ИМС с организованными шариковыми выводами

⇐ ПредыдущаяСтр 5 из 17Следующая ⇒

Характерная особенность кристаллов с шариковыми выводами состоит в том, что все выводы формируются в пределах кристалла на его лицевой стороне, а монтаж производится лицевой стороной вниз по методу перевернутого кристалла - флип-чип-монтаж.

Использование ИМС с шариковыми и столбиковыми выводами обеспечивает следующие преимущества:

· высокую плотность активных элементов и ИМС на кремниевой пластине, так как внешние выводы не требуют дополнительной площади кристалла;

· возможность автоматизации операции монтажа элементов на платы, ее высокую производительность;

· хорошую ремонтопригодность;

· возможность матричного расположения контактных площадок и очень малая протяженность межконтактных соединений, что сводит к минимуму величину их индуктивности.

Недостатками монтажа по методу перевернутого кристалла являются:

· худшие тепловые характеристики (по сравнению с кристаллом, присоединенным обычным способом);

· трудность обеспечения гарантированного присоединения выводов при групповом процессе пайки;

· сильное влияние внутренних механических напряжений из-за разницы ТКЛР кристалла и подложки;

Автоматизированная сборка с использованием ленты-носителя (АСЛН)

Эту технологию часто называют ТАВ-технологией (Таре Automated Bonding). Автоматизированный монтаж кристаллов осуществляется с использованием гибкого носителя с ленточными выводами, изготавливаемого отдельно (технологически не связанного с кристаллом), с применением фотолитографии по слою алюминия (или меди), расположенному на тонком полимерном основании. После полной аттестации СБИС на носителе производится вырубка и затем монтаж СБИС КГА в МКМ.

Типы гибких носителей можно разделить на три группы: однослойные, многослойные (дву- и трехслойные) и пространственные.

Одноточечная автоматизированная сборка на ленту-носитель

Метод переноса объемных выводов (ОВ)

Констуктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных микросхем на гибких полиимидных носителях.

Бескорпусные БИС изготавливают с гибкими проволочными выводами, на полиимидном носителе и с объемными выводами. На коммутационной плате БИС на полиимидном носителе занимают площадь, в 4 - 10 и более раз меньшую по сравнению с микросхемами в корпусах.

Одноточечная автоматизированная сборка на ленту-носитель

Метод переноса объемных выводов (ОВ)

Полиимидные носители с алюминиевыми балочными выводами присоединяют к алюминиевым контактным площадкам кристаллов БИС ультразвуковой микросваркой. В этом случае при взаимодействии материалов вывода и контактной площадки образуется надежное однокомпонентное микросварное соединение.

Медь и алюминий технически несовместимы при микросварке и пайке, поэтому присоединять медные, покрытые олово-висмутом балочные выводы полиимидного носителя к алюминиевым контактным площадкам кристаллов формированием объемных выводов (на кристалле - золотые или припой-ные, на носителе – золотые)

Присоединение носителя может быть осуществлено пайкой или термокомпрессионной сваркой. Объемные золотые выводы на носителе формируют импульсной пайкой с образованием золото-оловянного эвтектического сплава, термокомпрессионной сваркой с золотым покрытием медной балки, а также лазерной импульсной пайкой или сваркой.

Кристаллы БИС на полиимидном носителе устанавливают на коммутационные платы (без ограничений их по материалам) лицевой стороной вверх или вниз.

Последовательность операций по установке и присоединению выводов БИС на полиимидном носителе следующая:

1. обрубка технологической (измерительной) части носителя;

2. формовка балочных (ленточных) выводов;

3. установка БИС на коммутационную плату;

4. присоединение выводов носителя к контактным площадкам коммутационной платы.

При установке кристаллов БИС лицевой стороной вверх на поверхность коммутационной платы 4 балочные выводы 2 вблизи кристалла 3 слегка отгибаются вверх, затем вниз к основанию кристалла и далее параллельно плоскости коммутационной платы 4 вдоль контактной площадки 1 . Выводы такой формы не касаются края кристалла и обладают достаточной упругостью. Таким образом исключается электрическое замыкание элементов БИС и полупроводниковой подложки кристалла, а также происходит демпфирование напряжений при значительной разности ТКЛР материалов кристалла и коммутационной платы. Балочные (ленточные) выводы, изготовленные из меди и алюминия, легко формуются.

Дата добавления: 2018-02-18; просмотров: 900; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 1 2 3 456 7 8 9 10 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!