Установке заготовки в призме: 1 - заготовка; 2 - призма.
В соответствии с конструкторскими соображениями может потребоваться соблюдение любого из размеров h, m или n ( см. рис.2).
В зависимости от того, какой из этих размеров ограничен на чертеже соответствующим допуском, возможны принципиально различные случаи. В первом случае исходной базой служит центр С, во втором - точка А, в третьем - точка В( см. рис. 2).
Схема базирования цилиндров и дисков с помощью призмы является основной: расчетные погрешности базирования других способов установки цилиндров и дисков получаются как частные случаи.
1. Требуется выдержать размер h.
Положение исходной базы - центра С по отношению к призме (технологическая база - точка О) обуславливается вектором ОС. Проецируя этот вектор на направление выдерживаемого размера h, получим:
L = MC = OC cos g.
Из DOCK находим 
, где a - угол призмы, D - диаметр заготовки.
Следовательно ,
.
Полный дифференциал :
,
а поле рассеивания погрешности базирования
eб.действ 
, (8)
где TD - допуск по диаметру заготовки.
Как видно из из выражения (8) , eб.действ при данном угле призмы a зависит от угла g.
В случае, если g = 0
eб.действ 
;
|
|
|
при g=45° и a=90°
eб.действ 
.
Схему базирования, показанную на рис.6 , можно рассматривать как случай, когда g=90°, поэтому
eб.действ = 0.
|
|
Рис. 6. Случай g=90° при базировании в призме.
При установке в самоцентрирующем приспособлении ( в трехкулачковом самоцентрирующем патроне, самоцентрирующих тисках и т.д. ) центр всех заготовок, независимо от их диаметра, будет занимать неименное положение. Вследствие этого, как и в предыдущем случае eб.действ = 0.
2. Требуется выдержать размер m (рис. 7) .
Положение исходной базы - точки А - по отношению к призме обуславливается вектором ОА. Проецируя этот вектор на направление размера m, получим :
L = MA = CM - CA.
|
|
Рис. 7. Расчетная схема
Базирования в призме при
выдерживании размера m.
Из D ОСМ имеем :
СМ = OC cos g = 
.
Очевидно, что
CA = 
.
|
|
|
Следовательно,
L = - = 
.
Тогда полный дифференциал по формуле (3) :
DL = 
,
а поле рассеяния, соответствующее действительной погрешности базирования, составит
eб.действ . (9)
Погрешность базирования равна нулю в следующих случаях:
а) если cosg = sin (a/2), в частности, при a = 90°, если g = 45° ;
б) при g = 0° и a = 180° (т.е. при установке на плоскость).
При базировании по схеме, показанной на рис.6, что соответствует g = 90°,
eдейств .
В случае, когда g = 0
eб.действ 
.
3. Требуется выдержать размер n( рис. 8).
Положение исходной базы - точки В - относительно призмы обуславливается вектором ОВ. Проецируя последний на направление выдерживаемого размера n, получим:
|
|
L = MB = MC + CB = 
.
Рис. 8. Расчетная схема бази-
|
|
|
Рования в призме при
выдерживании размера n.
Тогда полный дифференциал по формуле (3) :
DL = 
,
а поле рассеяния, соответствующее действительной погрешности базирования, составит:
eб.действ . (10)
При g = 0° , имеем :
eб.действ 
.
При g = 90° и a = 180° оказывается, что eб.действ = ТD.
Сопоставление различных схем базирования
Допустим, что у шайбы, показанной на рис. 9,а , нужно просверлить отверстие и выдержать размер m с соответствующим допуском. Сравним при помощи выведенных зависимостей две схемы кондукторов, схематически показанных на рис. 9,б и в.
|
|
а) б) в)
Рис. 9. Варианты конструкции сверлильного приспособления - кондуктора.
|
|
|
Схема кондуктора на рис. 9,б аналогична схеме, приведенной для размера m выше (см. рис. 2) при g = 0° (см. рис. 5). Поэтому
e’б.действ .
Схема кондуктора на рис. 9,в аналогична схеме, приведенной выше для размера n (см. рис. 2), следовательно,
e’’б.действ .
Отношение
(11)
.
При a=90°
Таким образом, несущественная , с первого взгляда, разница в схемах конструкций кондукторов ведет к увеличению значения eб.действ при второй схеме по сравнению с первой почти в 6 раз.
Дата добавления: 2018-02-18; просмотров: 699; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!