Фототиристоры и фотосимисторы
Это тиристоры и симисторы с фотоэлектронным управлением, в которых УЭ заменен оптронной парой (светодиод – фотодиод со схемой управления). Такой прибор потребляет по входу управления ток около 1,5 мА (фирма «Сименс», прибор СИТАК) и коммутирует в выходной цепи ток до 0,3А, при напряжении до 600В. Малое потребление тока управления позволяет подключать СИТАК непосредственно к ТТЛ, МОП-логике (ЛС на рис.4.56) или микропроцессору (МП на рис.4.56) . Пример схемы – на рис.4.56.
Рисунок 4.56 – Схема включения прибора СИТАК
Главное достоинство – полная (гальваническая) развязка цепи управления (логической схемы) и силовой исполнительной сети (сеть 220В и больше).
СИТ – транзисторы (ПТ со статической индукцией)
Создан У. Шекли (США) и Нимизава (Япония) в г.
Структура СИТ – транзистора приведена на рис. 4.57а). По сути это ПТУП, но с вертикальным расположением канала.
а) – структура, б) – обозначение с – каналом
Рисунок 4.57 – СИТ – транзистор
Особенности:
1. При эта структура работает, как БТ.
2. При работает, как ПТ.
Выходные ВАХ приведены на рис. 4.58.
Рисунок 4.58 – Выходные ВАХ для СИТ – транзистора.
На одном кристалле размещают большое количество таких структур и при параллельном соединении , т.е. это уже силовой электронный прибор, который можно использовать в энергетической электронике.
|
|
БТ с изолированным затвором (БТ ИЗ). IGBТ (фирма Semikron (Германия) и TOSHIBA Semiconductor – Япония)
БТИЗ выполняют, как сочетание входного МОП транзистора и выходного БТ со структурой n-p-n. Имеется много разновидностей, но наибольшее распространение получили приборы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), где к БТИЗ добавлен еще БТ со структурой p-n-p – рис. 4.59.
Здесь структура из двух БТ ( ) охвачена глубокой ПОС за счет чего резко увеличивается крутизна (пример: для BUP 402 получено значение крутизны ).
Рисунок 4.59 – Схема замещения транзистора IGBT
В основе IGBT находятся МОП с индуцированным каналом, поэтому необходимо (см. ВАХ для БТ ИЗ на рис.4.42).
Вопросы для самопроверки
1. Какие функции выполняют ПП резисторы в цепях ?
2. Варисторы. Их разновидности. Какие функции выполняют фоторезисторы в электронных цепях ?
3. Как классифицируются ПП диоды ?
4. Какая физика работы выпрямительного ПП диода, его ВАХ и параметры ? Как работает однополупериодный выпрямитель ?
5. Какие явления наблюдаются при рассмотрении переходных процессов переключения диода ? Как уменьшить длительность переключения ПП диода ?
6. Какими свойствами и параметрами диод Шоттки отличается от ПП диода ? Что такое транзистор Шоттки ?
|
|
7. Какова ВАХ и свойства стабилитрона и как работает параметрический стабилизатор напряжения ?
8. Как устроены и где применяются туннельные диоды, фотодиоды, светодиоды и ПП лазеры ?
9. Как устроены варикапы и где их примененяют ?
10. Принцип работы гипотетического усилителя. Входная ВАХ для УЭ.
11. Выходные ВАХ для УЭ. Как построить линию нагрузки ?
12. Принципы усиления. Чем отличаютя биполярные и униполярные транзисторы ?
13. Каково устройство и принцип действия БТ ?
14. Соотношение между токами в БТ. Какова сущность α, β ? В каких режимах может работать БТ ? Каковы основные схемы включения БТ ?
15. Статические ВАХ для БТ ? Каковы их особенности ?
16. БТ по схеме ОЭ. Назначение элементов и построение линии нагрузки.
17. БТ по схеме ОЭ. Усилительный режим. Какие особенности работы БТ в ключевом режиме ?
18. Усиление напряжения в каскаде ОЭ и особенности переключения БТ.
19. Применение форсирующей цепи для ускорения переключения БТ. Как оцениваются динамические свойства БТ в активном режиме ?
20. Определение ПТ. Разновидности ПТ. Каково устройство и принцип действия ПТУП ?
21. Устройство и принцип действия ПТИЗ. Чем отличаются МДП- и МОП-структуры ?
|
|
22. Передаточные ВАХ для ПТ. Крутизна ВАХ. Обозначения ПТ.
23. Какой вид имеют выходные ВАХ для ПТ (на примере ПТУП) ?
24. Усилитель напряжения на ПТ. Как определить коэффициент усиления ?
25. ДХ для ПТ в процессе включения и выключения.
26. МЭТ. Зачем здесь примененяется ДШ ?
27. Составные транзисторы (БТ) по схемам Дарлингтона и Шиклаи.
28. Какова схема и особенности работы комплементарной пары МОП транзисторов (КМОП) ?
29. Силовые ПП приборы. Определение. Требования. Разновидности.
30. Динисторы. Тиристоры. Симисторы.
31. Фототиристоры и фотосимисторы. В чем их особенности ?
32. СИТ-транзисторы и БТ с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 1360; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!