Система условных обозначений (маркировка)
Первый элемент: буква П-класс биполярных транзисторов, или две буквыМПдля транзисторов в корпусе, герметизируемых способом холодной сварки.
Второй элемент: одно-двух-трехзначное число, порядковый номер разработки, подкласс транзистора по роду исходных полупроводниковых материалов, значениями допустимой рассеиваемой мощности и граничной (предельной) частоты.
От 1 до 99 - германиевые маломощные низкочастотные транзисторы
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы
От 300 до 399– кремниевые мощные низкочастотные транзисторы
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧмощные транзисторы
Третий элемент (может отсутствовать): буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготавливаемых по единой технологии.
2.2Выписал справочные данные выбранного из таблицы №1 транзистора, используя справочную литературу. По справочной литературе изучил маркировку транзисторов.
|
Наименование |
Обозначение | Значения | Режимы измерения | |||||||||
| Мини- мальное | Макси- мальное | 
В
| Uэ,В |  ,
мА
|  ,
мА
|  ,
мА
| ||||||
| Обратный ток коллектор - эмиттер при запирающем смещении, мА | Iкэх | 25 | 15 | 0,5 | ||||||||
| Напряжение насыщения коллектор -эмиттер, В | Uкх нас | 0,2 | 10 | 1 | ||||||||
| Напряжение насыщения база – эмиттер, В | Uбэ нас | 0,4 | 3 | 10 | 1 | |||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ МП42 МП42А МП24Б | h21э | 20 30 45 | 35 50 100 | 1 1 1 | 10 10 10 | |||||||
| Наименование
| Обозначение | Значения | Режимы измерения
 Мы поможем в написании ваших работ! | |||||||||