Пояснительная записка
1.1. Рабочая программа по кусу "Электроника" составлена в соответствии с Государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования на основании государственных требований к минимуму содержания и уровню подготовки выпускника по специальности 200900 "Сети связи и системы коммутации" и 201000 "Многоканальные телекоммуникационые системы".
1.2. Программа предназначена для дневной формы обучения на базе полного среднего образования.
1.3. Курс базируется на физико-математической подготовке, которую студенты получают при изучении дисциплин "Математика", "Физика" и "Основы теории цепей".
1.4. Дисциплина изучается отдельно и является базовой для последующих кусов.
1.5. Цель преподавания дисциплины состоит в изучении студентами физических принципов действия, характеристик и параметров основных типов активных электронных приборов, включая особенности их реализации в составе интегральных микросхем, а также технологических основ производства полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. При изучении этой дисциплины закладываются основы знаний, позволяющих умело использовать современную элементную базу радиоэлектроники и понимать тенденции и перспективы развития элементной базы, приобретаются первые навыки экспериментального исследования характеристик и измерения параметров активных приборов.
|
|
|
1.6. В результате изучения дисциплины студенты должны:
- иметь представление о многообразии элементной базы аппаратуры связи, о современном состоянии и тенденциях развития микроэлектроники;
- знать физические процессы, протекающие в электронных приборах, их устройство и технологию изготовления, характеристики и параметры;
- уметь применять полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в аппаратуре связи, радиовещания и телевидения.
2. Тематический план
| Наименование разделов и тем | Расчет часов | ||||
| Лекции | Прак. раб. | Лаб. раб | Сам. раб. | Литера- тура | |
| Тема 1. Физические основы электроники | 1,2,6 | ||||
| Тема 2. Полупроводниковые диоды | 3,4 | ||||
| Тема 3. Биполярные транзисторы | |||||
| Тема 4. Полевые транзисторы | |||||
| Тема 5. Тиристоры | |||||
| Тема 6. Усилительный каскад на транзисторе | |||||
| Тема 7. Основы микроэлектроники | |||||
| Всего часов |
Содержание учебной дисциплины
Тема 1. Физические основы электроники
Содержание учебного материала.
Основные сведения о проводимости полупроводников. Собственная и примесная проводимость. Получение слоёв оксида и нитрида кремния.
|
|
|
Тема 2. Полупроводниковые диоды
Содержание учебного материала.
Процессы в p-n-переходе. Несимметричный переход. Инжекция и экстракция зарядов. Толщина перехода. Процессы в p-n-переходе при подключении внешнего источника напряжения. ВАХ p-n-перехода.
Полупроводниковый диод. Классификация диодов по их конструктивно-технологическим особенностям.
Выпрямительные диоды. Низкочастотные (силовые) и маломощные высокочастотные выпрямительные диоды. Применение диодов в источниках питания. Параметры диодов, характеризующие их вольт-амперную характеристику и физические свойства. Параметры диодов, характеризующие предельно допустимые эксплуатационные режимы выпрямительных диодов. Выпрямительные столбы. Выпрямительные блоки и сборки. Условные графические обозначения диодов: общее обозначение, размеры.
Универсальные и импульсные диоды. Параметры универсальных и импульсных диодов.
Стабилитроны и стабисторы.Вольт-амперная характеристика стабилитрона. Параметры стабилитрона. Температурный коэффициент напряжения. Температурно-компенсированные прецизионные стабилитроны. Условные графические обозначения стабилитронов.
|
|
|
Варикап и его применение. Параметры варикапа. Условное графическое обозначение варикапа.
Туннельные диоды. Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры диода. Область применения туннельных диодов.
Обращенные диоды. Вольт-амперная характеристика обращённого диода.
Условные графические обозначения туннельных и обращённых диодов.
Тема 3. Биполярные транзисторы
Содержание учебного материала.
Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Биполярные транзисторы p-n-p и n-p-n -структуры. Эмиттер. Коллектор. База. Эмиттерный переход. Коллекторный переход.
Физические процессы в транзисторе. Токи в биполярном транзисторе. Статический коэффициент передачи тока эмиттера.Эффект модуляции толщины базы.
Условные графические обозначения биполярных транзисторов на принципиальных схемах.
Схемы включения биполярного транзистора: с общей базой, с общим эмиттером, с общим коллектором.
Входные и выходные статические характеристики биполярного транзистора. Семейство характеристик. Влияние температуры на статические характеристики.
Входные статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Связь тока коллектора с током базы. Статический коэффициент передачи тока базы. Обратный ток коллектор-эмиттер. Выходные статические характеристики. Влияние температуры на входные и выходные статические характеристики.
|
|
|
Схемы замещения биполярного транзистора. Модель Эберса-Молла. Малосигнальная Т-образная схема замещения биполярного транзистора. Параметры Т-образной схемы замещения.
Биполярный транзистор как линейный четырёхполюсник. Уравнения четырёхполюсника. Система h -параметров транзистора. Физический смысл
h -параметров. Связь между h -параметрами и физическими параметрами транзистора.
Тема 4. Полевые транзисторы
Содержание учебного материала.
Полевые (канальные, униполярные) транзисторы. Полевые транзисторы с p - и n -каналом. Упрощённая конструкция полевого транзистора с управляющим p-n -переходом. Исток. Сток. Затвор. Принцип действия полевого транзистора.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 15; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!