Преимущества по сравнению с DDR



· Более высокая полоса пропускания

· Как правило, меньшее энергопотребление

· Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению

Недостатки по сравнению с DDR

· Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)

· Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше

 

 

DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.

В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.

DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.

При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.

 

 

Спецификации стандартов

Стандартное название Частота памяти Время цикла Частота шины Эффективная(удвоенная) скорость Название модуля Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме
DDR3-800 100 МГц 10,00 нс 400 МГц 800 МТ PC3-6400 6400 МБ/с
DDR3-1066 133 МГц 7,50 нс 533 МГц 1066 МТ PC3-8500 8533 МБ/с
DDR3-1333 166 МГц 6,00 нс 667 МГц 1333 МТ PC3-10600 10667 МБ/с
DDR3-1600 200 МГц 5,00 нс 800 МГц 1600 МТ PC3-12800 12800 МБ/с
DDR3-1866 233 МГц 4,29 нс 933 МГц 1866 МТ PC3-14900 14933 МБ/с
DDR3-2133 266 МГц 3,75 нс 1066 МГц 2133 МТ PC3-17000 17066 МБ/с

 

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

· Предвыборка 8 байт

· Функция асинхронного сброса с отдельным контактом

· Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне

· Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей

· Выполнение CAS Write Latency за такт

· Встроенная терминация данных

· Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)

· Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

· Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией

· Высокоточные резисторы в цепях калибровки

Преимущества и недостатки

Преимущества по сравнению с DDR2

· Бо́льшая пропускная способность (до 17066 МБ/с)

· Меньшее энергопотребление

Недостатки по сравнению с DDR2

· Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)

 

 

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит/с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ/c (в случае максимальной эффективной частоты 4266 МГц, определенной спецификациями). Кроме того, повышена надежность работы за счет введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Будет поддерживать эффективные частоты от 1600 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2014 года. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В[1][2][3]. Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году[4].

Производитель

Упаковка чипов

Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.

Форм-фактор

Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM, LRDIMM.

SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.

DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.

Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.

RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.

LRDIMM-модули устанавливаются в серверах. Они оснащаются буфером, снижающим нагрузку на шину памяти.

Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

 

--Задание 1—

Определить модуль памяти

--Задание 2—

MB (Название, модель)

CPU

(Название, модель)

RAM

(Название, модель)

Характеристики памяти (, Форм-фактор, Тактовая частота, Пропускная способность, Объем, Поддержка ECC, Буферизованная, Низкопрофильная, Тайминги,Напряжение питания)

Тип памяти Форм-фактор Тактовая частота Пропускная способность Объем ECC Буф Низкопрофильная Тайминги Напряжение
          800 МГц              
      DDR                  
      DDR2                  
ASUS MAXIMUS VI FORMULA                          
  Intel Core i7-4770 Haswell (3400MHz, LGA1150, L3 8192Kb)                        
  Intel Core i3-2120 Sandy Bridge (3300MHz, LGA1155, L3 3072Kb)                        
      DDR2                  
      DDR3                  
ZOTAC E2-1800ITX-A-E                          
          400 МГц              

 

--Домашнее задание--

Подготовить сравнительную характеристику DDR, DDR2, DDR3, DDR4

 

--Литература--

Организация ЭВМ, Авторы: Хамахер К., Вранешич

Архитектура компьютера, Автор: Таненбаум Э

Аппаратные средства PC Колесниченко О.В, Шишигин И.В, Соломенчук В.Г.

Устройство и ремонт персонального компьютера Стивен Бигелоу

wikipedia.org

 


Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 629; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!