Обработка результатов измерений



ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Цель работы: ознакомиться с явлением Холла, определить постоянную Холла и концентрацию электронных носителей в полупроводнике.

 

Рассмотрим пластинку из однородного проводника (или полупроводника), к торцам которой припаяно четыре контакта (рис. 7.1). Если пластинку поместить в магнитное поле, вектор индукции  которого перпендикулярен пластинке, то при пропускании тока I в направлении 1–2 между контактами 3–4 возникает разность потенциалов . Это явление получило название эффекта Холла. Он был открыт в 1879 г. американским физиком Э.Г. Холлом [2–4].

 

Эффект Холла можно объяснить следующим образом. Пусть ток I в пластинке обусловлен движением частиц – носителей положительных зарядов Q. Если их концентрация n, а  – средняя скорость их упорядоченного движения, то сила тока

,                                       (7.1)

где J – плотность тока, – площадь поперечного сечения пластинки,

– проекция вектора  на направление вектора  (на ось ОХ).

На заряженную частицу Q, движущуюся в магнитном поле с индукцией , действует магнитная составляющая силы Лоренца

.                                      (7.2)

Эта сила будет отклонять заряды к одному из торцов пластинки. В результате на этом торце окажется избыток зарядов, а на противоположном – недостаток. По этой причине в пластинке возникает электрическое поле, вектор напряжённости которого  направлен по оси ОY. Сила, действующая на заряд Q со стороны этого поля (электрическая составляющая силы Лоренца)

                                       (7.3)

будет направлена противоположно силе . Разделение зарядов прекратится, когда сила Лоренца будет равна нулю, то есть

.                        (7.4)

Из этого уравнения находим напряжённость установившегося электрического поля

.                                    (7.5)

Спроецируем вектор напряженности  на ось ОY

.                                    (7.6)

Тогда разность потенциалов между точками 3 и 4 определится как

.

Подставляя вместо  её значение из (7.1) и, обозначая , получим

,                                (7.7)

где  – величина, которая называется постоянной Холла.

Более строгая теория, учитывающая взаимодействие носителей тока с кристаллической решеткой, дает следующее значение постоянной Холла

,                                         (7.8)

где r – параметр, называемый Холл-фактором. Он зависит от магнитного поля, температуры, свойств материала образца и всегда больше единицы. Например, для германия при комнатной температуре r = 3p/8.

Из последней формулы следует, что знак постоянной Холла определяется знаком носителей заряда. Для металлов и полупроводников с электронной проводимостью (n-типа) < 0, а для полупроводников с дырочной проводимостью (р-типа) > 0.

Описание метода исследования

Холловское напряжение , согласно формуле (7.7), линейно зависит от магнитной индукции В и от протекающего в образце тока I.Если опытным путём получить эти зависимости, то по угловому коэффициенту экспериментальной прямой k можно определить постоянную Холла . Действительно, так как

,                            (7.9)

то величина углового коэффициента

.                                        (7.10)

Отсюда для постоянной Холла получаем

.                                        (7.11)

В качестве источника постоянного магнитного поля используют электромагнит. Величина индукции магнитного поля Bв зазоре сердечника электромагнита нелинейно зависит от намагничивающего тока  в его обмотке. Однако на кривой намагничивания сердечника можно выделить практически линейный участок, для которого будет справедлива формула

,                                        (7.12)

где m0 = 4p×10–7 Гн/м – магнитная постоянная; N – число витков электромагнита;
h – величина воздушного зазора сердечника электромагнита.

При проведении эксперимента задача измерения  осложняется тем, что контакты 3–4 на образце (рис. 7.1) могут быть установлены с некоторым смещением относительно друг друга. В этом случае напряжение между ними будет обусловлено не только эффектом Холла, но и омическим падением напряжения , вследствие протекания основного тока через образец. Поэтому измерения  при каждом значении тока следует проводить для двух противоположных направлений вектора индукции магнитного поля. Тогда холловское напряжение будет менять знак, а омическое напряжение будет оставаться постоянным. При одном направлении магнитного поля измеряемая разность потенциалов

                                                   ,                               (7.13)

а при другом его направлении

.                               (7.14)

Исключая из этих двух уравнений неизвестную величину , получаем

.                             (7.15)

Описание установки

Оборудование:  генератор  постоянного  напряжения,   миниблок «Эффект Холла», мультиметры, соединительные провода.

 

Рис. 7.2. Миниблок «Эффект Холла»:

1 – электромагнит, 2 – переключатель направления тока в обмотке электромагнита, 3 – датчик Холла. Вход В подключается к земле. Вход С – к источнику напряжения «+15 В».На вход А подводится регулируемое напряжению «0 … +15 В». С выходов DE снимается напряжение с датчика Холла

 

 

Электрическая схема установки приведена на рис. 7.3, монтажная – на рис. 7.4. Исследуемый образец (Д) представляет собой пластинку из германия – полупроводник с дырочной проводимостью. Он подсоединён к источнику постоянного напряжения 4 и помещён в зазор сердечника электромагнита 6. Обмотка электромагнита через переключатель 8 соединена с регулируемым источником постоянного напряжения 10. С помощью переключателя можно изменять направление тока в обмотке электромагнита, а значит и направление вектора индукции магнитного поля в зазоре сердечника. Напряжение Холла измеряют цифровым вольтметром 5.

Рис. 7.3. Электрическая схема:

(1–1) цепь питания электромагнита 6: регулируемый источник постоянного напряжения 10, переключатель 8, мультиметр 9;

(2–2) – цепь измерения напряжения Холла мультиметром 5;

(3–3) – цепь питания образца Д: 4 – источник постоянного напряжения «+15 В»;

7 – миниблок «Эффект Холла»

Выполнение работы

1. Заполнить табл. 7.2 (см. бланк отчёта).

2. Записать в табл. 7.3 (см. бланк отчёта) число витков электромагнита N, ширину зазора h и толщину датчика d (указаны на миниблоке «Эффект Холла»).

3. Переключатель рода работ мультиметра 5 (рис. 7.3) перевести в положение «V » и установить предел измерения «2 V», мультиметра 9 – в положение «А » и установить предел измерения «200 m А»,

4. Собрать электрическую цепь по монтажной схеме, приведенной на рис. 7.4.

Внимание! На общий вход COM мультиметров 5 и 9 подается отрицательное напряжение (провод «» или «^»), на входы V W и m А – положительное напряжение (провод «+»).

5. Кнопками «СЕТЬ» включить питание блоков генераторов напряжения и мультиметров. Нажать кнопку «Исходная установка».

6. Кнопкой  «Установка напряжения 0 … 15 В» установить ток Iэм примерно 5 мА. Измерить напряжение . Переключателем 8 изменить направление тока (магнитного поля в зазоре) и измерить напряжение . Результаты записать в табл. 7.3.

7. Увеличивая ток Iэм примерно на 3–5 мА, провести ещё не менее 9 измерений напряжений  и . Максимальный ток Iэм не должен превышать 40 мА.  Результаты записать в табл. 7.3.

8. Нажать кнопку «Исходная установка» и кнопками «СЕТЬ» в ыключить питание генераторов напряжения и мультиметров. Разобрать электрическую цепь.

9. Измерить рабочий ток датчика Холла. Для этого необходимо собрать электрическую цепь по монтажной схеме, приведенной на рис. 7.5. Измерить ток I и записать в табл. 7.3.

10. Выключить из сети блоки питания генераторов и мультиметров.

Рис. 7.4. Монтажная схема: обозначения 5, 7, 9 – см. на рис. 7.3

 

Рис. 7.5. Монтажная схема для измерения рабочего тока датчика Холла

Обработка результатов измерений

1. По формуле (7.12) рассчитать значения магнитной индукции Bдля каждого значения Iэм.

2. По формуле (7.15) для каждого значения B вычислить холловское напряжение . Результаты расчетов записать в табл. 7.3.

3. Построить график зависимости . Для этого на графике отложить экспериментальные точки и провести по ним наилучшую прямую.

4. Рассчитать угловой коэффициент k этой прямой. Для этого на концах прямой выбрать две произвольные точки 1 и 2 и спроецировать их на координатные оси (рис. 7.6). Тогда

. (7.16)

 

5. По формуле (7.11) рассчитать среднее значение постоянной Холла для исследуемого полупроводника.

6. Вычислить концентрацию дырок n в исследуемом полупроводнике по формуле (7.8)

,                                            (7.17)

где Q = e – элементарный заряд.


Дата добавления: 2021-11-30; просмотров: 20; Мы поможем в написании вашей работы!

Поделиться с друзьями:






Мы поможем в написании ваших работ!