Статические характеристики для схемы с ОЭ
Входная характеристика
Зависимость IБ = f(UБ) при UK = const. Ее называют еще базовой
характеристикой ( рис.8.1).
Рис.8.1
С ростом напряжения UK ток IБ уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении UK растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении, уменьшается вероятность рекомбинации носителей в базе, т.к. почти все носители быстро втягиваются в коллектор.
Выходная характеристика
(рис.8.2)
Зависимость Iк = f(Uк) при Iб = const
Рис.8.2
Напряжение, приложенное к коллекторному переходу равно UКЭ - UБЭ, т.к. эти напряжения, включенные между точками коллектор - база оказались включенными встречно (рис.8.3).
Поэтому при UKЭ <UБЭ напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ = 0 до UKЭ = UБЭ велика.
На участке UKЭ >UБЭ крутизна характеристик уменьшается, они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от IБ.
Замечание: cовокупность UК=, IК= (напряжение и ток коллектора, при отсутствии входного переменного сигнала) называется рабочей точкой транзистора.
|
|
Рис.8.3
Системы малосигнальных параметров БТ
Эти параметры используются при расчете усилительных устройств.
Под малым сигналом понимают такое, например синусоидальное напряжение сигнала
Uс = sinwt, величина амплитуды напряжения которого значительно меньше постоянных напряжений смещения на электродах транзистора.
В пределах изменения напряжения малого сигнала статические характеристики транзистора считаются линейными.
Для анализа работы транзистора пользуются его эквивалентными схемами. Транзистор в них рассматривается как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима и обладающие способностью усиливать мощность подводимых к нему колебаний.
В электротехнике такое устройство получило название активного четырехполюсника.
Из теории четырехполюсников известно, что он может быть описан системой 2-х линейных уравнений параметров.
Наиболее удобными для рассмотрения транзисторных схем являются:
1. Система z-параметров (параметрых имеют размерности сопротивлений)
(16)
|
|
2.Система y-параметров, или параметров короткого замыкания (параметры y имеют размерности проводимостей)
(17)
- Система h-параметров, смешанная система параметров, получившая наибольшее распространенеие
(18)
При практическом определении h-параметров могут быть использованы действующие и максимальные значения входных токов и напряжений или их приращения.
Величины h-параметров зависят от схемы включения, поэтому в их обозначение вводится индекс, показывающий, для какой схемы они определены, например h11б, h11э, h11к,
В справочниках указываются преимущественно значения параметров в типовой рабочей точке. В других точках статических характеристик h-параметры можно определить из семейств входных и выходных характеристик транзистора. Для этого значения токов и напряжений представляют в виде конечных приращений
- определяется по входной статической характеристике
- определяется совместно по входной и выходной статическим характеристикам
- определяется по выходной статической характеристике
|
|
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 666; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!