Иммерсионды литография
Литографияның бұл түрінде барлық операторлар оптикалық жүйе мен табанша батырылған сұйықтық астында жүргізіледі. Мысалы, толқын ұзындығы 193 нм ультракүлгін жарықты иммерсионды литографияда аса таза газсыздандырылған сұйықтық қолданылады. Иммерсионды литография фокус тереңдігін арттырады, соның салдарынан бұдан да күшті микропроцессорларға арналған электросхемалар алуға мүмкіндік туындайды.
Транзисторлардың түрлері
Транзистор бірнеше жартылай өткізгіш, мысалы, легирлеу үдерісінде кремний, галлий арсениді мен германий арсенидінің қоспасы қосылған материалдардан тұрады. n – типті жартылай өткізгіштерде қоспалар (мысалы, бор) электрондардың жетіспеуі (тесіктер деп аталатын) мен артық оң зарядтың себепкері болады.
Жарық транзистор
Мұндай транзистор екі n – типті жартылай өткізгіштен (эммитер мен коллектор) және араларында орналасқан р- типті транзистордан (база) тұрады. База мен эммитер арасындағы аз ғана тоқ эммиттер мен коллектор арасындағы тоқты біршама ұлғайтады. Транзистор тоқты ұлғайтқыш пен қатар, электросызбаны басқарушы элемент рөлін де атқаруы мүмкін.
Шындығында, база мен эмиттор арасындағы кез – келген тоқ эмиттор мен коллектор арасындағы бөліктің кедергісін біршама төмендетеді.
|
|
|
Рістік транзистор
Жазық транзистор ашылғаннан кейін өрістік транзистор жасалып шығарылды. Оның жұмыс істеуіне аз энергиялы кіруші дабыл қажет болғандықтан бұл транзистордың басымдылығы жоғары болып келеді. Өрістік транзисторда n – типті жартылай өткізгіш канал екі кішкене р- типті транзисторлар арасында орналасады. n – типті канал ұштары көзі және ағыны, ал р- типті аймақтың ұштары тығындар деп аталады. Затворларға кернеу (кері кернеу) беріліп, n – типті және р- типті жартылай өткізгіштердің шекарасы арқылы токтың өтуіне кедергі болады. Сонымен, кері кернеу көмегімен токтың канал бойынша өтуін бақылауға болады. р- типті жартылай өткізгіш – каналы бар жазықтық транзистор да осылай жұмыс істейді. Алайда бұл жағдайда кері кернеудің таңбасы қарама - қарсы болады.
Нанотранзисторлар
АҚШ Шампэйн- Урбандағы Иллинойс Университетінің ғалымдары 600 МГц жиілікпен жұмыс істей алатын биполярлы транзистор жасап шығарған. Олар жақында терагерцті бөгетті өтіп жоғары жылдамдықты есептеулерге негіз болатын транзисторлар жасаймыз деп жоспарлап отыр. Мөлшері кішкентай терагерцті микропроцессордың құрамында 25 есе көп транзистор болады. 25 есе жылдамырақ жұмыс істейді және Pentium 4 чипынан азырақ энергия тұтанады. Intel компаниясы осындай чипты нанотранзисторлар негізінде жасауды жоспарлауда.
|
|
|
Индий фосфиді мен галий арсениді негізінде өрістік транзисторлар коллектор, база мен эмиттерден тұрады. Дәл осындай транзисторда ғалымдар 604 МГц жиілікті және әлемдегі ең жылдам транзистор жасаушы атағын алды.
Жоғары жылдамдықта жұмыс істейтін транзисторлар жоғары тығыздықты тоқты тасымалдайды және тез қызып кетеді және бұл кезде кейбір компоненттер балқып кетеді. Жаңа композитті биполярлы транзисторлар біраз төмен тығыздықтағы тоқты ұстап тұрады. Ғалымдар мен инженерлер жаңа материалдар көмегімен жақын болашақта терагерцті транзисторды жасау ықтималдығын арттыруға тырысып жатыр.Жылдамырақ транзисторлар соғұрлым жылдам микропроцессорлар жасауға, яғни мықты компьютерлер мен байланыс, өндіріс және армияға арналған тиімді электронды жүйелер жасауға мүмкіндік береді
|
|
|
НАНОСЫМДАР
Нанотүтікшелерді тазалау, жазу, түзеу және сорттау кремний табаншасын өсіру әдістемесінен күрделі болып келеді. Ал олардың негізіндегі электр тізбектерін жасау ғалымдар мен инженерлер үшін тіпті күрделі техникалық мәселе болып отыр.
Наносымдар – бұл диаметрлері бірнеше ғана нанометр болатын сым. Мұндай масштапты деңгейде кванттық механика заңдары маңызды рөл атқаратын болғандықтан, осы іспеттес сымдар кванттық сымдар деп аталады.
Кремнийлі электрониканың дамуының келесі сатысы болып табылатын кремнийлі наносымдармен (наноөзектер немесе кванттық сымдар) жұмыс істеу әлдеқайда жеңіл. Нанотүтікшелер сияқты наносымдар өте кішкене транзисторлардан күрделі конфигурациялар түзе алады, бірақ олар нанотүтікшелер сияқты аса берік болмайды.
Наносымдар басқа материалдармен күрделі жүйе түзе алады. Кремнийлі наносымдарды алуға заманауи электрондық технологияның жетістіктері нәтижесінде қол жеткізілді. Ғалымдар мен инженерлер олардың құрылымы мен қасиеттерін, көп жылдар бойы бақылапкелгендей жасай алады.
|
|
|
Алайда кремний наносымдар жасауға арналған жалғыз материал емес. Әртүрлі мақсаттар үшін металл немесе алтын, мыс немесе марганецтен жасалған көпқабатты наносымдар пайдаланыла алады.
Деаметрі 12 нм наносымдар оптикалық және электромагниттік жүйелер үшін сенсорлар мен күн батареясында да қолданыла алады.
Ілінген наносымдар
Наносымдарды зертханаларда ілу немесе тозаңдандыру арқылы алады. Кәдімгі сымды вакуумды камерада іліп, қалыңдығын өңдеу немесе жоғары энергетикалық бөлшектермен атқылау арқылы немесе балқымадан созу арқылы алуға болады.
Дата добавления: 2016-01-05; просмотров: 18; Мы поможем в написании вашей работы! |
Мы поможем в написании ваших работ!