Дифференциальные параметры и Эл модели полевых транз с управляющим p-n переходом. ПТ с управляющим переходом «металл-п/п».
Дифференциальные параметры.
продифференцируем (*) и подставим:------^
=>крутизна уменьшается по мере увеличения по модулю напряжения на затворе. В режиме насыщения выходная проводимость (G) близка к 0 поскольку она определяется эффектом модуляции. Усилительные свойства по напряжению полевого транзистора характеризует коэффициент усиления:
Эл. Модели полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Существует эл модель для статического режима(по пост. току)
Ru и Rc –сопротивления области полупроводника от электрода до начала канала. Учет этих сопротивлений уменьшает крутизну выходных характеристик полевого транзистора.
Rзс и Rзи имеют величину 10-100Мом их обычно не учитывают. В полевом транзисторе отсутствуют процессы инжекции поэтому инерционность определяется перезарядом барьерных емкостей и временем прохождения носителей заряда по каналу.
So-крутизна при w=0. Ws-частота при которой крутизна уменьшается в корень из 0.2 раза. τs=Сзк*Rк. Ws=1/ τs
Rк=0.5ρL/S=0.5ρL/zd-оммическое сопротивление. Зависимость Ru от частоты не учитывается.
Зависимость параметров полевого транзистора от температуры.
При изменении температуры параметры полевого транзистора изменяются из-за следующих факторов:
1)Изменение контактной разности потенциалов. При повышении температуры потенциальный барьер уменьшается толщина перехода уменьшается и растет Ic
|
|
|
2)Подвижность носителей заряда с увеличением температуры уменьшается удельное сопротивление растет Ic уменьшается. Существует такой температурный диапазон при котором Ic не зависит от температуры. Этот диапазон называется термостабильным.
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом типа Ме-п.п.(Шоттки).
Толщина канала определяется обедненной областью барьера Шоттки.
Толщина канала : (dо-lоб)
Толщину канала можно менять , как отрицательным напряжением на затворе, так и небольшим положительным (менее 0,5 В) напряжением.
Если канал очень тонкий, то lо превышать dо, даже при отсутствие напряжения на затворе. Чтобы открыть такой канал надо падать небольшое положительное напряжение на затвор . Оно уменьшит толщину обедненного слоя и канал приоткроется. Эти транзисторы имеют очень короткий канал. Их изготавливают при относительно низких температурах. Что дает возможность получить резкие границы областей и малые размеры электродов.
Высокая подвижность носителей зарядов способствует увеличению быстродействия.
Всё это позволяет создавать Полевые транзисторы Шоттки с частотой до 30 ГГц.
Схемы включения этих транзисторов аналогичны включению полевых транзисторов.
|
|
|
Дата добавления: 2018-05-12; просмотров: 318; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!