Преимущества по сравнению с DDR
· Более высокая полоса пропускания
· Как правило, меньшее энергопотребление
· Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
Недостатки по сравнению с DDR
· Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
· Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше
DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.
|
|
Спецификации стандартов
Стандартное название | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Эффективная(удвоенная) скорость | Название модуля | Пиковая скорость передачи данных при 64-битной шине данных в одноканальном режиме |
DDR3-800 | 100 МГц | 10,00 нс | 400 МГц | 800 МТ | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
DDR3-1066 | 133 МГц | 7,50 нс | 533 МГц | 1066 МТ | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
DDR3-1333 | 166 МГц | 6,00 нс | 667 МГц | 1333 МТ | PC3-10600 | 10667 МБ/с |
DDR3-1600 | 200 МГц | 5,00 нс | 800 МГц | 1600 МТ | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
DDR3-1866 | 233 МГц | 4,29 нс | 933 МГц | 1866 МТ | PC3-14900 | 14933 МБ/с |
DDR3-2133 | 266 МГц | 3,75 нс | 1066 МГц | 2133 МТ | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
Возможности микросхем DDR3 SDRAM
· Предвыборка 8 байт
· Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
· Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
· Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
· Выполнение CAS Write Latency за такт
· Встроенная терминация данных
· Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
· Автоматическая калибровка шины данных
|
|
Возможности модулей DIMM DDR3
· Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
· Высокоточные резисторы в цепях калибровки
Преимущества и недостатки
Преимущества по сравнению с DDR2
· Бо́льшая пропускная способность (до 17066 МБ/с)
· Меньшее энергопотребление
Недостатки по сравнению с DDR2
· Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит/с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ/c (в случае максимальной эффективной частоты 4266 МГц, определенной спецификациями). Кроме того, повышена надежность работы за счет введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Будет поддерживать эффективные частоты от 1600 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2014 года. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В[1][2][3]. Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году[4].
|
|
Производитель
Упаковка чипов
Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.
Форм-фактор
Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM, LRDIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
|
|
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
LRDIMM-модули устанавливаются в серверах. Они оснащаются буфером, снижающим нагрузку на шину памяти.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.
--Задание 1—
Определить модуль памяти
--Задание 2—
MB (Название, модель) | CPU (Название, модель) | RAM (Название, модель) | Характеристики памяти (, Форм-фактор, Тактовая частота, Пропускная способность, Объем, Поддержка ECC, Буферизованная, Низкопрофильная, Тайминги,Напряжение питания) | |||||||||
Тип памяти | Форм-фактор | Тактовая частота | Пропускная способность | Объем | ECC | Буф | Низкопрофильная | Тайминги | Напряжение | |||
800 МГц | ||||||||||||
DDR | ||||||||||||
DDR2 | ||||||||||||
ASUS MAXIMUS VI FORMULA | ||||||||||||
Intel Core i7-4770 Haswell (3400MHz, LGA1150, L3 8192Kb) | ||||||||||||
Intel Core i3-2120 Sandy Bridge (3300MHz, LGA1155, L3 3072Kb) | ||||||||||||
DDR2 | ||||||||||||
DDR3 | ||||||||||||
ZOTAC E2-1800ITX-A-E | ||||||||||||
400 МГц |
--Домашнее задание--
Подготовить сравнительную характеристику DDR, DDR2, DDR3, DDR4
--Литература--
Организация ЭВМ, Авторы: Хамахер К., Вранешич
Архитектура компьютера, Автор: Таненбаум Э
Аппаратные средства PC Колесниченко О.В, Шишигин И.В, Соломенчук В.Г.
Устройство и ремонт персонального компьютера Стивен Бигелоу
wikipedia.org
Дата добавления: 2018-02-15; просмотров: 629; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!