Статические характеристики для схемы с ОЭ



Входная характеристика

Зависимость IБ = f(UБ) при UK = const. Ее называют еще базовой

характеристикой ( рис.8.1).

               

                                                 Рис.8.1

 

С ростом напряжения UK ток IБ уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении UK растет на­пряжение, приложенное к коллек­торному переходу в обратном на­правлении, уменьшается вероятность рекомбинации носителей в базе, т.к. почти все носители быстро втягива­ются в коллектор.

 

Выходная характеристика

(рис.8.2)

Зависимость Iк = f() при Iб = const

 

         

                                                     Рис.8.2

 

Напряжение, приложенное к коллекторному переходу равно UКЭ - UБЭ, т.к. эти напряжения, включенные между точками коллектор - база оказались включенны­ми встречно (рис.8.3).

Поэтому при UKЭ <UБЭ напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ = 0 до UKЭ = UБЭ велика.

На участке UKЭ >UБЭ крутизна характеристик уменьшается, они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выход­ных характеристик зависит, главным образом, от IБ.

Замечание: cовокупность UК=, IК= (напряжение и ток коллектора, при отсутствии входного переменного сигнала) называется рабочей точкой транзистора.

                             

                        

                                                     Рис.8.3

Системы малосигнальных параметров БТ

Эти параметры используются при расчете усилительных устройств.

Под малым сигналом понимают такое, например синусоидальное напряжение сигнала 

Uс = sinwt, величина амплитуды напряжения которого значительно меньше постоянных напряжений смещения на электродах транзистора.

В пределах изменения напряжения малого сигнала статические характеристики транзистора считаются линейными.

Для анализа работы транзистора пользуются его эквивалентными схемами. Транзистор в них рассматривается как устройство, имеющее два входных и два выходных зажима и обладающие способностью усиливать мощность подводимых к нему колебаний.

 

 

 

В электротехнике такое устройство получило название активного четырехполюсника.

 

 

 

Из теории четырехполюсников известно, что он может быть описан системой 2-х линейных уравнений параметров.

Наиболее удобными для рассмотрения транзисторных схем являются:

1. Система z-параметров (параметрых имеют размерности сопротивлений)

 

                                                    (16)

2.Система y-параметров, или параметров короткого замыкания (параметры y имеют размерности проводимостей)

 

                                                 (17)

 

  1. Система h-параметров, смешанная система параметров, получившая наибольшее распространенеие

 

                                                            (18)

При практическом определении h-параметров могут быть использованы действующие и максимальные значения входных токов и напряжений или их приращения.

Величины h-параметров зависят от схемы включения, поэтому в их обо­значение вводится индекс, показывающий, для какой схемы они определены, например h11б, h11э, h11к, 

В справочниках указываются преимущественно значения параметров в типовой рабочей точке. В других точках статических характеристик h-параметры можно определить из семейств входных и выходных характеристик транзистора. Для этого значения токов и напряжений представляют в виде конечных приращений

                                     

- определяется по входной статической характеристике

 

- определяется совместно по входной и выходной статическим характеристикам

 

- определяется по выходной статической характеристике

 


Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 666; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!