Полевой транзистор с индуцированным каналом
Транзисторы с индуцированным каналом отличаются тем, что область канала приобретает электропроводность заданного типа лишь при наличии напряжения на затворе: отрицательного в транзисторе с подложкой из кремния n - типа и положительного в транзисторе с подложкой из кремния p - типа.
Рассмотрим принцип работы транзистора с индуцированным затвором на примере транзистора с подложкой из кремния p - типа (рис.4.30).
Рис.4.30. Изображение транзистора с индуцированным каналом :1 - исток; 2 - затвор; 3 - сток; 4 - подложка (рисунок выполнен авторами)
Сток и исток представляют собой в этом случае n - области. Когда на затворе нет напряжения, ток в канале очень мал, так как снова имеем два встречновключённых p - n перехода. При подаче напряжения на затвор транзистора, положительного относительно подложки, в диэлектрике образуется электрическое поле, силовые линии которого направлены так, как показано на рисунке. Это поле начнёт вытеснять дырки из поверхностного слоя (из канала) вглубь проводника. При некотором напряжении на затворе, называемым пороговым напряжением, дырки вытесняются из области канала, а их место занимают электроны, втянутые полем из объёма полупроводника (это явление называется «обогащение носителями»). Канал становится проводящим (n - типа) и соединяет собой области стока и истока, также n - типа. Образуется однородная среда. Если к стоку приложить напряжение, то протекает ток, образованный электронами. При увеличении положительного напряжения, прикладываемого к затвору, канал расширится и ток, протекающий в цепи исток - канал - сток увеличится. В транзисторе с подложкой из кремния n - типа процесс происходит аналогично, только на затвор подают отрицательное напряжение. Условные обозначения полевых транзисторов изображены на рис.4.31.
|
|
|
Рис.4.31. Условные графические обозначения полевых транзисторов: 1 - затвор; 2 - сток; 3 - исток; 4 - вывод подложки (рисунок выполнен авторами)
а - транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа;
б - транзистор с управляющим p-n переходом и каналом p-типа;
в - с изолированным затвором обеднённого типа с n-каналом;
г - с изолированным затвором обеднённого типа с p-каналом;
д - транзистор с p-каналом и выводом от подложки;
е - с изолированным затвором обеднённого типа, n-каналом и внутренним соединением подложки и истока;
ж - с двумя изолированными затворами обеднённого типа с p-каналом и внутренним соединением подложки и истока;
з - а двумя изолированными затворами обогащённого типа с p-каналом;
и - с двумя изолированными затворами обогащённого типа с n-каналом и выводом от подложки.
Схемы включения:На практике чаще всего используются схема включения транзистора с общим эмиттером. Дело в том, что использование в первую очередь истока позволяет получить значительное усиление тока и мощности. При этом, когда используется схема включения транзистора с общей базой, не увеличивается показатель тока. Поэтому показатель мощности увеличивается значительно меньше, чем в случае с эмиттером. Также при ставке на базу необходимо понимать, что схема тогда имеет низкий показатель входного сопротивления. Поэтому использование такого подхода на практике сильного ограничено в усилительной технике. Что ж, начнём рассматривать схемы включения полевых транзисторов. Схема с общим истоком Истоком называют электрод, через который в канал поступают носители основного заряда. Это схема включения полевого транзистора, у которого управляющий p-n-переход использует данную деталь в общем режиме. Схема с общим стоком Стоком называют электрод, через который уходят носители основного заряда. Это схема, где включается полевой транзистор, который имеет управляющий p-n-переход и использует в общем режиме эту деталь. Схема с общим затвором Затвор – это электрод, который служит для регуляции поперечного сечения канала. Перед вами схема, где включен полевой транзистор, у которого управляющий p-n-переход использует в общем режиме эту деталь.
|
|
|
ОБЩИЙ ИСТОК
ОБЩИЙ СТОК
ОБЩИЙ ЗАТВОР
Дата добавления: 2018-02-18; просмотров: 1376; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!