторов	Расшифровка обозначения элементов
Первый элемент - Второй элемент - Третий элемент - Четвертый элемент - Пятый элемент -

Укажите исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен оптоэлектронный прибор.

Г или 1 - ;

К или 2 - ;

А или 3 - ;

И или 4 - .

Определите подкласс (или группу) оптоэлектронного прибора.

Л -;

О -;

Перечислите подклассы оптоэлектронных приборов:

Подкласс Л - для излучающих оптоэлектронных приборов;

Подкласс Л - для оптопар.

14. Перечислите модификации конструктивного исполнения бескорпусных приборов;

Таблица 1.9

Цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения бескорпусных приборов;	Пояснение
1
2
3
4
5
6

Таблица 1.10

Условные графические обозначения оптоэлектронных приборов.

Обозначение	Наименование

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Таблица1.11

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем	Расшифровка обозначения элементов
Первый элемент - Второй элемент - Третий элемент - Четвертый элемент - Пятый элемент -

Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Таблица1.12

Цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:	ИМС
	Полупроводниковые ИМС
	Гибридные ИМС
	Прочие ИМС (пленочные, вакуумные, керамические).

Таблица1.13

Буква, обозначающая функциональную подгруппу	Название функциональной подгруппы
В Г Д Р Е М К Л Х М Н П Т У Б Ф А ИР ИМ ИЛ ИЕ ИД ИК ИВ ИА ИП	Вычислительные устройства

Таблица1.14

Дополнительные символы в обозначении микросхем	Пояснение
К -
Э -
Р -
М -
Е -
А -
И -
Н -

Таблица 1.15

Цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения микросхем	Пояснение
1
2
3
4
5
6

Таблица 1.16

Обозначение базовых логических элементов согласно разным зарубежным стандартам для логических элементов (стандарта DIN 4070).

Название логических элементов	Выполняемая логическая функция	Схема (Стандарт DIN 4070)
1 ИЛИ;
2 ИЛИ- НЕ;
3 НЕ;
4 ПОВТОРИТЕЛЬ;
5 JK-триггер;
6 D-триггер

ПРИЛОЖЕНИЕ 8

Задание 2.

Операционный усилитель общего применения	Усилитель мощности низкой частоты
Тип микросхемы; Функциональные возможности; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения	Тип микросхемы; Функциональные возможности; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения

Задание 3.

Цифровая микросхема из серии ТТЛ К155	Цифровая микросхема из серии ТТЛ К133
Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения; Характеристики серии К155.	Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения;

Задание 4.

Цифровая микросхема (КМОП) из серии К176	Цифровая микросхема (КМОП) из серии К561	Цифровая микросхема (КМОП) из серии К564
Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения;	Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения	Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения

Задание 5.

Цифровая микросхема (КМОП) из серии Высокоскоростная логика 74ACTQ

Тип микросхемы; Функциональное назначение; Электрические параметры; Габаритные размеры; Схема включения.

Задание 6.

Биполярный транзистор	Полевой транзистор	Диод	Оптоэлектронный прибор
Тип элемента; Параметры; Габаритные размеры; Маркировка	Тип элемента; Параметры; Габаритные размеры; Маркировка	Тип элемента; Параметры; Габаритные размеры; Маркировка	Тип элемента; Параметры; Габаритные размеры; Маркировка

Задание 7.

Тип ИМС

Тип микросхемы Габаритные размеры Схема включения

Задание 8.

Изучите особенностей корпусов ИМС (стр.19, рис.1), в таблицу занесите следующие данные

Тип корпуса	Расположение выводов	Внешний вид

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Микитин В.М., Смирнов Н.А., Тювин Ю.Д. Электронное конструирование ЭВМ. Основы компоновки и расчета параметров конструкций: Учеб. пособие- М.: МИРЭА, 2000.- 118 с.

2. Микитин В.М. Теория и практика расчета компоновочных параметров при электронном конструировании СВТ: Учебное пособие. – М.: МИРЭА, 2002. – 112с.

3. Коваленко С.М. Технология и основные характеристики интегральных схем и микропроцессоров: Учебное пособие. - М.: МИРЭА, 1998. - 27 с.

Дата добавления: 2019-01-14; просмотров: 233; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 56

Мы поможем в написании ваших работ!