Электронные полупроводники (n-типа)
Физико – химические характеристики радиоматериалов
· Водопоглощаемость ω – оценивает свойство материала противостоять проникновению в него воды. Образцы диэлектрика взвешивают сухими, погружают в дистиллированную воду при 20 °С на 24, 48 и более часов, а затем вынимают и взвешивают.
где - G1- масса образца в исходном состоянии (г); G2- масса образца после пребывания в воде (г).
· ГигроскопичностьJ - характеристика, позволяющая оценить способность материала противостоять проникновению в него паров воды (тумана):
где - G0 – масса абсолютно сухого образца (г); G3 – масса после пребывания во влажной камере 24, 48 и более часов.
Чем больше гигроскопичность, тем ниже электрические характеристики.
· Тропическая стойкость (тропикостойкость) - стойкость к атмосферным воздействиям в странах с тропическим климатом (Индия, Цейлон и др.).
В условиях влажного тропического климата радиоматериалы подвергаются воздействию:
¨ высокой температуры (45 - 55°С);
¨ резких перепадов температуры в течение суток;
¨ высокой влажности воздуха;
¨ солнечной радиации;
¨ воздуха, содержащего соли и пыль;
¨ плесневые грибки, повреждающие многие органические радиоматериалы;
¨ насекомые, повреждающие органические диэлектрики.
Наиболее стойкими являются радиоматериалы неорганического происхождения: радиокерамика, ситаллы, фторорганические и кремнийорганические полимерные диэлектрики.
|
|
· Радиационная стойкость – позволяет оценить стойкость радиоматериалов к воздействию ионизирующих излучений: a -, b -, g -лучей, потоков нейтронов и др.
Эти излучения вызывают структурные изменения в диэлектриках органического и неорганического происхождения, а также в полупроводниках и даже в проводниках. В результате изменяются первоначальные свойства и характеристики материала, возможно даже разрушение некоторых органических диэлектриков. Небольшие дозы облучения у некоторых диэлектриков (полиэтилен, полипропилен) улучшают их структуру и основные характеристики.
9) С точки зрения зонной теории все твердые тела можно подразделить на две основные группы: материалы, у которых валентная зона перекрывается зоной проводимости, и материалы, у которых валентная зона и зона проводимости разделены запрещенной зоной. В первом случае незначительное внешнее энергетическое воздействие переводит электроны на более высокие энергетические уровни, что обусловливает хорошую электропроводность материалов. Во втором случае переходы на более высокие энергетические уровни связаны с необходимостью внешнего энергетического воздействия, превышающего ширину запрещенной зоны. Материалы, в энергетической диаграмме которых отсутствует запрещенная зона, относятся к категории проводников, материалы с узкой запрещенной зоной (менее 3 эВ) — к категории полупроводников и материалы с широкой запрещенной зоной (более 3 эВ) — к категории диэлектриков.
|
|
10) Диаграмма состояния (Ge-Sn), представляет собой диаграмму простого эвтектического типа; эвтектическая реакция имеет место при концентрации99,74 %(ат.) Sn и при температуре на 0,78 °С ниже температуры плавленияSn. Максимальная растворимость Sn в Ge 1,1 % (ат.) наблюдается притемпературе 400 °С, при температуре 231 °С растворимость уменьшается до менее 1 % (ат.).
Электронные полупроводники (n-типа)
Полупроводник n-типа
Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка).
В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными.
|
|
Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 353; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!