Як звертатися до групи файлів
Часто виникає ситуація, коли треба працювати не з одним файлом, а з групою файлів.
Приклад 5. Операції з групою файлів:
• копіювання групи файлів з одного диска на інший;
• видалення групи файлів;
• переміщення групи файлів на інший диск,
• пошук групи файлів заданого типу і т.п.
Ці операції досить легко виконати, користуючись при формуванні імен і типів файлів шаблоном.
Шаблон імені файла спеціальна форма, в якій в полях імені і типу файла використовуються символи * або ? .
Символ* служить для заміни будь-якої послідовності символів. У шаблоні може бути використано в полі імені і типу по одному символу *.
Приклад 6.Задавши ім'я *.ТХТ, ви звернетеся до всіх текстових файлів. Задавши ім'я SD*.*, ви звернетеся до всіх файлів, ім'я яких починається на SD.
Символ ? служить для заміни одного символа. У шаблоні може бути використано декілька таких символів.
Приклад7. Ім'я RT??.BAS дозволить звернутися до всіх файлів типу BAS, ім'я яких складається з чотирьох символів, причому перші два символи обов'язково RT, третій і четвертий будь-який..
2. Оперативна пам’ять.
Оперативная память
Среди компьютерщиков бытует выражение: «Памяти много не бывает». Это полушутливое утверждение ежедневно подтверждается притязаниями на все больший объем памяти со стороны вновь выходящих программ. Уже не кажется безумной рекомендация иметь в компьютере гигабайт оперативной памяти, чтобы комфортно играть в авиационный симулятор. Не меньшие запросы и у профессиональных программ, особенно работающих с графикой.
|
|
К счастью, современное состояние рынка модулей памяти благоприятно для пользователей: технологии неуклонно развиваются, а цены снижаются. Такая тенденция сохранится и в обозримом будущем, поскольку готовые к промышленному производству революционные технологии в ближайшие годы вряд ли появятся. Сейчас практически определились стандарты на типы памяти, которые ориентированы на определенные сферы применения. Для дешевых систем это синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM), для основной массы ПК — память с удвоенной частотой обмена данными (DDR SDRAM), для серверов и мощных рабочих станций — память компании Rambus (RDRAM).
Таким образом, конфигурирование подсистемы памяти сводится к следующим этапам: выбору типа памяти, согласованию производительности (балансировке) подсистемы памяти и процессора, определению необходимого объема, выбору конкретных модулей памяти. Эти этапы в значительной степени перекликаются с рассмотренными ранее методиками подбора процессора и системной платы, поскольку касаются конфигурирования платформы в целом. В частности, выбор типа памяти происходит уже на этапе выбора системной платы, а балансировка производительности связана с выбором процессора. В принципе, для конфигурирования компьютера этого достаточно, однако далее мы будем рассматривать проблемы оптимальной настройки системы, поэтому есть смысл напомнить некоторые базовые понятия.
|
|
Основы динамической памяти
Двоичные нули и единицы в динамической памяти представлены уровнем напряжения в ее ячейках. Каждая ячейка состоит из транзистора и конденсатора. Наличие заряда на конденсаторе определяет, заперт транзистор или нет и, соответственно, состояние ячейки. Однако заряд с миниатюрного конденсатора утекает достаточно быстро даже через запертый транзистор. Поэтому ячейки требуют периодического обновления (перезарядки).
Ячейки собраны в двумерный массив, что облегчает их адресацию по номерам строк и столбцов. При обращении к ячейке динамической памяти сначала производится перезарядка, затем выборка строки и выборка столбца. Если число массивов велико, их группируют в банки. Это дает возможность ускорить обмен данными, например, выполняя считывание данных из одного банка и одновременно перезаряжая другой. Однако разбиение на банки вынуждает вводить дополнительную операцию выборки банка.
|
|
Перечисленные принципы лежат в основе любого типа динамической памяти (DRAM). В настоящее время в персональных компьютерах в качестве оперативной применяют только синхронную динамическую память (SDRAM). Главное преимущество SDRAM заключается в способности обрабатывать следующие обращения к памяти, не дожидаясь окончания предыдущей операции. При обращении к памяти команды и данные синхронизируются по фронту тактового сигнала. Пакетная передача данных, считанных из ячеек памяти, начинается после обработки команд выборки строки и столбца (на каждую из них уходит по два такта). Данные выдаются на каждом такте, причем команда выборки следующего столбца поступает еще до окончания выдачи первого пакета данных. Так работает память SDRAM.Принцип работы памяти SDRAM
Прямой преемницей SDRAM стала память с удвоенной частотой передачи данных — DDR (Double Data Rate) SDRAM. В памяти этого типа обработка.команд происходит по-прежнему синхронно с фронтом тактового сигнала, а вот передача данных синхронизируется как с фронтом, так с тылом тактового импульса. Другой важной особенностью памяти DDR SDRAM является архитектура с двукратной выборкой. Суть ее в том, что разрядность шины данных внутри модуля памяти в два раза больше, чем внешней шины. Тем самым обмен данными происходит пакетами, состоящими минимум из двух блоков, разрядность каждого из которых совпадает с разрядностью внешней шины.
|
|
Тактовый сигнал DDR SDRAM является дифференциальным и состоит из двух составляющих: обычной и находящейся к ней в противофазе. Синхронизирующим сигналом служит момент пересечения двух частей. Дифференциальный сигнал эффективно компенсирует дрожание тактовой частоты и позволяет использовать меньшие напряжения и, следовательно, более высокие тактовые частоты.
Модуль памяти DDR SDRAM обычно содержит восемь чипов памяти разрядностью 8 бит каждый, что при параллельном соединении дает 64-битную шину данных. Данные записываются побитно во все чипы одновременно. Каждая микросхема состоит из четырех банков, поэтому на модуле памяти образуется четыре 64-битных банка. Управляющие и адресные сигналы поступают на все чипы модуля по одной адресной шине. В итоге получается ассиметричная архитектура: узкая адресная шина и широкая шина данных, что снижает быстродействие.
Память типа Rambus DRAM заметно отличается от рассмотренной выше DDR SDRAM по своей архитектуре. Чипы в модуле подключаются к каналу, состоящему из 16-битных шин адресов и данных. Шины синхронизируются одинаково, поэтому нагрузка распределяется равномерно. Каждый чип хранит данные в своем диапазоне адресов, то есть обмен с ним происходит независимо от других чипов. Так как чип разделен на четыре банка, на модуле с восемью микросхемами образуется 32 независимых банка памяти.
Перспективным видом памяти считается DDR-II SDRAM, внедрение которого ожидается не ранее 2004 года. Характерной особенностью такой памяти является удвоение частоты буферов ввода-вывода при неизменной внутренней частоте ядра. При этом за каждый такт передается два блока данных (как в обычной памяти DDR). В итоге по сравнению с частотой синхронизации ядра ввод-вывод данных осуществляется на четырехкратной скорости. Хотя благодаря этому ухищрению скорость потокового ввода-вывода действительно учетверяется, величина задержек (латентность) определяется преимущественно собственной частотой ядра, а она для памяти DDR-II 400 МГц, как и для DDR SDRAM 200 МГц, и «старушки» РС100 SDRAM, по-прежнему равна 100 МГц. Отсюда необычно большие тайминги для новых видов памяти по сравнению с обычной SDRAM. Например, 4-4-4 для DDR-II 400 МГц соответствует циклу 2-2-2 для DDR 200 МГц или PC 100 SDRAM, что составляет 20 не.
Так как архитектура DRAM позволяет проводить с банком в каждый момент времени только одну операцию чтения или
Сравнение типов памяти
записи, в случае поступления запроса на противоположную операцию с банком она не может быть начата до завершения текущей. Если банков на модуле всего четыре (как в памяти SDRAM или DDR SDRAM), вероятность возникновения на реальных задачах таких конфликтов доступа весьма высока. Память RDRAM в этом смысле более гибкая, так как вероятность возникновения конфликтов при обращении к произвольным адресам многочисленных банков гораздо ниже.
К основным характеристикам оперативной памяти относятся тактовая частота, время доступа, параметры задержек, объем,
число банков и некоторые другие. Тактовая частота обычно прямо указывается в спецификации на память и в маркировке модулей. Причем для памяти DDR SDRAM указывают эффективную частоту обмена данными, то есть удвоенную по сравнению с физической частотой синхроимпульсов. Время доступа характеризует пиковые значения (в наносекундах) при обращении к памяти и обычно указывается в маркировке микросхем. Параметры задержек (иногда их называют таймингами) показывают, сколько тактов расходуется на обращение к произвольно выбранной ячейке и на последующее считывание данных в пакетном режиме. Например, запись 3-2-2 обозначает, что на первый пакет израсходовано три такта, а на все последующие — по два. Очевидно, что в случае перехода адреса цикл повторяется с теми же задержками
Физическая память
Процессор и архитектура системной платы (набора микросхем) определяют емкость физической памяти компьютера, а также типы и форму используемых модулей памяти. За прошедшие годы скорость передачи данных и быстродействие памяти значительно выросли. Скорость и разрядность памяти определяются процессором и схемой контроллера памяти. В современных компьютерах контроллер памяти включен в набор микросхем системной платы. В том случае, если система может физически поддерживать определенный объем памяти, тип программного обеспечения обуславливает уже более конкретные характеристики используемой памяти.
Объем физической памяти компьютера зависит от типа используемого процессора и архитектуры системной платы. В процессорах 8086 и 8088 с двадцатью линиями адреса объем памяти не превышает 1 Мбайт (1 024 Кбайт). Процессоры 286 и 386SX имеют 24 линии адреса и могут адресовать до 16 Мбайт памяти. Процессоры 386DX, 486, Pentium, Pentium MMX и Pentium Pro имеют 32 линии адреса и могут взаимодействовать с памятью объемом до 4 Гбайт. Процессоры Pentium II/III/4, а также AMD Athlon и Duron имеют 36 линий адреса и в состоянии обрабатывать 64 Гбайт. Новый процессор Itanium, с другой стороны, имеет 44-разрядную адресацию, что позволяет обрабатывать до 16 Тбайт (терабайт) физической памяти!
Режим эмуляции процессора 8088 микропроцессорами 286 и выше называется реальным режимом работы системы. Это единственно возможный режим процессоров 8088 и 8086 в компьютерах PC и XT. В реальном режиме все процессоры, даже всемогущий Pentium, могут адресовать только 1 Мбайт памяти, при этом 384 Кбайт зарезервировано для системных нужд. Полностью возможности адресации памяти процессоров 286 и последующих могут быть реализованы только в защищенном режиме.
Системы класса P5 могут адресовать до 4 Гбайт памяти, системы класса P6/P7 — до 64 Гбайт. Если внедрить поддержку 64 Гбайт (65 536 Мбайт) памяти в современную систему, то ее стоимость достигла бы примерно 70 тыс. долларов! Более того, объем наибольших модулей памяти DIMM, имеющихся на сегодняшний день, равен 1 Гбайт. Поэтому для установки 64 Гбайт оперативной памяти потребуется системная плата, содержащая 64 разъема DIMM. Следует заметить, что в большинстве систем поддерживается только до четырех разъемов DIMM.
Системные платы обычно содержат от трех до шести разъемов DIMM, которые позволяют при полном их заполнении достичь максимального объема 0,75-1,5 Гбайт. Максимальный объем установленной памяти определяется не процессором, а большей частью свойствами набора микросхем. Существующие процессоры позволяют адресовать, как уже отмечалось, до 64 Гбайт памяти, но возможности наборов микросхем ограничены объемом в 1 Гбайт.
Существует еще целый ряд определенных ограничений. Первые системы класса P5 появились в 1993 году, но только с 1997 года (или даже позже) в этих компьютерах стали использоваться наборы микросхем системной логики, поддерживающие память SDRAM DIMM. Более того, наборы микросхем класса P5, например Intel 430TX, поддерживают теоретически 256 Мбайт оперативной памяти, а на самом деле не более 64 Мбайт, что связано с ограничением объема кэшируемой памяти. Так что для систем класса P5 более 64 Мбайт памяти следует устанавливать только при условии, что кэш-память второго уровня конкретной системной платы сможет взаимодействовать с таким объемом памяти. Современные системные платы поддерживают, в зависимости от их разновидностей, до 256 и 512 Мбайт или 1 Гбайт RAM.
Модули SIMM и DIMM
Изначально оперативная системная память устанавливалась в виде отдельных микросхем, которые благодаря своей конструкции получили название микросхем с двухрядным расположением выводов (Dual Inline Package — DIP). Системные платы оригинальных систем IBM XT и АТ содержали до 36 разъемов, предназначенных для подключения микросхем памяти. В дальнейшем микросхемы памяти устанавливались на отдельных платах, которые, в свою очередь, подключались в разъемы шины. Я до сих пор помню, сколько времени отнимала эта утомительная и однообразная работа.
При использовании микросхем DIP, требующих существенных затрат времени и сил, возникала еще одна печально известная проблема: через какое-то время, в результате термодинамических циклов микросхемы памяти выходили из своих гнезд. Это было связано с периодическим нагреванием и охлаждением компьютера, возникающим при включении и выключении питания. В конечном счете это приводило к потере контактов и появлению ошибок памяти. К счастью, для решения этой проблемы было достаточно повторно вставить микросхему в соответствующее гнездо.
В одном из альтернативных вариантов микросхемы памяти впаивались в системную плату или плату расширения. Это позволяло избежать потери контактов и делало соединение более надежным, но в то же время вызывало другую проблему. При повреждении одной из микросхем памяти на ее место приходилось впаивать другую или прибегать к замене системной платы или платы расширения, на которой она была установлена. В результате стоимость такой памяти была слишком высокой.
Модуль памяти, объединивший в себе все необходимые свойства, получил название SIMM. В современных системах используются модули памяти с однорядным расположением выводов (Single Inline Memory Module — SIMM), с двухрядным расположением выводов (Dual Inline Memory Module — DIMM) или, в качестве альтернативы отдельным микросхем памяти, модули RIMM. Модули памяти представляют собой платы небольшого размера, подключаемые в специальные разъемы системных плат или плат расширения. Микросхемы памяти впаиваются прямо в плату модуля, а потому их удаление или замена невозможны. Поэтому в случае повреждения отдельной микросхемы придется заменить весь модуль памяти. По сути, модуль памяти можно считать одной микросхемой RAM большой емкости.
На сегодняшний день существует два основных типа модулей SIMM, два основных типа модулей DIMM и только один тип модулей RIMM. Все они используются в настольных системах. Типы модулей различаются количеством выводов, шириной строки памяти или типом используемой памяти.
Существует, например, два основных типа модулей SIMM: 30-контактный (8 бит плюс 1 дополнительный бит контроля четности) и 72-контактный (32 бит плюс 4 дополнительных бита контроля четности), обладающие различными свойствами. 30-контактный модуль SIMM имеет меньшие размеры, причем микросхемы памяти могут быть расположены как на одной стороне платы, так и на обеих.
Также есть два типа модулей DIMM. Модули памяти DIMM обычно содержат стандартные микросхемы SDRAM или DDR SDRAM и отличаются друг от друга физическими характеристиками. Стандартный модуль DIMM имеет 168 выводов, по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза в области контакта. Модули DDR DIMM, в свою очередь, имеют 184 вывода, по два паза с каждой стороны и только один паз в области контакта. Ширина тракта данных модулей DIMM может быть равна 64 разрядам (без контроля четности) или 72 разрядам (с контролем четности или поддержкой кода коррекции ошибок ЕСС). На каждой стороне платы DIMM расположены различные выводы сигнала. Именно поэтому они называются модулями памяти с двухрядным расположением выводов. Эти модули примерно на один дюйм (25 мм) длиннее модулей SIMM, но благодаря своим свойствам содержат гораздо больше выводов.
Модуль памяти RIMM также двухсторонний. На сегодняшний день существует только один 184-контактный модуль, имеющий по одному радиусному пазу с каждой стороны и два паза, расположенных в центральной части области контакта. Ширина тракта данных модуля RIMM достигает 16 (без поддержки кода коррекции ошибок) или 18 бит (с поддержкой кода коррекции ошибок).
На рис. 6.5-6.7 показаны типичные 30- и 72-контактные модули SIMM, а также 168-контактный модуль SDRAM DIMM.
Модули памяти весьма компактны, учитывая их емкость. В данный момент существует несколько их разновидностей, которые отличаются разной емкостью и быстродействием. В табл. 6.6 приведены емкости 30- и 72-контактных модулей SIMM, 168-контактных модулей DIMM и 184-контактных модулей RIMM.
Микросхемы динамической памяти (DRAM), установленные в модулях разных типов (SIMM, DIMM или RIMM), могут иметь различное быстродействие. Для модулей SIMM эта величина изменяется от 50 до 120 нс. Существуют различные версии модулей DIMM с частотами PC66, PC100 и PC133 (соответственно 66, 100 и 133 МГц). Модули памяти DDR DIMM имеют частоту PC 1600 и PC2100 (1600 и 2100 Мбайт/с соответственно).
Если в систему требуется установить память с определенной частотой, то всегда можно воспользоваться модулем, частота которого выше требуемой величины. Следует заметить, что каких-либо проблем при использовании модулей памяти с разной частотой обычно не возникает. Разница в их стоимости достаточно невелика, поэтому я обычно покупаю модули памяти, частота которых выше, чем это необходимо для выполнения определенных приложений. Это позволяет использовать их при следующей модернизации системы.
Модули памяти DIMM и RIMM содержат в себе встроенное ПЗУ (ROM), передающее параметры синхронизации и скорости модулей, поэтому рабочая частота контроллера памяти и шины памяти в большинстве систем соответствует наименьшей частоте установленных модулей DIMM/RIMM. Большинство модулей DIMM содержат микросхемы памяти SDRAM, т.е. передача данных происходит в виде высокоскоростных пакетов, использующих синхронизируемый интерфейс. В модулях DDR DIMM также используются микросхемы SDRAM, но передача данных выполняется дважды в течение одного такта, т.е. вдвое быстрее. Микросхемы памяти SDRAM поддерживают частоту шины до 133 МГц, в то время как модули памяти DDR DIMM — до 266 МГц.
Таблица 6.6. Емкость модулей SIMM и DIMM
Емкость | Модули с контролем четности | Модули без контроля четности |
30-контактные модули SIMM | ||
256 Кбайт | 256 Кбайт×9 | 256 Кбайт×8 |
1 Мбайт | 1 Мбайт×91 | 1 Мбайт×8 |
4 Мбайт | 4 Мбайт×94 | 4 Мбайт×8 |
16 Мбайт | 16 Мбайт×9 | 16 Мбайт×8 |
72-контактные модули SIMM | ||
1 Мбайт | 256Кбайт×36 | 256 Кбайт×32 |
2 Мбайт | 512Кбайт×36 | 512Кбайт×32 |
4 Мбайт | 1 Мбайт×361 | 1 Мбайт×32 |
8 Мбайт | 2Мбайт×36 | 2 Мбайт×32 |
16 Мбайт | 4 Мбайт×364 | 4 Мбайт×32 |
32 Мбайт | 8 Мбайт×368 | 8 Мбайт×32 |
64 Мбайт | 16 Мбайт×36 | 16 Мбайт×32 |
128 Мбайт | 32 Мбайт×36 | 32 Мбайт×32 |
168-контактные модули DIMM | ||
8 Мбайт | 1 Мбайт×72 | 1 Мбайт×64 |
16 Мбайт | 2 Мбайт×72 | 2Мбайт×64 |
32 Мбайт | 4 Мбайт×72 | 4 Мбайт×64 |
64 Мбайт | 8 Мбайт×72 | 8 Мбайт×64 |
128 Мбайт | 16 Мбайт×72 | 16 Мбайт×64 |
256 Мбайт | 32 Мбайт×72 | 32 Мбайт×64 |
512 Мбайт | 64 Мбайт×72 | 64Мбайт×64 |
1024 Мбайт | 128Мбайт×72 | 128Мбайт×64 |
184-контактные модули RIMM | ||
64 Мбайт | 32Мбайт×18 | 32 Мбайт×16 |
128 Мбайт | 64Мбайт×18 | 64Мбайт×16 |
256 Мбайт | 128Мбайт×18 | 128Мбайт×16 |
Білет №5
1. Команди для роботи з файлами в DOS.
Дата добавления: 2018-04-15; просмотров: 352; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!