Основные параметры выпрямительного диода

1. Максимально допустимый прямой ток диода Inр. max

2. Прямое напряжение Unp ~ значение прямого напряжения на диоде при заданном значении прямого тока;

3. Максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max

4. Максимальная допустимая рассеиваемая мощность Рдоп.max

Стабилитрон

Условное графическое обозначение

Стабилитрон - полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. В качестве материала для полупроводниковых стабилитронов используется, как правило, кремний, обладающий более высокой температурной стабильностью.

ВАХ стабилитрона показана на рис.3.1

Рис.3.1 ВАХ стабилитрона

В прямом направлении ВАХ стабилитрона практически не отличается от прямой ветви любого кремниевого диода.

Обратная ветвь ВАХ (рабочая) имеет вид прямой вертикальной линии, проходящей почти параллельно оси токов.

Нормальным режимом работы стабилитрона является работа при обратном напряжении на участке электрического пробоя р-п-перехода.

При изменении в широких пределах тока через прибор падение напряжения на нем практически не изменяется. Это свойство кремниевых диодов и позволяет использовать их в качестве стабилизатора напряжения.

Для того, чтобы предотвратить тепловой пробой в конструкции стабилитрона предусмотрен отвод тепла от р-п-перехода.

Пример: Схема включения стабилитрона

Распространенная схема стабилизации постоянного напряжения, рис.3.2:

Рис.3.2 Схема параметрического стабилизатора напряжения

При изменении величины входного напряжения или нагрузки выходное напряжение стабилизатора остается постоянным.

Выходное напряжение стабилизатора не может быть абсолютно стабильным. Приращения DU_cm малы, но все же зависят от приращений входного напряжения DU ип.

Uип = U cm + I _R0R₀ , где r_о - токоограничивающий резистор.

I _R0= (U ип - U cm)/ R₀,

при приращении входного напряжения U ип+D U ип

I’_R0= (U вх+D U ип - U cm)/ R₀

и I’_R0 > I _R0

а т. к. напряжение на нагрузке постоянно и равно напряжению стабилизации (ток через Iн не меняется), то ток через стабилитрон увеличится.

Параметром, определяющим качество стабилизатора является коэффициент стабилизации.

Коэффициент стабилизации определяется, как отношение относительного изменения напряжения на входе стабилизатора к относительному изменению стабилизированного напряжения на выходе:

(при этом ток 1_Н считается постоянным).

Основные параметры стабилитронов

1 . Напряжение стабилизации (3 - 200B).

2. Минимальный ток стабилизации 1_ст (~3 мА) - значение тока протекающего через стабилитрон, при котором возникает устойчивый пробой.

3. Максимальный ток стабилизации 1_гт (~20 мА – 1А) — значение тока протекающего через стабилитрон, при котором мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает допустимого значения.

4. Максимальная мощность рассеяния P_pa_с_c = U_cm • I_cm - наибольшая мощность, выделяемая на p-n-переходе, при которой не возникает теплового пробоя перехода.

5. Дифференциальное сопротивление r_cm = D U_cm_/ D I_cm отношение приращения напряжения на стабилитроне к приращению тока в режиме стабилизации. Характеризует степень стабильности напряжения стабилизации при изменении тока пробоя.

На участке стабилизации r_cm ~ const; r_cm =0,5- 200 Ом.

6. Температурный коэффициент напряжения (TKU) стабилизации

где t₁°C - исходная температура.

TKU = 0,1 ...0,01%/°С

Обозначение диодов

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код -X X X X X X(например,

КД243А)

1-ый элемент (буква или цифра) обозначает исходный материал:

Г (1) - германий;

К (2) - кремний;

А (3) - соединения галлия.

Если стоит не буква, а цифра, то это означает, что прибор может работать при повышенных температурах (германиевый прибор при 70 С; кремниевый при 120°С).

2-ой элемент (буква) указывает на тип полупроводникового диода:

Д - выпрямительные, универсальные, импульсные;

А - сверхвысокочастотные;

С - стабилитроны и стабисторы;

И - туннельные и обращенные;

В - варикапы и т.д.

3-ий элемент (цифра) - число, определяющее назначение и качественные свойства диодов.

1 - выпрямительные диоды малой мощности (1пр_ср ^< 0,3А);

2 - выпрямительные диоды средней мощности (0,3А< 1прср < 10А);

……

4 - импульсные диоды с временем восстановления меньше 500нс.

……

У стабилитронов 3-ий элемент обозначения определяет индекс мощности. Например:

Р_тах < 0,3Вт: 1 - Ucmaб < 10в

2 - 10B < U_cma₆ < 99B;

3 -100В < U_стаб< 199В.

0.3Bт <P_max < 5Вт: 4- Ucmaб <10В;

……..

4-ый и 5-ый элем.(цифры) - порядковый номер разработки (от 0 до 99).

У стабилитронов - это обозначение напряжения стабилизации.

Пример: КД243А –диод полупроводниковый, выпрямительный, кремниевый, среднеймощности( 0,3А<Iпр <10A), номер разработки 43, группа А (Uобр.max =50В)

Пример: КС156А-кремниевый стабилитрон с напряжением стабилизации 5,6В

6-ой элемент(буквенный) определяет разновидность прибора по технологическим признакам, а у стабилитронов и стабисторов - указывает на последовательность разработки.

Пример: ГД412А- диод полупроводниковый, германиевый, универсальный, германиевый, номер разработки 12, группа А.

Обозначение транзисторов

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код – ХХХХХХ (например,

КТ315А)

1. 1-ый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:

Г или 1 - для германия или его соединений;

К или 2 - для кремния или его соединений;

А или 3 - для соединений галлия;

И или 4 - для соединений индия.

2. 2-ый элемент - буква,определяющая подкласс (или группу) транзистора:

Т - для биполярных транзисторов;

П - для полевых.

3. 3-ый элемент - цифра,определяющая функциональные возможности транзистора.

Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной

рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;

2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; для транзисторов

средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5

Вт):

4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц; для транзисторов

большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;

8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;

4,5,(6)-ый элементы - числа, обозначающее, порядковый номер разработки транзистора.

* последний - буква, условно определяющая классификацию транзисторов

по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через

дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию

конструктивного исполнения;

1-е гибкими выводами без кристаллодержателя (поддожки);

2-е гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3-е жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов;]

Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 859; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:

⇐ Предыдущая 123 4 5 6 7 Следующая ⇒

Мы поможем в написании ваших работ!